【導(dǎo)讀】我們?cè)诘?1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)手機(jī)設(shè)計(jì)。
本博客系列共分為 3 部分,這是第 2 部分,介紹靜電放電 (ESD) 的各個(gè)方面以及移動(dòng)設(shè)備的系統(tǒng)級(jí) ESD 設(shè)計(jì)。
我們?cè)诘?1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)手機(jī)設(shè)計(jì)。
更新一下,SEED 就是…
…一種協(xié)同設(shè)計(jì)方法,包含板載和片上 ESD 保護(hù)功能,用于分析和實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí) ESD 穩(wěn)健性。該方法要求對(duì) ESD 應(yīng)力事件期間外部 ESD 脈沖之間的相互作用、完整的系統(tǒng)級(jí)電路板設(shè)計(jì)以及設(shè)備引腳特性有一個(gè)全面的了解。
板載 ESD 保護(hù)器件
作為一個(gè)總體戰(zhàn)略,您可以在 PC 電路板上使用許多保護(hù)元件,以保護(hù)終端產(chǎn)品免受 ESD 事件的影響。這些保護(hù)元件包括:
無源和有源元件,如:
● 串聯(lián)電阻
● 去耦電容
● 鐵氧體磁珠
● 抑制裝置,如電磁干擾 (EMI)/ESD 濾波器
● 瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)
TVS 元件:
● 聚合物變阻器
● 陶瓷變阻器
● 火花隙s
● 硅二極管
然而,使用這些元件時(shí)應(yīng)謹(jǐn)記以下幾點(diǎn):
● 電阻、電容、電感-電容 (LC) 濾波器和鐵氧體磁珠在系統(tǒng)中衰減間接或二級(jí) ESD 應(yīng)力方面表現(xiàn)良好。一個(gè)有效的方法就是,需要將這些元件盡可能置于 ESD 應(yīng)力對(duì)象(模塊引腳)附近。
● 您可以將串聯(lián)電阻與去耦電容(電阻-電容 [RC] 濾波器)或電壓箝位一起使用。
● 電容提供去耦性。選擇的電容最好具有高額定電壓、高共振頻率、低電阻和低電感。確保在連接電容時(shí)實(shí)現(xiàn)軌跡長度的最短化。
● LC 濾波器可阻隔瞬變電壓和 EMI。
● 串聯(lián)鐵氧體磁珠可衰減電源線上的 EMI 和 ESD。
● 變阻器可從高待機(jī)值變?yōu)闃O低導(dǎo)電值,從而吸收 ESD 能量,并限制 ESD 誘發(fā)性電壓。它們通常具有較高的觸發(fā)電壓(幾百伏)和高達(dá) 100 V 的箝位電壓,同時(shí)具有非常低的電容,但能夠在長時(shí)間的 ESD 應(yīng)力之后顯示明顯的漏電流。
● 根據(jù)待保護(hù)的接口類型,硅基 TVS 二極管也可以具有較低的電容和比其他 TVS 元件更低的動(dòng)態(tài)電阻值。它們具有較高的 ESD 吸附能力(即一旦 ESD 觸電被吸附,保護(hù)裝置就會(huì)非??焖俚胤祷氐礁咦杩?fàn)顟B(tài))。適合高速/RF 應(yīng)用的 TVS 二極管可提供非常低的觸發(fā)電壓(低于 100 V)和箝位電壓(低于 20 V),同時(shí)具有出色的響應(yīng)時(shí)間。
但請(qǐng)注意:片外保護(hù)器件的電容將導(dǎo)致 RF 通道中的不匹配性。為彌補(bǔ)這些不匹配性,設(shè)計(jì)人員需要調(diào)整其 RF 和天線路徑中的匹配網(wǎng)絡(luò)。
術(shù)語表
● C:電容
● CS: 并聯(lián)電容
● EMI: 電磁干擾
● ESD:靜電放電
● FCC: 聯(lián)邦通信委員會(huì)
● GND: 接地
● HPF:高通濾波器
● IC: 集成電路
● IEC:國際電工委員會(huì)
● L: 電感器
● LC: 電感-電容
● LS: 并聯(lián)電感器
● PC: 印刷電路
● PCB: 印刷電路板
● RC: 電阻-電容
● RF: 射頻
● RFFE: RF 前端
● Rx: 接收
