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電子元器件:終端市場未來價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體:08年上半年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4%,增速創(chuàng)近5年來的新低,2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3%,未來五年年均增長8-9%。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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電子元器件:終端市場未來價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體:08年上半年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4%,增速創(chuàng)近5年來的新低,2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3%,未來五年年均增長8-9%。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多,其市場銷售額保持著較快的增長,是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多,其市場銷售額保持著較快的增長,是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多,其市場銷售額保持著較快的增長,是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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Epson Toyocom開發(fā)出高性能的水晶絕對壓力傳感器
Epson Toyocom公司開發(fā)出小型,高性能的水晶壓力傳感器,采用獨(dú)創(chuàng)的QMEMS技術(shù)制造出的壓力傳感結(jié)構(gòu),以此開發(fā)出具有±10帕(約一萬分之一氣壓)的高精度與0.1帕的高分辨能力的高性能且體積為12.5ml、重量為15g的小型水晶絕對壓力傳感器。
2008-09-24
壓力傳感器
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