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HiSIM-IGBT:廣島大學(xué)開發(fā)并公開了IGBT模型

發(fā)布時(shí)間:2010-05-17 來(lái)源:技術(shù)在線

產(chǎn)品特性:
  • 可以精確表達(dá)兩個(gè)晶體管之間的相互作用
  • 使設(shè)計(jì)高精度電路成為可能
應(yīng)用范圍:
  • 電路設(shè)計(jì)

廣島大學(xué)HiSIM研究中心的研究小組開發(fā)了IGBT(insulated gate bipolar transistor)電路設(shè)計(jì)和檢測(cè)用模型“HiSIM-IGBT”,并于近日在該大學(xué)向新聞媒體作了發(fā)布。并披露,已經(jīng)面向車載集成電路設(shè)計(jì)人員等公開了該模型。


發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng) 右邊是廣島大學(xué)的三浦道子(研究生院尖端物質(zhì)科學(xué)研究科教授兼HiSIM研究中心中心負(fù)責(zé)人)

廣島大學(xué)從2005年開始就一直與豐田和豐田中央研究所共同研究普通車載用IGBT(insulated gate bipolar transistor)的模型。IGBT組合使用了雙極晶體管和MOSFET,而聯(lián)合研究小組則推導(dǎo)出可不分離這兩個(gè)晶體管,而整體模擬IGBT的模型公式,從而開發(fā)出了HiSIM-IGBT。制成一體化模型是為了精確表達(dá)兩個(gè)晶體管之間的相互作用。


IGBT和HiSIM-IGBT

HiSIM-IGBT以廣島大學(xué)和半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心(STARC)聯(lián)合開發(fā)的MOSFET模型“HiSIM(Hiroshima-university STARC IGFET Model)”為骨架,并統(tǒng)合了雙極晶體管模型。據(jù)介紹,采用HiSIM-IGBT使設(shè)計(jì)高精度電路成為可能,有望大幅推進(jìn)能源利用的高效率化。


HiSIM系列的標(biāo)準(zhǔn)化動(dòng)向

模型的精度和穩(wěn)定性評(píng)測(cè)已完成,已達(dá)到可公開的程度。據(jù)稱,有為模型做嵌入式評(píng)測(cè)的EDA工具供應(yīng)商已表示,即便是大電流電路和大電壓電路,也可以穩(wěn)定預(yù)測(cè)特性。廣島大學(xué)打算通過(guò)發(fā)布該模型,使更多的用戶利用,以便進(jìn)一步改進(jìn)。
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