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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

發(fā)布時間:2023-08-21 責任編輯:lina

【導讀】隨著設備變得越來越小,電源也需要跟上步伐。因此,當今的設計人員有一個優(yōu)先目標:化單位體積的功率(W/mm 3)。實現(xiàn)這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性,并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作,但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。


使用 SiC 柵極驅(qū)動器可以減少 30% 的能量損耗,同時限度地延長系統(tǒng)正常運行時間。

Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)動器,用于工業(yè)市場的高效電源。該公司聲稱,與競爭解決方案相比,新設備的功耗降低了 30%,碳足跡降低了 30%。

系統(tǒng)制造商對提高其設計的電源效率越來越感興趣;能源效率和降低成本的結(jié)合對于市場領導地位變得至關重要。從半導體材料的角度來看,這一領域已經(jīng)取得了相當大的進展,現(xiàn)在已經(jīng)有了可以高速開關的產(chǎn)品,提高了系統(tǒng)級效率,同時縮小了解決方案尺寸。

隨著設備變得越來越小,電源也需要跟上步伐。因此,當今的設計人員有一個優(yōu)先目標:化單位體積的功率(W/mm 3)。實現(xiàn)這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性,并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作,但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。

帶隙、擊穿場、熱導率、電子遷移率和電子漂移速度等特性是工程師可以從使用 GaN 和 SiC 等 WBG 半導體中獲得的主要優(yōu)勢?;赪BG 半導體的功率開關模塊的優(yōu)點包括高電流密度、更快的開關和更低的漏源電阻(R DS(on) )。

SiC 將決定多種工業(yè)應用的功率速率。它的帶隙為 3.2 電子伏特 (eV),在導帶中移動電子所需的能量可提供比相同封裝規(guī)模的硅更高的電壓性能。SiC 較高的工作溫度和高導熱性支持高效的熱管理。

許多開關電源應用正在采用 SiC 解決方案來提高能源效率和系統(tǒng)可靠性。


適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
圖 1:隔離式柵極驅(qū)動器的一般框圖


電源中的高開關頻率會導致產(chǎn)生噪聲瞬變的操作困難,從而導致整個系統(tǒng)效率低下。與硅的化學結(jié)構相比,新技術的化學結(jié)構使得新器件具有低電荷和快速開關的特性。

隔離柵極驅(qū)動器廣泛用于驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 并提供電流隔離。MOSFET 和 IGBT 的開關頻率通常高于 10 kHz。然而,基于 SiC 和 GaN 的系統(tǒng)可以在更高的開關頻率下運行,并且在轉(zhuǎn)換過程中不會出現(xiàn)顯著的功率損耗。顯著的優(yōu)點是尺寸減小和變形更少(圖 1)。

快速開關會產(chǎn)生噪聲瞬變,從而導致閂鎖,從而導致調(diào)制損失甚至性系統(tǒng)損壞。為了解決這個問題,需要提高用于驅(qū)動系統(tǒng)的元件的抗噪聲能力。此外,與開關相關的功耗和傳導損耗會產(chǎn)生必須通過散熱器散發(fā)的熱量,從而增加了解決方案的尺寸。

這些瞬變的強度可能是由寄生脈沖門的驅(qū)動電路引起的,從而導致短路情況。控制功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路必須設計成能夠承受這些噪聲源,從而避免二次短路。驅(qū)動器電路承受共模噪聲瞬態(tài)的能力是其共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI),以 kV/μs 表示。CMTI 是所有處理兩個獨立接地參考(隔離柵極驅(qū)動器)之間差分電壓的柵極驅(qū)動器的關鍵參數(shù)。

了解和測量對這些瞬變的敏感度是設計新電源的重要一步。隔離柵上的電容為快速瞬變穿過隔離柵并破壞輸出波形提供了路徑。

Maxim Integrated 的新型MAX22701E驅(qū)動器具有 300kV/μs 的高 CMTI,從而延長系統(tǒng)正常運行時間。該驅(qū)動器專為高功率工業(yè)系統(tǒng)中的開關電源而設計,例如太陽能逆變器、電機驅(qū)動器和儲能系統(tǒng)。MAX22701E 與 SiC 和 GaN 兼容,可驅(qū)動基于任一 WBG 材料的 FET。據(jù)該公司稱,其技術規(guī)格減少了停機時間和能源損失。

MAX22701E 采用八引腳 (3.90 × 4.90mm) 窄體 SOIC 封裝,工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C (圖 2)。


  適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
圖 2: MAX22701E 框圖(圖片Maxim Integrated)


高 CMTI 決定驅(qū)動器兩側(cè)的正確操作,限度地減少錯誤,從而增強所用柵極驅(qū)動器的魯棒性。CMTI 是與隔離器相關的三個關鍵特性之一。其他是傳播延遲匹配和工作電壓。據(jù)Maxim Integrated稱,MAX22701E提供業(yè)界的器件間傳播延遲匹配,高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器之間的傳播延遲匹配為5 ns(值)。這有助于限度地減少晶體管的死區(qū)時間并限度地提高電源效率。該器件提供 3 kV rms的電流隔離,持續(xù) 60 秒。

Maxim 工業(yè)和醫(yī)療保健業(yè)務部業(yè)務經(jīng)理 Suravi Karmacharya 表示:“隨著 SiC 和 GaN 等功率半導體器件的不斷進步和采用,行業(yè)正在轉(zhuǎn)向更節(jié)能、更可靠的解決方案。”融合的?!芭c傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT 解決方案相比,該設備需要越來越高性能的開關頻率,并在開關瞬態(tài)時具有高 dV/dt 特性。我們的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器提供了一種解決方案,可限度地提高系統(tǒng)電源效率并增加嘈雜環(huán)境中的正常運行時間?!?/p>


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