中心議題：

• 短溝道MOSFET中散粒噪聲測(cè)試原理
• 短溝道MOSFET中散粒噪聲的測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)及測(cè)試方案
• 短溝道MOSFET中散粒噪聲的測(cè)試結(jié)果及討論

對(duì)于短溝道MOSFET器件，在室溫條件下，散粒噪聲被其他類(lèi)型的噪聲所淹沒(méi)，一般在實(shí)驗(yàn)中很難觀察到它的存在。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)于散粒噪聲測(cè)試技術(shù)的研究取得了快速的進(jìn)展，但是普遍存在干擾噪聲大、測(cè)試儀器價(jià)格昂貴等問(wèn)題，難以實(shí)現(xiàn)普及應(yīng)用。文中所介紹的測(cè)試系統(tǒng)是在屏蔽環(huán)境下將被測(cè)器件置于低溫裝置內(nèi)，抑制了外界電磁波和熱噪聲的干擾；同時(shí)使用低噪聲前置放大器使散粒噪聲充分放大，并顯著降低系統(tǒng)背景噪聲；通過(guò)提取噪聲頻譜高頻段平均值，去除了低頻1/f噪聲的影響，使測(cè)試結(jié)果更加的準(zhǔn)確。使用本系統(tǒng)測(cè)試短溝道MOSFET器件散粒噪聲，得到了很好的測(cè)試結(jié)果。文中的工作為散粒噪聲測(cè)試提供了一種方法，對(duì)短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了討論。

1 測(cè)試原理

對(duì)于短溝道MOSFET中散粒噪聲的測(cè)試，主要影響因素包括：外界電磁干擾、低頻1/f噪聲、熱噪聲以及測(cè)試系統(tǒng)背景噪聲等。散粒噪聲屬于微弱信號(hào)，在實(shí)際測(cè)試中外界電磁干擾對(duì)測(cè)試結(jié)果影響顯著，將整個(gè)實(shí)驗(yàn)裝置放置于電磁屏蔽環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試，這樣就有效地抑制了外界電磁干擾。散粒噪聲和熱噪聲均屬于白噪聲，在室溫下由于熱噪聲的影響，一般很難測(cè)量到散粒噪聲的存在，因此需要最大限度降低熱噪聲的影響。在測(cè)試中將待測(cè)器件置于液氮環(huán)境中，在此溫度下器件熱噪聲相對(duì)于散粒噪聲可以忽略。對(duì)于器件散粒噪聲的測(cè)試，必須通過(guò)充分放大才能被數(shù)據(jù)采集卡所采集，所以要、求放大器要有足夠的增益，同時(shí)要求不能引入太大的系統(tǒng)噪聲，否則系統(tǒng)噪聲會(huì)淹沒(méi)所測(cè)器件的散粒噪聲，因此采用低噪聲高增益的前置放大器。對(duì)于短溝道MOSFET，其低頻1/f 噪聲非常顯著，它對(duì)散粒噪聲的影響很大，由于1/f 只是在低頻部分明顯，在高頻部分很小，因而可以通過(guò)提取噪聲高頻部分的平均值來(lái)降低1/f 噪聲對(duì)測(cè)試的影響，使測(cè)試結(jié)果更加的準(zhǔn)確。據(jù)此，設(shè)計(jì)了一種低溫散粒噪聲測(cè)試系統(tǒng)。

2 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)及測(cè)試方案

2．1 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)
測(cè)試系統(tǒng)，如圖1所示，主要由偏置電路、低噪聲前置放大器、數(shù)據(jù)采集和噪聲分析系統(tǒng)組成。將所有測(cè)試設(shè)備放置于雙層金屬網(wǎng)組成的屏蔽室內(nèi)，可以有效的抑制外界電磁噪聲的干擾；測(cè)試系統(tǒng)低溫裝置是一個(gè)裝有液氮的杜瓦瓶，它可以提供77 K的測(cè)試溫度，這樣就有效的降低了熱噪聲的影響。Vcc1和Vcc2為電壓可調(diào)的低噪聲鎳氫直流電池組，分別為器件提供柵源電壓和漏源偏壓，電池組不能用直流電源代替，因?yàn)橹绷麟娫吹脑肼暠容^大。

變阻器R1和R2均屬于低噪聲線繞電位器，最大阻值均為10 kΩ，分別用于柵源電壓和漏源的調(diào)節(jié)。同時(shí)為了測(cè)試更加準(zhǔn)確，變阻器R1和R2也一并置于液氮裝置內(nèi)，以降低其自身熱噪聲的影響。前置放大器采用美國(guó)EG&G普林斯頓應(yīng)用研究公司制造的PARC113型低噪聲前置放大器，放大增益范圍為20～80 dB，測(cè)試帶寬為1～300 kHz，其背景噪聲很低，滿(mǎn)足實(shí)驗(yàn)的測(cè)試要求。

