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溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

發(fā)布時(shí)間:2022-02-22 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】電阻溫度系數(shù)(TCR),也稱(chēng)RTC,是一種性能特征,在很大程度上受電阻結(jié)構(gòu)影響,阻值極低,并且不同的測(cè)試方法會(huì)產(chǎn)生不一樣的結(jié)果。本文將重點(diǎn)介紹影響這一指針的結(jié)構(gòu)和技術(shù)特點(diǎn),以及如何更好地理解這一電阻性能參數(shù)。


電阻溫度系數(shù)(TCR),也稱(chēng)RTC,是一種性能特征,在很大程度上受電阻結(jié)構(gòu)影響,阻值極低,并且不同的測(cè)試方法會(huì)產(chǎn)生不一樣的結(jié)果。本文將重點(diǎn)介紹影響這一指針的結(jié)構(gòu)和技術(shù)特點(diǎn),以及如何更好地理解這一電阻性能參數(shù)。


因果關(guān)系

電阻是多種因素共同作用的結(jié)果,這些因素導(dǎo)致電子運(yùn)動(dòng)偏離金屬或金屬合金晶格理想路徑。


晶格缺陷或不完整會(huì)造成電子散射,從而延長(zhǎng)行程,增加電阻。以下情況造成這種缺陷和不完整:


因熱能在晶格中移動(dòng)

晶格中存在不同原子,如雜質(zhì)

部分或完全沒(méi)有晶格(非晶結(jié)構(gòu))

晶界無(wú)序區(qū)

晶體缺陷和缺陷

TCR以ppm/℃為單位測(cè)量,是上述缺陷熱能部分的特征,不同材料之間差異很大(參見(jiàn)表1)。當(dāng)溫度恢復(fù)到基準(zhǔn)溫度時(shí),這種電阻變化的影響恢復(fù)原狀。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

表1:不同電阻層材料TCR,單位為ppm/℃


TCR影響的另一種可見(jiàn)形式是材料的溫度膨脹率。以?xún)蓚€(gè)分別長(zhǎng)100m的不同棒料A和B為例,棒料A的長(zhǎng)度變化率為+500ppm/℃,棒料B的變化率為+20ppm/℃。145℃溫變下,棒料A長(zhǎng)度增加7.25m,而棒料B的長(zhǎng)度僅增加0.29m。以圖1比例圖(1/20)直觀顯示這種差異。棒料A的長(zhǎng)度明顯變化,棒料B看不出有什么不一樣。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

圖1:比較不同棒料的溫度膨脹率


這種情況也適用于電阻,TCR越低,加電(導(dǎo)致電阻層溫度升高)或周?chē)h(huán)境溫度下的測(cè)量結(jié)果越穩(wěn)定。


如何測(cè)量TCR

根據(jù)MIL-STD-202 Method 304測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),TCR性能指以25℃為基準(zhǔn)溫度,當(dāng)溫度變化時(shí),電阻阻值變化,組件達(dá)到平衡后,阻值差即TCR。電阻隨溫度升高而增加為正TCR (請(qǐng)注意,自熱也會(huì)因TCR產(chǎn)生電阻變化)。


電阻-溫度系數(shù)(%):


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性


電阻-溫度系數(shù)(ppm):


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性


其中,R1 = 基準(zhǔn)溫度電阻、R2 =工作溫度電阻、t1 =基準(zhǔn)溫度(25℃)、t2 =工作溫度。


工作溫度(t2)通常取決于應(yīng)用。例如,儀器典型溫度范圍為-10~60℃,而國(guó)防應(yīng)用溫度范圍一般為-55~125℃。


圖2顯示溫度從25℃開(kāi)始升高,電阻成比例變化時(shí)不同TCR對(duì)比。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

圖2:溫度升高,電組成比例變化時(shí)的不同TCR比較


以下公式計(jì)算給定TCR條件下最大阻值變化:


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性


其中,R=最終電阻、R0 =初始電阻、α=TCR、T=最終溫度、T0 =初始溫度。


結(jié)構(gòu)對(duì)TCR的影響

金屬條(Metal Strip)和金屬板(Metal Plate)電阻技術(shù)TCR性能優(yōu)于傳統(tǒng)厚膜檢流電阻,因?yàn)楹衲る娮璨牧现饕倾y,而銀端子和銅端子TCR值比較高。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

