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μPA2812T1L:瑞薩發(fā)布低損耗高效P溝道MOSFET用于筆記本電腦

發(fā)布時間:2012-02-23

產品特性:

  • 業(yè)界最低的導通電阻
  • 可提供更優(yōu)異的系統(tǒng)電源效率
  • 延長電池的使用時間
  • 小尺寸,蓋大范圍運作電流等級

應用范圍:

  • 筆記型電腦


先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子宣布推出5款低損耗P-Channel金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品,包括針對筆記型電腦鋰離子二次電池之充電控制開關,以及AC變壓器電源供應開關之電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。

近年來,市場對于外型較輕巧、整體系統(tǒng)低電耗,以及借由電池電力即可使用較長時間之筆記型電腦,需求日漸升高。功率MOSFET用于鋰離子二次電池的充電控制開關以及AC變壓器電源供應開關的電源管理開關,必須處理整體系統(tǒng)運作所需要的大電流,因此需要降低運作電阻(導通電阻),以降低系統(tǒng)的耗電量。同時,筆記型電腦的機身越來越小巧,因而市場對于尺寸輕巧的鋰離子電池需求極為強烈,也需要比傳統(tǒng)SOP-8封裝更小的功率MOSFET產品。

為因應上述需求,瑞薩已開發(fā)新的制程,采用超精細加工技術及其他創(chuàng)新技術,相較于先前用以制造類似用途MOSFET的制程,可使導通電阻降低2分之1,并提供相同的有效區(qū)域。此次包括μPA2812T1L的5款新產品,皆以非常小的封裝尺寸提供低導通電阻。

新款P-channel功率MOSFET的主要特色:

(1)業(yè)界最低的導通電阻,可提供更優(yōu)異的系統(tǒng)電源效率,延長電池的使用時間
新款MOSFET可達到瑞薩先前產品大約2分之1的導通電阻。μPA2812T1L采用小型3.3 mm方形封裝,可達到業(yè)界最低的4.2 mΩ(典型)導通電阻,并可保持低電耗,提升系統(tǒng)整體的電源效率,使用鋰離子二次電池時可延長? 峸伅﹛C較低的導通電阻還包括其他優(yōu)點,例如以采用新款μPA2812T1L的電路取代采用瑞薩先前μPA2810T1L平行連接的電路,可減少系統(tǒng)的安裝面積。

(2)安裝面積約為具同等效能之先前產品的3分之1,可提供尺寸更小的系統(tǒng)
較早的瑞薩產品以SOP-8封裝提供與新款μPA2812T1L相當的導通電阻,面積約為3倍大。采用μPA2812T1L將可縮減安裝面積約3分之2,為筆記型電腦提供尺寸更小的電源供應系統(tǒng)。

(3)涵蓋大范圍運作電流等級的完整系列產品

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