【導讀】基本來講，電容器能夠存儲電荷和更容易地通過較高頻率的交流電流，這是電容器的兩個最明顯的特性。然而，在非常高的頻率下，電容器的寄生參數如串聯電阻和電感會對電容器的理想性能產生極大的影響。
基本來講，電容器能夠存儲電荷和更容易地通過較高頻率的交流電流，這是電容器的兩個最明顯的特性。然而，在非常高的頻率下，電容器的寄生參數如串聯電阻和電感會對電容器的理想性能產生極大的影響。
理想電容器的數學描述是：隨著頻率的增加，阻抗|Z|趨近于零。實際測試則顯示，阻抗的頻率邊界與具體應用和元件本身有關。在該邊界處，電容器的等效串聯電感 (ESL) 會與自身形成LC諧振回路，這就是所謂的自諧振頻率(SRF)。在自諧振頻率范圍內，電容器會發(fā)揮應有的功用；超過這個頻率，電容器就開始像電感器一樣工作，從而阻礙交流電流。
圖 1. 電容器阻抗|Z|在達到自諧振頻率帶前后的表現
值得注意的是，電容器的Q因子通常在自諧振頻率處達到最小值，這一點至關重要。Q因子的定義是電容器的電抗與其等效串聯電阻 (ESR) 之比，是衡量效率的一個標準，尤其是在能量損耗方面。為獲得最佳性能，操作應保持在此頻率以下。
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