圖3:不同材料電阻技術(shù)TCR性能。


Metal Strip電阻技術(shù)使用實(shí)心銅端子(圖3項(xiàng)2),與低TCR電阻合金(項(xiàng)1)焊接,阻值低至0.1mΩ并實(shí)現(xiàn)低TCR。但是,銅端子TCR (3,900ppm/℃)高于電阻合金(


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圖4:Metal Strip電阻技術(shù)


低阻值銅端子與電阻層合金連接,流經(jīng)電阻層的電流可以均勻分布,提高電流測(cè)量精確度。圖5顯示銅端子與低TCR電阻合金組合對(duì)總電阻的影響,最低阻值相同結(jié)構(gòu)情況下,銅端子在TCR性能中變得更為重要。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

圖5:銅端子與低TCR電阻合金組合對(duì)總電阻的影響


凱爾文端子與2端子

凱爾文(4端子)結(jié)構(gòu)具有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):改進(jìn)電流測(cè)量重復(fù)性和TCR性能。缺口結(jié)構(gòu)減少銅端子在電路中的面積。關(guān)于凱爾文端子與2端子2512的對(duì)比參見(jiàn)表2。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

表2:凱爾文端子與2端子2512比較


兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題:


為什么缺口不切透電阻合金以獲得最佳TCR?


銅可以降低測(cè)量電流的連接電阻。在電阻合金上開(kāi)槽會(huì)造成電阻合金測(cè)量部分無(wú)電流,從而導(dǎo)致測(cè)量電壓升高。缺口是在銅TCR影響與測(cè)量精準(zhǔn)度和重復(fù)性之間所做的一種折衷。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

圖6:缺口是在銅TCR影響與測(cè)量精準(zhǔn)度和重復(fù)性之間所做的一種折衷


可以使用4端子焊盤(pán)設(shè)計(jì)獲得同樣的結(jié)果嗎?


不可以。雖然4端子焊盤(pán)設(shè)計(jì)確實(shí)提高了測(cè)量重復(fù)性,但不能消除測(cè)量電路中銅的影響,額定TCR仍然一樣。


包覆結(jié)構(gòu)與焊接

端子的構(gòu)成可在電阻層覆上薄銅層,這將影響TCR額定值和測(cè)量重復(fù)性。薄銅層采用包覆方法或電鍍來(lái)實(shí)現(xiàn)。包覆結(jié)構(gòu)利用極大壓力,以機(jī)械方式將銅片與電阻合金連接在一起,材料之間形成均勻接口。兩種構(gòu)造方法中,銅層厚度通常為千分之幾英吋,最大限度減小銅的影響并改進(jìn)TCR。其代價(jià)是電阻安裝到基板上,阻值會(huì)略有漂移,因?yàn)楸°~層不能在高電阻合金中均勻分布電流。某些情況下,板載電阻漂移可能遠(yuǎn)大于不同電阻類(lèi)型之間的TCR影響。


所有數(shù)據(jù)表的創(chuàng)建并非對(duì)等

一些制造商只列出電阻層TCR,這只是整體性能的一部分,因?yàn)楹雎粤硕私佑绊?。這個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是包括端接影響的組件TCR,即電阻在應(yīng)用中的表現(xiàn)。


其他方面,TCR特性適用于有限溫度范圍,如20~60℃,也有更寬范圍的情況,如-55~+155℃。電阻進(jìn)行對(duì)比時(shí),有限額定溫度范圍的電阻性能優(yōu)于更寬額定范圍的電阻。TCR性能通常是非線(xiàn)性的,負(fù)溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)較差。請(qǐng)參閱圖7,了解同一電阻不同溫度范圍的差異。


溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性

圖7:同一電阻不同溫度范圍的差異


如果數(shù)據(jù)表中列出一系列阻值的TCR,由于端接影響,其中的最低阻值確定極限。相同范圍內(nèi)高阻值電阻的TCR可能接近于零,因?yàn)榭傠娮璐蟛糠衷从诘蚑CR電阻合金。這種圖表對(duì)比需要澄清的另一點(diǎn)是,電阻并不總是具有這樣的斜率,有時(shí)可能比較平。這取決于兩種材料TCR與阻值的相互作用。


總之,影響TCR的因素很多,數(shù)據(jù)表可能未提供所需信息或所需詳細(xì)信息。作為線(xiàn)路設(shè)計(jì),如果需要其他信息支持你的決定,應(yīng)與組件供應(yīng)商技術(shù)部門(mén)聯(lián)系。

(來(lái)源:電子工程專(zhuān)輯,作者:Bryan Yarborough,Vishay Intertechnology Vishay Dal)


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