新聞事件：

• 第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會成功舉辦

事件影響：

• 知名廠商技術(shù)專家全面介紹電子元器件在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用

由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會成功舉辦。本屆研討會成都站活動(dòng)于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國際會展中心，與中國（西安）電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家全面介紹了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用。

第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會是2011西部電子論壇期間重要的活動(dòng)，本屆西部電子論壇共吸引了1000多名專業(yè)觀眾，有超過400名觀眾參加了新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會。

研討會詳情，請點(diǎn)擊：http://hiighwire.com/seminar

新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會已經(jīng)成功舉行了六屆，每一屆都吸引了大量的研發(fā)工程師和技術(shù)管理人員的參與。“能源危機(jī)與氣候變化提升了節(jié)能減碳的重要性，新能源越發(fā)成為關(guān)注熱點(diǎn)，各國政府也出臺了相應(yīng)的法規(guī)。我們希望通過節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會幫助工程師了解政府節(jié)能減碳以及新能源領(lǐng)域的政策法規(guī)，通過介紹新產(chǎn)品新技術(shù)，提升產(chǎn)品的競爭力。” CNT Networks CEO劉杰博士說。

“新能源的利用和電子節(jié)能技術(shù)的應(yīng)用，迎合了當(dāng)下節(jié)能減碳的訴求，節(jié)能減碳和新能源利用將為電子信息產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇。”中電會展與信息傳播有限公司（中國電子展主辦方）董事長陳雯海說。

研討會中，技術(shù)廠商展示的系列新技術(shù)和解決方案引人關(guān)注。

威世專場元器件技術(shù)講座聚焦新能源利用與節(jié)能設(shè)計(jì)

新能源利用與節(jié)能設(shè)計(jì)備受關(guān)注，威世公司（Vishay）在兩地的新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會上開展專場元器件技術(shù)講座，講解電容、MOSFET、電源管理、二極管與功率模塊、光耦在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源中的應(yīng)用。

Vishay二極管部門亞洲地區(qū)市場部技術(shù)工程師魏武介紹了二極管和電源模塊在太陽能及工業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用，包括低正向壓降的45V TMBS肖特基二極管在太陽能接線盒用作旁路二極管，以及用在不同類型太陽能逆變器中的逆變電源模塊、FRED® Pt超快二極管和晶閘管。

Vishay 光電子部門產(chǎn)品市場經(jīng)理Jose Espina與Vishay光電子部門產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理陸驍聯(lián)合介紹了使用光耦合器來改進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的技巧，包括如何用光耦合器大幅提高現(xiàn)有系統(tǒng)的性能，以及對危及人身安全的電壓級別提供安全隔離。

Vishay Siliconix 高級區(qū)域市場經(jīng)理唐建忠介紹了Vishay Siliconix的高、中、低壓MOSFET的晶圓制造和封裝技術(shù)，以及UPS、通信和替代能源應(yīng)用中的電源管理問題。

Vishay 電容器部門區(qū)域市場經(jīng)理黃勇介紹了Vishay電容器在軍工和替代能源應(yīng)用中的使用包括DC-link薄膜電容器、鋁101/102 PHR-ST系列高可靠性鉭電容器和高可靠性的MLCC器件。
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凌力爾特展示能量捕獲與轉(zhuǎn)化IC

除了依靠太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電來獲取能量外，依靠溫度差或振動(dòng)也可獲取能量，例如煙囪里的溫度差，電梯的機(jī)械振動(dòng)。收集來自溫差裝置、機(jī)械振動(dòng)產(chǎn)生的能量可完全免除增設(shè)有線電源或電池的需要?，F(xiàn)在，眾多的無線傳感器、遠(yuǎn)程監(jiān)視器和其他低功率應(yīng)用正在使用這種能量收集技術(shù)作為電源。本屆研討會中，凌力爾特應(yīng)用技術(shù)工程經(jīng)理盧志豪介紹了新型模擬 IC 解決方案，該方案可從多種“免費(fèi)”能源對能量進(jìn)行收集。置于能源之上的合適換能器負(fù)責(zé)提供一個(gè)電信號，此IC對其進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并通過調(diào)理使之成為可用功率，以在使用極少外部組件的情況下提供高效功率轉(zhuǎn)換。

基美電子聚合物鉭電容可替代傳統(tǒng)鉭電容

基美電子市場部總監(jiān)陳文全介紹了工作溫度可達(dá)200℃的MLCC，適用于新能源汽車和鉆井。可替代鉭電容的高頻響應(yīng)Low ESR 聚合物電容、高可靠度軍用級聚合物電容、薄膜及電解電容適合在新能源汽車、太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電和照明領(lǐng)域應(yīng)用。

羅姆重點(diǎn)推介SiC器件效率高、耐高溫

SiC功率器件是一種新型功率器件，SiC的導(dǎo)通電阻只有Si的1/5，開關(guān)速度高，在250度高溫可正常工作，適用于太陽能發(fā)電，風(fēng)力發(fā)電等的DC/AC轉(zhuǎn)換器。羅姆已經(jīng)量產(chǎn)了SiC制SBD、DMOS，正在推進(jìn)新一代SiC制Trench MOS的開發(fā)。而且，羅姆成功地進(jìn)行了高速、高溫工作的SiC功率模塊的試制。同時(shí)，羅姆計(jì)劃將推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模塊）產(chǎn)品。羅姆株式會社新材料元件研發(fā)中心經(jīng)理中村孝與工程師陳彬在西安站介紹了羅姆SiC的性能與研發(fā)應(yīng)用狀況。

羅姆無需電解電容的LED驅(qū)動(dòng)IC BD555成為亮點(diǎn)

羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司設(shè)計(jì)中心LED照明中國區(qū)高級工程師潘少聰在成都站介紹了羅姆無需電解電容的LED驅(qū)動(dòng)IC BD555，該IC兼容Triac調(diào)光、PWM調(diào)光和線性調(diào)光。BD555集成了照明專用的數(shù)字邏輯控制模塊，無需增加外圍元件即可實(shí)現(xiàn)LED恒流。

英飛凌科技IGBT模塊實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，優(yōu)化太陽能逆變器設(shè)計(jì)

英飛凌工業(yè)功率器件部高級應(yīng)用工程師趙振波介紹了應(yīng)用IGBT模塊實(shí)現(xiàn)高功率密度的設(shè)計(jì)要求。首先，IGBT器件處于安全工作區(qū)無疑是選型和應(yīng)用的基本要求，也是高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。通常高功率密度意味著系統(tǒng)工作點(diǎn)將更靠近IGBT的安全工作區(qū)的邊緣。其次，高功率密度將帶來在有限的冷卻面積下更大的功耗，熱設(shè)計(jì)和管理是至關(guān)重要，改善冷卻條件，增加輸出電流。最后，功率循環(huán)周次和熱循環(huán)周次作為可靠性和使用壽命的主要指標(biāo)，在高功率密度條件下如何考慮，趙振波結(jié)合CAV應(yīng)用和風(fēng)能的應(yīng)用加以說明和解釋。

最后，來自品佳電子的工程師楊龍和彭裔天介紹了目前主流太陽能逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中英飛凌半導(dǎo)體功率器件IGBT，MOSFET，SIC Diode的運(yùn)用。

經(jīng)過三年的運(yùn)作，新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會，已經(jīng)成為中國新能源與高能效設(shè)計(jì)領(lǐng)域的重要技術(shù)論壇，每年覆蓋深圳、上海、成都和西安等電子行業(yè)重鎮(zhèn)，成為中國電子行業(yè)備受關(guān)注的技術(shù)盛會。