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STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

發(fā)布時間:2009-02-25 來源:技術(shù)在線

產(chǎn)品特性:
  • 耐壓650V
  • STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)
  • STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)
  • 采用了改進Super Junction結(jié)構(gòu)
應用范圍:
意法半導體(ST)開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V,有最大導通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)的“STW77N65M5”。

此前,太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT,但由于MOSFET的導通電阻不斷降低,因此MOSFET正逐漸取代IGBT。

ST公司通過改進Super Junction結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了耐壓650V的低導通電阻。具體而言,將在n型底板垂直方向上伸長的p型區(qū)域的寬度和間隔減少一半,使單位面積的導通電阻由原來的約30mΩcm2降至約20mΩcm2。

為涉足太陽能電池市場,ST公司此次將主要面向筆記本電腦AC適配器和平板電視的該公司原產(chǎn)品的600V耐壓設定為650V。耐壓值是25℃下的測量結(jié)果。由于隨著溫度降低,耐壓也降低,因此針對有時設置在室外的太陽能電池系統(tǒng),提高了耐壓。

STY112N65M5和STW77N65M5均將于2009年4月開始供應樣品。

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