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無源器件,電容并不總是容性的!

發(fā)布時間:2023-09-15 責任編輯:lina

【導讀】在理想元件理論中,電容表現(xiàn)為容性。然而,這僅在特定的工作條件下成立,且取決于頻率范圍。本文重點介紹不同電容的阻抗特性,并說明電容何時會表現(xiàn)為容性,何時不表現(xiàn)為容性。


在理想元件理論中,電容表現(xiàn)為容性。然而,這僅在特定的工作條件下成立,且取決于頻率范圍。本文重點介紹不同電容的阻抗特性,并說明電容何時會表現(xiàn)為容性,何時不表現(xiàn)為容性。


通常用阻抗和頻率來表示電容的頻率特性。通過研究這些頻譜,可獲得大量電化學、物理和技術(shù)相關(guān)信息 [2]。由于在某些情況下,產(chǎn)品規(guī)格書無法提供所有數(shù)據(jù),工程師們不得不依靠測得的頻譜為電路設計選擇合適的元件。為了盡可能完善數(shù)據(jù)庫,伍爾特電子 (Würth Elektronik eiSos, WE) 采用在線工具 REDEXPERT [1] 為用戶提供頻譜和其他測量數(shù)據(jù)。

 

通過圖 1 所示的電路,幾乎可以對所有類型電容阻抗與頻率的變化關(guān)系進行建模,包括多層陶瓷電容 (MLCC) 和超級電容 (SC)。


 

無源器件,電容并不總是容性的!

圖 1 電容的標準等效電路,包含電容 CS、等效串聯(lián)電阻 RESR、等效串聯(lián)電感 LESL 和漏電阻 RLeak。


公式中的 CS 代表純電容,它并不實際存在于任何電氣元件中。任何實際存在的電容都有損耗,因此會降低充電速度。這種現(xiàn)象可以用純等效串聯(lián)電阻 RESR 來描述,同時負載和導線的電阻也會影響等效串聯(lián)電阻。金屬導體中的任何交變電流都會感應出一個與電流方向相反的磁場,這種特性可以用等效串聯(lián)電感LESL描述。


CS、RESR 和 LESL 是描述所有頻譜所需的關(guān)鍵參數(shù)。在最簡條件下它們被假定為常數(shù),不隨頻率變化。漏電流可由純電阻 RLeak 近似表述。通常情況下,RLeak 比 RESR 大幾個數(shù)量級,可忽略不計 [2]。 


通過改變 CS、RESR、LESL 和 RLeak,可以計算出所有電容的基本頻率響應。圖 2 和圖 3分別顯示了電容值為 4.7 μF 和 50 F 時的阻抗和電容頻率特性。

  

無源器件,電容并不總是容性的!

圖 2 根據(jù)標準模型計算的阻抗譜|Z ? |:WCAP-FTBE(上),WCAP-STSC(下)。


這兩個示例的參數(shù)分別對應于伍爾特電子產(chǎn)品組合中的以下元件:


超級電容 (WCAP-STSC):CS = 50 F,RESR = 15 m?,LESL = 5 nH,RLeak = 10 M?;


薄膜電容 (WCAP-FTBE):CS = 4.7 μF,RESR = 5 m?,LESL = 5 nH,RLeak = 10 M?。

 

無源器件,電容并不總是容性的!

圖 3 根據(jù)模型計算得出的電容頻譜 Re(C ?)。WCAP-STSC 曲線(紅)對應于左側(cè)縱坐標,WCAP-FTBE 曲線(藍)對應于右側(cè)縱坐標。


一般來說,頻譜中的關(guān)鍵點可由以下四個特征頻率表述:


RESRC 元件的特征頻率(等式 1):


無源器件,電容并不總是容性的!



洛倫茲振蕩:fRC > fLC,CS = 4.7μF 時;以及


德拜弛豫:fRC < fLC,CS = 50 F 時。


圖 2中的黑藍虛線表示純電容和寄生電感部分。RC 元件的特征頻率 fRC 為電容的充放電頻率。 


當頻率為 fRC 時,超級電容的頻率特性曲線(圖 3)呈肩狀突起。低于該頻率時,可從圖表中得出容值。高于 fRC 時,下圖 3中所示的阻抗譜在 RESR 時趨于平穩(wěn)。


fLC 為 LC 元件的特征頻率,即寄生電感和電容耦合產(chǎn)生共振的頻率(fRC > fLC ),如上圖 2所示。低于該頻率時,電容器表現(xiàn)為容性,即它可以儲存電荷;高于該頻率時,電容表現(xiàn)為感性。如上圖 2所示,自諧振導致阻抗譜 (WCAP-FTBE) 出現(xiàn)極小值。阻抗譜的最小值即 RESR 值。在具體應用中,電容不應在 fLC 及以上頻率下工作。物理過程詳見 [2]。


fLeak 是 RLeakC 元件的特征頻率。低于該頻率時,電容表現(xiàn)為阻值為 RLeak 的電阻。

 

fRL 為 RESRL 元件的特征頻率,高于該頻率時,電容表現(xiàn)為電感值為 LESL 的電感(圖 3,下),導致高頻時阻抗升高。


這兩個例子闡述了一個相對簡單的模型,用于說明高容值和低容值電容的表現(xiàn) [2]。其中,特征頻率是重要的分析工具,可以作為解讀電容實測頻率特性的準則。


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