中心議題：

• 分析電力電子設(shè)備中傳導(dǎo)電磁干擾噪聲產(chǎn)生的機(jī)理
• 分析討論幾種主要EMI噪聲源建模和測(cè)量方法
• 采用雙電流探頭法進(jìn)行驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)并實(shí)際測(cè)量了噪聲源內(nèi)阻抗，結(jié)果較滿意

解決方案：

• 對(duì)EMI傳導(dǎo)噪聲進(jìn)行濾波，提高EMC性能，降低電磁干擾
• 采用雙電流探頭法，具有較好的精度
  

引言
電力電子設(shè)備作為電源與控制設(shè)備，由于進(jìn)行電能變換時(shí)的高效率而在許多行業(yè)得到了廣泛的應(yīng)用，在電力電子設(shè)備為人類生產(chǎn)、生活帶來(lái)巨大便利的同時(shí)，因其開(kāi)關(guān)工作方式，使電磁兼容性能受到挑戰(zhàn)，一方面，不良的電磁兼容性能不僅對(duì)外造成干擾，影響其它設(shè)備的正常工作，另一方面，電力電子設(shè)備本身也會(huì)受到電磁干擾的影響，使其可靠性下降，如何降低電磁干擾，提高電磁兼容性已成為迫在眉睫的問(wèn)題，傳統(tǒng)的方法是采用濾波技術(shù)，但是EMI(電磁干擾)濾波器設(shè)計(jì)的必要前提是對(duì)電力電子設(shè)備EMI噪聲源的測(cè)量與分析，本文詳細(xì)介紹了電力電子設(shè)備EMI噪聲源的測(cè)量與分析。
　　
EMI噪聲源產(chǎn)生機(jī)理
電力電子設(shè)備產(chǎn)生的電磁干擾通過(guò)傳導(dǎo)和輻射耦合到敏感設(shè)備，在電力電子設(shè)備中，傳導(dǎo)是電力電子設(shè)備干擾傳播的重要途徑，也是在電磁兼容技術(shù)中應(yīng)著重考慮的。

電力電子設(shè)備的干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)器件以及與之相連的散熱器和高頻變壓器上，電力電子設(shè)備高功率密度、高電流/電壓變化率的特點(diǎn)導(dǎo)致其EMI問(wèn)題特別嚴(yán)重。
 
電力電子設(shè)備中功率器件的快速通斷產(chǎn)生了較大的dv/dt和di/dt，一方面在布線電感上產(chǎn)生了很大的尖峰電壓Ldi/dt，疊加在開(kāi)關(guān)管兩端，提高了開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力；另一方面，由于電路中存在寄生參數(shù)，和dv/dt、dildt相互作用產(chǎn)生了高頻噪聲電流，形成了很強(qiáng)的電磁干擾，
 
電力電子設(shè)備電磁干擾源的位置較為清楚，主要集中在功率開(kāi)關(guān)器件、二極管以及與之相連的散熱器和高頻變壓器上，另外印制板布線不當(dāng)也是引起電磁干擾的一個(gè)主要因素為了散熱，功率器件MOSFET的漏極、源極和金屬外殼之間有一個(gè)很薄的絕緣層，金屬外殼和散熱器緊緊貼在一起，由于安全原因和機(jī)械結(jié)構(gòu)的考慮，散熱器通常接地，這就使得MOSFET的漏極、源極和地之間存在寄生電容，當(dāng)功率器件快速通斷時(shí)，共模電流流過(guò)開(kāi)關(guān)管對(duì)地的寄生電容，
 
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，高頻變壓器的漏感所產(chǎn)生的反電勢(shì)E＝-Ldi/dt，其值與漏極的電流變化率di/dt以及漏感量成正比，疊加在開(kāi)關(guān)管兩端，形成關(guān)斷電壓尖峰，增大了dv/dt，

輸出整流二極管對(duì)地存在寄生電容，當(dāng)MOSFET通斷時(shí)，共模電流流過(guò)輸出整流二極管對(duì)地的寄生電容，另外當(dāng)輸出整流二級(jí)管截止時(shí)，二極管反向恢復(fù)電流在變壓器漏感和其他分布參數(shù)的影響下將產(chǎn)生額外的高頻噪聲。

