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    日本礙子推出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓

    發(fā)布時(shí)間:2012-05-09 來(lái)源:Tech-On!

    GaN晶圓的產(chǎn)品特性:GaN晶圓。左為2英寸產(chǎn)品,右為4英寸產(chǎn)品
    •  可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍

    GaN晶圓的應(yīng)用范圍:
    •  LED應(yīng)用

    日本礙子近日開發(fā)出可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長(zhǎng)GaN單結(jié)晶體時(shí)采用自主開發(fā)的液相生長(zhǎng)法,在整個(gè)晶圓表面實(shí)現(xiàn)低缺陷密度的同時(shí)獲得了無(wú)色透明特性。日本礙子在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助下,在開發(fā)出來(lái)的GaN晶圓上制造了LED元件,并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗(yàn),結(jié)果表明,該LED元件的內(nèi)部量子效率達(dá)到約90%(注入電流200mA時(shí))。

      發(fā)光試驗(yàn)中的LED元件?;宄叽纾?cm見方,元件尺寸:0.3mm見方,注入電流:約200mA,中心波長(zhǎng):450nm
    發(fā)光試驗(yàn)中的LED元件?;宄叽纾?cm見方,
    元件尺寸:0.3mm見方,注入電流:約200mA,中心波長(zhǎng):450nm

    據(jù)日本礙子介紹,市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30~40%(注入電流200mA時(shí)),照此計(jì)算,利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件,其內(nèi)部量子效率提高了1倍以上,這樣便可使發(fā)光效率達(dá)到市售LED光源的2倍(200lm/W),將耗電量降低50%并抑制發(fā)熱,從而實(shí)現(xiàn)照明器具的長(zhǎng)壽命化及小型化。

    日本礙子2012年度設(shè)立了“晶圓項(xiàng)目”,以促使晶圓相關(guān)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商品化。今后還預(yù)定于2012年內(nèi)開始樣品供貨世界首款以液相生長(zhǎng)法制造的直徑4英寸的GaN晶圓。該公司將瞄準(zhǔn)以混合動(dòng)力車及電動(dòng)汽車的功率器件以及無(wú)線通信基站的功率放大器為對(duì)象的晶圓市場(chǎng),為進(jìn)一步降低缺陷密度并加大口徑(直徑6英寸)繼續(xù)推進(jìn)開發(fā)。
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