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大師透漏:低電磁干擾原型建立的關(guān)鍵步驟

發(fā)布時(shí)間:2014-12-30 來源:Chang Fei Yee 是德科技 責(zé)任編輯:sherryyu

【導(dǎo)讀】電子工程師在設(shè)計(jì)電路產(chǎn)品的時(shí)候,最頭疼的就是電磁兼容測(cè)試這一關(guān)了,搞得好一次性通過,搞不好的可能就要重新來過。所以能夠建立一個(gè)低電磁干擾原型是很必須的,這樣就可以少了很多麻煩事,同時(shí)也能提高電子產(chǎn)品的通過率,做到高效,低成本。那么如何構(gòu)建低電磁干擾原型?有哪些關(guān)鍵步驟呢?
 
本文探討在微波暗室一致性測(cè)試之前構(gòu)建低電磁干擾(EMI)原型的關(guān)鍵步驟,包括設(shè)計(jì)低輻射的電路以及預(yù)兼容檢測(cè)。預(yù)兼容檢測(cè)包括使用三維電磁場(chǎng)仿真軟件對(duì)印刷電路板(PCB)版圖模型進(jìn)行仿真及EMI分析,再使用頻譜分析儀(SA)對(duì)原型PCB進(jìn)行近場(chǎng)電磁掃描。最后,執(zhí)行微波暗室測(cè)試驗(yàn)證設(shè)計(jì)。
 
最低EMI電路設(shè)計(jì)
 
要確保低輻射發(fā)射(RE),設(shè)計(jì)電路原理圖和PCB版圖時(shí)必須應(yīng)用最佳實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),包括為供電回路、USB數(shù)據(jù)線、以太網(wǎng)等信號(hào)添加鐵氧體磁珠以過濾EMI。此外,供電回路上適當(dāng)放置充足數(shù)量的去耦合電容器可以最大限度地減少電源分配網(wǎng)絡(luò)阻抗,進(jìn)而降低數(shù)字負(fù)載產(chǎn)生的噪聲紋波幅度,并減少輻射風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),優(yōu)化開關(guān)電源的閉合回路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定閉合回路,能夠確保電壓輸出可控,并最大幅度地降低開關(guān)噪聲紋波幅度。噪聲紋波幅度降低可以顯著抑制原型的EMI風(fēng)險(xiǎn)。
 
高頻或快上升/下降沿信號(hào)的PCB走線應(yīng)參考連續(xù)回路(例如參考地平面),以降EMI風(fēng)險(xiǎn)。走線不能經(jīng)過任何分割平面和孔洞。如果信號(hào)需要通過過孔完成層間傳輸,緊鄰信號(hào)過孔位置應(yīng)放置至少一個(gè)接地過孔,作為信號(hào)電流從接收端返回發(fā)射端的回流路徑。如果沒有適當(dāng)?shù)幕亓髀窂?,返回電流可能在PCB中隨意傳輸,成為潛在的EMI源。
 
出色的接地方案也是最大限度降低EMI的關(guān)鍵因素。所有PCB設(shè)計(jì)都必須避免接地回路,因?yàn)榉祷匦盘?hào)電流經(jīng)過時(shí)接地回路將形成輻射發(fā)射機(jī)。設(shè)計(jì)接地為寬參考面可以構(gòu)建出色的接地方案。不同電路組(例如射頻、模擬和數(shù)字電路)的地平面應(yīng)當(dāng)物理隔離,并通過鐵氧體磁珠建立電路連接,以幫助防止高頻噪聲在電路組之間傳播。
 
完成PCB版圖設(shè)計(jì)后應(yīng)執(zhí)行仿真進(jìn)行EMI分析,以便在制造前確保PCB具有較低的輻射發(fā)射風(fēng)險(xiǎn)。省略EMI仿真可能無法保證PCB的EMI性能,會(huì)導(dǎo)致重新設(shè)計(jì)。如果EMI仿真結(jié)果符合技術(shù)規(guī)范要求,設(shè)計(jì)人員即可開始PCB制造,然后使用頻譜分析儀對(duì)原型PCB執(zhí)行近場(chǎng)電磁掃描。EMI仿真和近場(chǎng)電磁掃描等預(yù)兼容檢測(cè)可以增加設(shè)計(jì)人員的信心,確信原型具有較低的EMI。完成預(yù)兼容檢測(cè)后,被測(cè)器件即可執(zhí)行實(shí)際微波暗室EMI一致性測(cè)試。
 