根據(jù)傳導(dǎo)干擾方式的不同，可以把電磁干擾源分為共模(CM)和差模(DM)兩種形式，它們產(chǎn)生的內(nèi)部機(jī)理有所不同，共模干擾是指通過(guò)相線、對(duì)地寄生電容，再由地形成的回路干擾，它主要是由較高的dv/dt與寄生電容間的相互作用而產(chǎn)生的高頻振蕩；差模干擾是指相線之間的干擾，直接通過(guò)相線與電源形成回路，它主要是由電力電子設(shè)備產(chǎn)生的脈動(dòng)電流引起的，差模和共模干擾各自的回路，差模干擾電流為1DM，共模干擾電流。
　　
傳導(dǎo)EMI噪聲源建模分析
EMI濾波器是抑制電磁干擾的有效措施，但目前國(guó)內(nèi)外進(jìn)行EMI濾波器設(shè)計(jì)時(shí)，事先并不知道噪聲源的內(nèi)部干擾源和阻抗，設(shè)計(jì)時(shí)往往忽略了噪聲源的內(nèi)阻抗，進(jìn)行一種通用的EMI濾波器設(shè)計(jì)，由于各噪聲源的內(nèi)阻抗并不相同，而干擾源阻抗和濾波器阻抗之間的匹配關(guān)系直接影響到濾波器的濾波效果，因此，準(zhǔn)確估計(jì)電力電子設(shè)備內(nèi)部阻抗對(duì)于電磁干擾的有效抑制有著重要意義.

目前噪聲源阻抗測(cè)量主要有以下幾種方法：
a.諧振法
諧振法通過(guò)加入電感器并使之與設(shè)備傳導(dǎo)干擾的等效內(nèi)阻抗發(fā)生諧振，從諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)推知電磁干擾的等效阻抗，該方法的使用頻率段窄(≤1 MHz)且實(shí)施起來(lái)很繁瑣，具體原理如下：
若開(kāi)關(guān)電源噪聲源用諾頓等效電路表示，則(諧振測(cè)量的)原理電路。

為了測(cè)量開(kāi)關(guān)電源噪聲源等效電路的參數(shù)，在其前端并入開(kāi)關(guān)S，和可調(diào)負(fù)載電感L，如果將頻譜分析儀的寬頻電流探頭插入源和負(fù)載之間，則當(dāng)S關(guān)閉時(shí)，電流探頭可測(cè)得噪聲源流經(jīng)S。當(dāng)L打開(kāi)，調(diào)整L使整個(gè)回路諧振時(shí)，電流探頭可以測(cè)得流過(guò)L的諧振電流L注意這里L(fēng)是L和S的等效電感，并等效為并聯(lián)諧振電路，其Q值為：

b.插入損耗法
插入損耗法通過(guò)并入一個(gè)已知的電感，由插入損耗曲線得出設(shè)備傳導(dǎo)干擾等效內(nèi)阻抗的幅頻特性曲線， 如果在A和R之間加上濾波器通過(guò)R的噪聲電壓將會(huì)減小，這種變化定義為插入損耗.
 
該方法具有較好的理論基礎(chǔ)，但同樣存在阻抗相位測(cè)量精度低、未能提取出有效等效電磁干擾源的信息、適用頻段窄的缺點(diǎn)。
 
c.改進(jìn)的插入損耗法
該模型參數(shù)估計(jì)法在LISN和設(shè)備之間引入已知阻抗特性的濾波元件(串聯(lián)或者并聯(lián))，通過(guò)考查L(zhǎng)ISN端口干擾電壓和電流的變化關(guān)系計(jì)算出等效噪聲源和內(nèi)阻抗，以差模噪聲源和內(nèi)阻抗的估計(jì)方法為例：
首先將設(shè)備以浮地方式消除共模干擾的影響，當(dāng)并聯(lián)上阻抗Z后，在LISN側(cè)等效噪聲負(fù)載變 .

