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硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

發(fā)布時間:2011-03-30 來源:GGLED

新聞事件:

  • 硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

事件影響:

  • 降低LED成本的利器

近日,韓國三星尖端技術研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc  K465i MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設備。

對此,Veeco的化合物半導體業(yè)務執(zhí)行副總裁William J. Miller表示:“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵,并商品化這項技術用于大批量制造氮化鎵功率器件,我們認為是巨大的戰(zhàn)略研發(fā)上的勝利。”

硅基氮化鎵成為下一階段降低LED成本的利器

近日,臺積電旗下創(chuàng)投VTAF公司投資的美國Bridgelux(普瑞光電)正式對外宣布,該公司運用「氮化鎵上硅」(GaN-On- Silicon)的LED技術,已達成每瓦135流明之效能。這代表Bridgelux在硅半導體基板LED技術方面,已成為業(yè)界第1家達到商品化等級效能的廠商。

根據(jù)Bridgelux研究,氮化鎵上硅LED的效能,足以媲美12至24個月前推出的頂級藍寶石基板LED。預估未來2至3年內,應用于商業(yè)市場的氮化鎵上硅LED產(chǎn)品,就能上市銷售。

同時Bridgelux還認為,若能在直徑更大、成本較低廉的硅晶圓上生成氮化鎵,并采用與現(xiàn)代半導體生產(chǎn)線相容的制程,則LED磊晶產(chǎn)品之成本,可望將較現(xiàn)有制程有效降低75%。

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