- 小電流可控硅固體開關的研制
- 串聯(lián)開關的驅動(控制)電路
- 變壓器設計
由于固體開關在加速器、雷達發(fā)射機、高功率微波、污染控制、醫(yī)用等軍民用領域具有較明顯的潛在優(yōu)勢，美、英、日等國均對固體開關技術進行了大量研究。根據(jù)應用要求的不同，固體開關中單元功率器件也不盡相同。若要求固體開關具有很快的開關速度和高重復頻率，單元器件一般采用功率場效應管(PowerM0SFET)或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）。對單個脈沖放電或低頻充放電時所用的開關，用可控硅串聯(lián)即可實現(xiàn)。
可控硅是以“小控制大”的功率開關器件，用一個小的控制電流控制門極完成電路中電流控制作用，具有體積小、重量輕、低功耗、長壽命等優(yōu)點。為了降低串聯(lián)的可控硅數(shù)量，應盡可能地選取耐壓較高的可控硅，同時綜合考慮價格因素。我們選取了意法半導體(ST)的可控硅TYNl225，單管耐壓可達l200V，且價格便宜。
本文通過脈沖變壓器隔離控制28個串聯(lián)可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關，對固體開關的串聯(lián)技術進行了試驗研究，并討論了串聯(lián)電路所涉及到的觸發(fā)信號的高壓隔離技術、驅動信號同步技術以及功率器件的動態(tài)靜態(tài)均壓技術。實驗電路如圖1所示。
1串聯(lián)開關的驅動(控制)電路
為保證同步觸發(fā)，系統(tǒng)中所有開關的觸發(fā)信號必須來自同一個信號源。手冊給出使TYNl225導通的門極閾值電壓Vgt低于1.5V，閾值電流Igt低于40mA。它可直接用變壓器觸發(fā)，不需額外的驅動電路。當撤掉晶閘管門極觸發(fā)信號后，要使它保持導通，流經(jīng)它的電流必須大于某個值，這個值就是它的維持電流。在本實驗中晶閘管導通時，電流最高僅為1mA，低于TYN1225的維持電流(幾十個mA)，因此采取的方式是觸發(fā)信號到來之后始終加一直流電壓在它的門極來驅動保持其導通。
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本實驗的控制信號由信號發(fā)生器提供，信號發(fā)生器輸出50kHz的方波，經(jīng)過功率MOSFET/IGBT驅動芯片IXDN414得到同頻率的驅動信號來驅動MOSFETAPT10026，隨著APTl0026的通斷，變壓器的初級上產(chǎn)生近似方波的信號，由于變壓器各個次級繞組完全一致，所以，在次級得到一致的多個信號來控制串聯(lián)的可控硅同步導通。
IXDN414是lXYS公司出品的高速MOSFET/IGBT門極驅動器，它的輸入兼容TTL與CMOS信號。本設計中通過凋節(jié)信號發(fā)生器的輸出方波的幅度來控制IXDN414的輸出。當信號發(fā)生器輸出的方波幅值存IXDN414輸入端的低電平范圍內時，IXDN414的輸出始終為低電平；調節(jié)信號發(fā)生器，使輸出幅值進入IXDN414輸入端的高電平范圍，IXDN414便輸出50kHz的方波信號，此信號驅動APT10026，變壓器的初級上便有了圖2所示的驅動信號。
2變壓器設計
在脈沖變壓器隔離控制的可控硅固體開關中，變壓器的設計非常重要，要求次級信號嚴格一致。當變壓器初級有了圖2所示的方波信號時，由于變壓器的漏感漏電容的存在，次級繞組的電壓波形如圖3所示，它與圖2有稍許差異。當它經(jīng)橋堆整流時，在每個橋臂上均會產(chǎn)生一定壓降，經(jīng)過晶閘管門極限流電阻后，可控硅門極的電壓不到1V(對陰極)，實驗證明這個電壓能很好地促使可控硅保持導通。
為了保證驅動信號的一致性，應盡量減少各種分布參數(shù)的影響。選取合適的磁芯，減少變壓器繞組匝數(shù)是一種方法。選取μr較大的磁芯，這樣單匝線圈的電感量比較大，就可以減少繞組匝數(shù)。我們設汁的變壓器處、次級匝數(shù)比為4：1，初級有4匝，因而次級只用了l匝。實驗證明這樣非常好地保證了次級繞組的一致性，同時由于線圈的減少也有效地控制了變壓器的體積。變壓器的初級電感量必須足夠大，如果感抗太小，遠低于負載等效阻抗，可以看作近似短路，將會燒毀前面的APT10026。實際制作的變壓器初級電感Lp在50kHz時大約為600μH。不考慮漏感等影響因素，感抗ωLp=2π50k600μH=60πΩ。
當可控硅導通不一致時，會出現(xiàn)一種情況：高壓源直接加于變壓器的兩組次級繞組上。這就要求變壓器初級和次級間、各次級相互之間均能夠承受足夠高的電壓。本文將變壓器任意兩個次級繞組間耐壓設汁為21kV，可以承受電源最大電壓，這就保證了變壓器不會被擊穿。