仿真EMI分析
 
完成PCB版圖設(shè)計(jì)后,將版圖文件導(dǎo)入EMPro 2013.07 執(zhí)行3D EMI仿真。選擇差分信號(hào)進(jìn)行有限元法(FEM)三維電磁場(chǎng)仿真。三維電磁場(chǎng)仿真是設(shè)置電磁邊界條件和模型網(wǎng)格尺寸并求解麥克斯韋方程的過程。為確保仿真結(jié)果精度,邊界尺寸應(yīng)設(shè)為 PCB厚度的8倍以上,網(wǎng)格尺寸應(yīng)設(shè)為PCB寬度的1/5以下。運(yùn)行三維電磁場(chǎng)的計(jì)算機(jī)需要配置16G以上的內(nèi)存和100G以上的存儲(chǔ)容量,以確保分析順利進(jìn)行。
 
設(shè)置遠(yuǎn)場(chǎng)傳感器捕獲發(fā)射電磁場(chǎng),并利用EMPro的EMI仿真模版計(jì)算遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)射功率,然后設(shè)置10m距離的電場(chǎng)探頭,繪制頻域響應(yīng)圖。再執(zhí)行時(shí)域有限差分法(FDTD)模式的三維電磁場(chǎng)仿真,并與FEM模式的仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。
 
參見30MHz~1GHz頻率的電場(chǎng)強(qiáng)度仿真圖(圖1)(電場(chǎng)強(qiáng)度單位dBμV,頻率單位GHz),輻射功率電平(藍(lán)色曲線為FEM模式仿真,紅色曲線為FDTD模式仿真)低于約45dBμV的FCC最大閾值(綠色虛線)。
仿真EMI圖。
圖1:仿真EMI圖。
 
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近場(chǎng)電磁測(cè)量
 
制成并組裝原型PCB后,使用頻譜分析儀對(duì)原型進(jìn)行近場(chǎng)電磁掃描。連接頻譜分析儀的單匝線圈捕獲原型發(fā)射的近區(qū)電磁場(chǎng)。圖2是30MHz~1GHz頻率范圍的頻域信號(hào)(電磁場(chǎng)功率電平單位dB,頻率單位Hz)。
電磁掃描測(cè)量圖。
圖2:電磁掃描測(cè)量圖。
 
400MHz附近時(shí)出現(xiàn)最大功率強(qiáng)度(-66.4dBm)的尖峰。作為近區(qū)傳感器的線圈在距離被測(cè)器件3英寸的范圍內(nèi)移動(dòng)。30kHz的頻譜分析儀分辨率帶寬可以實(shí)現(xiàn)低本底噪聲(-80dBm)測(cè)量,因此尖峰(不同離散頻率的輻射)清晰可見。要增強(qiáng)原型通過微波暗室遠(yuǎn)場(chǎng)(3m和10m)EMI一致性測(cè)試的信心,近區(qū)功率峰值應(yīng)低于-65dBm。
 
EMI一致性測(cè)試
 
圖3為原型在微波暗室的3m遠(yuǎn)場(chǎng)EMI一致性測(cè)試結(jié)果。紅線顯示的是CISPR 11 A類最大輻射發(fā)射功率電平:30MHz~1GHz頻率范圍內(nèi)低于56dBμV。紅線下方的棕色曲線表示是德科技(原安捷倫)EMC指南中規(guī)定的保護(hù)頻段。輻射波的垂直和水平分量分別由藍(lán)色和綠色曲線表示。400MHz和560MHz頻率時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)分別為38dBμV 和37 dBμV的功率峰值,均低于最大閾值。
3m輻射發(fā)射測(cè)量結(jié)果
圖3:3m輻射發(fā)射測(cè)量結(jié)果。
 
總結(jié)
 
低EMI電路設(shè)計(jì)和預(yù)兼容檢測(cè)(例如三維EMI仿真和近場(chǎng)電磁掃描)十分重要,可以避免不必要的PCB重新制造,節(jié)省開發(fā)成本和時(shí)間,并且能夠縮短微波暗室EMI一致性測(cè)試時(shí)間,確保電子器件按時(shí)甚至提前投放市場(chǎng)。
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