d.雙電流探頭法
該測(cè)定方法采用兩個(gè)電流探頭，一個(gè)作為注入式探頭，另一個(gè)作為檢測(cè)式探頭，通過(guò)仔細(xì)地校準(zhǔn)和測(cè)試，可以分別得到開(kāi)關(guān)電源在EMC規(guī)定范圍的各頻率點(diǎn)的CM、DM阻抗，并且具有較好的精度，
如圖5所示，雙電流探頭法測(cè)試的實(shí)驗(yàn)裝置包括了一個(gè)注入式電流探頭、一個(gè)檢測(cè)式電流探頭、一個(gè)信號(hào)發(fā)生器和一個(gè)頻譜分析儀，要測(cè)量的未知阻抗以b端的阻抗Z來(lái)表示，信號(hào)發(fā)生器輸出一正弦波信號(hào)V注入到注入式電流探頭，于是電路中就產(chǎn)生L的電流，頻譜分析儀可以檢測(cè)到L對(duì)檢測(cè)式電流探頭的作用結(jié)果，通過(guò)信號(hào)發(fā)生器不同頻率點(diǎn)輸出的調(diào)節(jié)，就可以在檢測(cè)式電流探頭端獲取不同頻率點(diǎn)的值，
　　
測(cè)量實(shí)驗(yàn)結(jié)果
本文基于電流探頭法對(duì)EMI噪聲源內(nèi)阻抗進(jìn)行了驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)裝置如圖7所示，其中兩個(gè)電容分別接在L—E線和N—E線之間，為使該電路的Z可重復(fù)進(jìn)行測(cè)量并盡量保持恒定，該兩電容必須固定在印刷電路板上，同時(shí)注入式和檢測(cè)式電流探頭在電路板上也必須有其固定位置，PCB與測(cè)試設(shè)備間的連線必須盡量的短，以減小導(dǎo)線布局引起的寄生效應(yīng)，這種位置固定的測(cè)試，其優(yōu)點(diǎn)是一旦電路校準(zhǔn)后，測(cè)得的Z不但適用于CM測(cè)試，同樣也適用于DM測(cè)試，可大大提高測(cè)試的速度。

驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)如下，取已知阻抗的電路元件作為被測(cè)試件進(jìn)行測(cè)試，將信號(hào)發(fā)生器輸出信號(hào)輸入到注入式電流探頭，有一導(dǎo)線穿過(guò)兩個(gè)電流探頭與待測(cè)阻抗構(gòu)成回路，檢測(cè)式電流探頭通過(guò)耦合將感應(yīng)到的信號(hào)輸人至放大器進(jìn)行放大，而后送人頻譜儀進(jìn)行檢測(cè)，圖中虛線由高頻阻抗儀(電子部41所生產(chǎn)的AV2782型)測(cè)量結(jié)果，實(shí)線是通過(guò)雙電流探頭法測(cè)量和分析后得到的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)阻抗儀測(cè)得結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)得結(jié)果吻合較好這說(shuō)明電流探頭法測(cè)試精度較高，可以用于噪聲源內(nèi)阻抗測(cè)量，
　　
結(jié)論 　　
電力電子設(shè)備由于電磁兼容性能差而影響了其廣泛應(yīng)用，因此提高EMC性能，降低電磁干擾就顯得十分重要，而其中EMI傳導(dǎo)噪聲濾波是有效方法之一，特別是EMI噪聲源的測(cè)定與分析是設(shè)計(jì)EMI濾波器的前提條件，本文詳細(xì)分析了電力電子設(shè)備中傳導(dǎo)電磁干擾噪聲產(chǎn)生的機(jī)理，然后分析討論了幾種主要EMI噪聲源建模和測(cè)量方法，同時(shí)采用雙電流探頭法進(jìn)行了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)并實(shí)際測(cè)量了噪聲源內(nèi)阻抗，結(jié)果較滿意，通過(guò)本文開(kāi)展的噪聲源建模研究，能準(zhǔn)確地反映裝置內(nèi)傳導(dǎo)干擾特性，有利于幫助設(shè)計(jì)人員認(rèn)清傳導(dǎo)干擾的性質(zhì)，指導(dǎo)EMI濾波器的設(shè)計(jì)，從而降低裝置對(duì)外傳導(dǎo)干擾發(fā)射，達(dá)到EMC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。