你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

明年量產(chǎn)的GaN功率元件將替代SiC元件

發(fā)布時(shí)間:2012-12-13 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】GaN功率元件與現(xiàn)有的Si相比可大幅削減電力損失,作為新一代功率半導(dǎo)體材料與SiC一樣備受關(guān)注。SiC功率元件不斷得到空調(diào)、音響設(shè)備、工業(yè)設(shè)備及鐵路車輛的逆變器等的采用,而GaN功率元件在應(yīng)用方面卻一直落后于SiC。安川電機(jī)決定采用GaN功率元件。該公司計(jì)劃2014年內(nèi)在光伏發(fā)電系統(tǒng)使用的功率調(diào)節(jié)器產(chǎn)品中配備該元件。


安川電機(jī)決定采用GaN功率元件的目的是降低電力轉(zhuǎn)換時(shí)的損失和實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。例如,在輸出功率為4.5kW的家用功率調(diào)節(jié)器的逆變器電路等中采用該元件(圖1)時(shí),與采用Si制IGBT的現(xiàn)有產(chǎn)品相比,電力損失削減了約一半(2kW輸出時(shí))。體積減小45%,重量減輕約27%。

通過(guò)采用GaN功率元件實(shí)現(xiàn)小型、輕量、高效率
圖1:通過(guò)采用GaN功率元件實(shí)現(xiàn)小型、輕量、高效率

安川電機(jī)開(kāi)發(fā)出了采用GaN功率元件的光伏發(fā)電系統(tǒng)用功率調(diào)節(jié)器(a)。利用該元件將體積減小了45%,重量減輕了約27%(b)。2.5kW輸出時(shí)實(shí)現(xiàn)了98.2%的高效率(c)。

可以削減體積的理由有三個(gè)

第一,GaN功率元件產(chǎn)生的電力損失較小。其中,“開(kāi)關(guān)損失尤其小”(安川電機(jī))。電力損失減小的話,電力轉(zhuǎn)換器的發(fā)熱量就會(huì)降低,因此即使縮小電力轉(zhuǎn)換器的體積、減小熱容量,溫度也不易上升。

第二,提高了開(kāi)關(guān)頻率。開(kāi)關(guān)頻率越高,越能縮小電抗器等外設(shè)的尺寸。此次的開(kāi)發(fā)品開(kāi)關(guān)頻率為50kHz。雖然安川電機(jī)沒(méi)有公布詳情,不過(guò)估計(jì)為現(xiàn)有產(chǎn)品的5倍左右。安川電機(jī)針對(duì)50kHz頻率與部件廠商共同新開(kāi)發(fā)了電抗器。雖然是新開(kāi)發(fā)品,但考慮到實(shí)用化,并未使用高成本部材。

第三,縮小了功率元件的柵極驅(qū)動(dòng)電路。GaN功率元件的輸入容量較小,因此該驅(qū)動(dòng)電路的電源部能夠小型化。

采用此次開(kāi)發(fā)品的GaN功率元件是耐壓為600V的GaN功率晶體管。600V耐壓的要求可以利用SiC制MOSFET來(lái)滿足。SiC制MOSFET也像GaN功率晶體管一樣,可以降低功率調(diào)節(jié)器的電力損失并實(shí)現(xiàn)小型化。不過(guò)此次采用GaN是因?yàn)槠湓诔杀竞托阅芊矫娓觾?yōu)異。
[page]
價(jià)格比SiC低

成本方面,在耐壓為600V的產(chǎn)品中,GaN功率晶體管的價(jià)格有望低于SiC制MOSFET。原因是,GaN功率晶體管目前可以在廉價(jià)的6英寸口徑Si基板上制作。而且,為利用8英寸產(chǎn)品也已經(jīng)展開(kāi)了研究開(kāi)發(fā)。

而SiC制MOSFET目前不但制造價(jià)格高,還需要采用口徑只有4英寸的SiC基板。6英寸產(chǎn)品要到2015年前后才能穩(wěn)定供給。

克服缺點(diǎn)

在耐壓為600V的用途中,GaN功率晶體管的電性能要優(yōu)于SiC制MOSFET。例如,開(kāi)關(guān)損失和輸入容量比較小。此外,解決了性能不如SiC的問(wèn)題,這也很重要。首先,實(shí)現(xiàn)了600V耐壓的產(chǎn)品。而此前投產(chǎn)的產(chǎn)品,耐壓只有200V。

其次,可實(shí)現(xiàn)只在柵極加載電壓時(shí)導(dǎo)通的“常閉工作”。功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換器出于安全性的考慮,強(qiáng)烈要求常閉工作。

此次采用的GaN功率晶體管由美國(guó)Transphorm公司制造,為常開(kāi)工作。不過(guò),通過(guò)在該GaN功率晶體管上級(jí)聯(lián)(Cascode)Si制MOSFET,實(shí)現(xiàn)了常閉工作。兩個(gè)元件封裝在一個(gè)封裝中。由此,GaN功率晶體管也實(shí)現(xiàn)了可常閉工作的600V耐壓產(chǎn)品。

另外,還解決了GaN功率晶體管的“電流崩塌”課題。電流崩塌是指,以高電壓工作時(shí),該元件的導(dǎo)通電阻突然增大,導(dǎo)致電流難以流過(guò)的現(xiàn)象。

推動(dòng)GaN普及


隨著大型電力轉(zhuǎn)換器企業(yè)安川電機(jī)采用GaN功率晶體管,以及實(shí)現(xiàn)常閉工作的600V耐壓產(chǎn)品的亮相,利用該元件的趨勢(shì)今后將會(huì)加速。實(shí)際上,除Transphorm公司以外,提供600V耐壓GaN功率晶體管的其他企業(yè)也在不斷增加(圖2)。例如,富士通半導(dǎo)體宣布決定2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。美國(guó)EPC和美國(guó)International Rectifier(IR)也在致力于600V耐壓產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

耐壓為600V的產(chǎn)品接連亮相
圖2:耐壓為600V的產(chǎn)品接連亮相

安川電機(jī)采用了Transphorm公司的600V耐壓GaN功率元件。除了Transphorm外,還有很多其他企業(yè)致力于600V耐壓GaN功率晶體管的開(kāi)發(fā)(a)。例如富士通半導(dǎo)體預(yù)定從2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)(b)。
 

要采購(gòu)晶體么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