數(shù)據(jù)采集和噪聲分析軟件為“XD3020電子元器件噪聲-可靠性分析系統(tǒng)”軟件，它包含5大功能：噪聲頻譜分析、器件可靠性篩選、噪聲分析診斷、時(shí)頻域子波分析、時(shí)域分析。對(duì)于散粒噪聲分析，主要用到噪聲頻譜分析模塊。
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通過(guò)具體測(cè)試對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了驗(yàn)證。設(shè)置柵源電壓為0．1 V，漏源電壓為0．36 V，為了降低低頻1/f噪聲的干擾，提取電流噪聲功率譜299～300 kHz高頻段的平均值。如圖2所示，從圖中可以看出高頻段是白噪聲。在室溫下，被測(cè)器件噪聲幅值為1．2×10-15V2／Hz左右；而77 K時(shí)，在相同偏置條件下測(cè)試了樣品的噪聲，電流噪聲幅值為1．5×10-16V2／Hz左右，對(duì)比室溫和77 K時(shí)樣品噪聲，可以看出噪聲幅值降了一個(gè)數(shù)量級(jí)，通過(guò)計(jì)算可知熱噪聲被減少大約90％，可見(jiàn)77 K時(shí)熱噪聲被明顯抑制。同時(shí)測(cè)量了低溫下系統(tǒng)的背景噪聲，它的噪聲幅值為4×10-17V2／Hz左右，而低溫下樣品的噪聲幅值為1．5×1O-16V2／Hz，因此低溫下系統(tǒng)背景噪聲相對(duì)較小，可以忽略。本測(cè)試系統(tǒng)能滿(mǎn)足低溫下散粒噪聲測(cè)試的要求。

2．2 測(cè)試方案
實(shí)驗(yàn)樣品選用0．18μm工藝nMOSFET器件，溝道寬長(zhǎng)比為20μm／0．6μm，柵氧化層厚度為20 nm，閾值電壓為0．7 V。分別測(cè)試器件在亞閾區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)的源漏電流散粒噪聲功率譜。具體步驟為，設(shè)置Vgs=0．1 V，使器件處在亞閾值區(qū)，Ids在0．055～1 mA變化，測(cè)試器件在不同溝道電流下的電流噪聲功率譜值；再設(shè)置Vgs=1．2 V，使器件工作在反型區(qū)，測(cè)試Ids在0．055～1．5 mA變化時(shí)線性區(qū)和飽和區(qū)的電流噪聲功率譜值。在功率譜提取時(shí)，取270～300 kHz頻率段電流噪聲功率譜的平均值，這樣既可以去除低頻1／f噪聲對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，也可以通過(guò)平均值算法使分析的測(cè)試數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
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3 測(cè)試結(jié)果及討論

圖3和圖4分別為器件工作在亞閾區(qū)和反型區(qū)條件下，電流噪聲功率譜隨漏源電流的變化情況。

由圖中可以看出，在亞閾區(qū)，小漏源電流的條件下，溝道電流和電流噪聲功率譜呈現(xiàn)線性關(guān)系，證明器件在此工作條件下存在散粒噪聲。相比于長(zhǎng)溝道MOSFET器件，短溝道器件溝道源區(qū)附件明顯存在一個(gè)勢(shì)壘，勢(shì)壘高度隨柵源電壓的增大而增大，隨漏源電壓的增大而減小。在此偏置條件下，溝道內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度很小，擴(kuò)散電流成分顯著，擴(kuò)散電流隨機(jī)通過(guò)源極附近勢(shì)壘，引起散粒噪聲。隨著漏源電壓的增大，溝道內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，勢(shì)壘減小，漂移電流成為主要成分，散粒噪聲隨之被抑制。

在反型區(qū)，小的漏源電流條件下，器件工作在線性區(qū)。如圖4所示，與亞閾區(qū)類(lèi)似，可以看到明顯的散粒噪聲成分。但是隨著漏源電流的增大，在漏源電流大約為0．5μA時(shí)，器件進(jìn)入飽和區(qū)。此時(shí)源區(qū)勢(shì)壘和溝道內(nèi)擴(kuò)散電流成分顯著減小，因此導(dǎo)致由擴(kuò)散電流引起的散粒噪聲減小。但此時(shí)漏端溝道正好處在夾斷點(diǎn)位置，載流子通過(guò)夾斷點(diǎn)耗盡區(qū)是彈道傳輸模式，引起了散粒噪聲的產(chǎn)生，導(dǎo)致散粒噪聲再次隨漏源電流的增大而增大。但隨著漏源電流的繼續(xù)增大，夾斷區(qū)長(zhǎng)度不斷增加，載流子在夾斷區(qū)散射增強(qiáng)，散粒噪聲再次被抑制。

4 結(jié)束語(yǔ)

針對(duì)MOSFET散粒噪聲難以測(cè)量的特點(diǎn)，文中提出了一種低溫散粒噪聲測(cè)試方法。在屏蔽環(huán)境下，將被測(cè)器件置于低溫裝置內(nèi)，有效抑制了外界電磁波和熱噪聲的干擾。采用背景噪聲充分低的放大器以及偏置器、適配器等，建立低溫散粒噪聲測(cè)試系統(tǒng)。應(yīng)用本系統(tǒng)對(duì)短溝道MOSFET器件進(jìn)行噪聲測(cè)試，分析該器件散粒噪聲的特性。文中的工作為器件散粒噪聲測(cè)試提供了一種方法，對(duì)短溝道MOSFET散粒噪聲特性進(jìn)行了分析。