● SEED: 系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì)
● TVS: 瞬態(tài)電壓抑制器
● Tx: 發(fā)送
● VL: 電感電壓
更多關(guān)于瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 的信息
TVS 二極管是實(shí)現(xiàn) ESD 保護(hù)的首選元件之一。當(dāng)誘發(fā)性電壓超過雪崩擊穿電壓時(shí),它們通過分流過電流的方式運(yùn)行。它們是一種箝位裝置,抑制所有高于擊穿電壓的過電壓。當(dāng)不存在過電壓時(shí),它們會(huì)自動(dòng)重置至關(guān)閉狀態(tài),但會(huì)吸收更多內(nèi)部的瞬態(tài)能量。
TVS 二極管可以是單向二極管,也可以是雙向二極管。雙向二極管可使用兩個(gè)相互對(duì)立的雪崩二極管以串聯(lián)的方式表示,如下所示,并連接至相對(duì)于被保護(hù)引腳的并聯(lián)配置。這些設(shè)備均制造為單個(gè)封裝元件。
對(duì)于 RF 應(yīng)用中的 ESD 保護(hù),必須保持盡可能小的 TVS 二極管電容。這可避免輸入匹配的失諧,從而使保護(hù)設(shè)備產(chǎn)生較少的諧波失真。
下圖顯示了雙向 TVS 二極管的電流-電壓 (I-V) 曲線。您可以看到,TVS 相對(duì)于原點(diǎn)呈對(duì)稱狀,且可針對(duì)正極和負(fù)極 ESD 觸電進(jìn)行 ESD 保護(hù)。
下圖比較了變阻器、聚合物和 TVS 二極管響應(yīng) ESD 觸電的殘留電壓。大家可以看到,當(dāng)今的硅基 TVS 二極管是針對(duì) ESD 觸電最有效的方法。
板載 TVS 二極管位置的重要性
然而,TVS 的位置具有重要影響。如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),則 ESD 保護(hù)就不會(huì)那么有效。請(qǐng)記住,這些一般原則:
● 在開發(fā) PC 電路板時(shí),請(qǐng)注意軌跡不要太長,因?yàn)檫@會(huì)產(chǎn)生不必要的電感。
● 記住:與 TVS 設(shè)備串聯(lián)的電容會(huì)使一級(jí) ESD 電流路徑斷開,而添加至一級(jí) ESD 電流路徑的任何 RF 電感都會(huì)提高殘留路徑中的總阻抗。
● 如果將 TVS 置于合適的位置,就不需要其他 ESD 元件。
那么什么是合適的位置?如下圖所示,您應(yīng)該:
● 只使用 TVS。
● 切勿將 TVS 置于電容或電感器的前面或后面。
● 確保沒有軌跡。應(yīng)將 TVS 置于 RF 路徑和接地之間。
接地:機(jī)械因素
為緩解 ESD 事件,必須對(duì)成品的每一方面進(jìn)行正確的接地——PC 電路板、所有 IC 芯片和元件、外殼、蓋子等。確保在終端產(chǎn)品接地時(shí)考慮了以下所有方面:
● 所有金屬件必須通過低阻抗路徑連接至系統(tǒng)接地。
● 浮動(dòng)金屬部件都有 ESD 危險(xiǎn)。
● 所有金屬部件都必須接地,或如果適用,更換為塑料件。
● 多個(gè)互聯(lián)的 PC 電路板設(shè)計(jì)可能會(huì)導(dǎo)致高電阻電感系統(tǒng)接地。當(dāng)一級(jí) TVS 和 RF 模塊置于不同的 PC 電路板上時(shí),應(yīng)特別注意保護(hù)天線。
一級(jí)和二級(jí) ESD 保護(hù)
了解一級(jí)和二級(jí) ESD 保護(hù)是 SEED 方法的基本組成部分。通常:
● 一級(jí)保護(hù)是在板上進(jìn)行,稱為主要箝位。
● 二級(jí)保護(hù)是在片上進(jìn)行,稱為輔助箝位。
一級(jí)和二級(jí) ESD 保護(hù)階段的協(xié)同設(shè)計(jì)是 SEED 方法的基本概念。
下圖顯示了 RF 前端 (RFFE) 中針對(duì) ESD 保護(hù)的主要和輔助箝位的高級(jí)基本視圖。
注意:一些系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要在 IC 前放置一個(gè)額外的板載輔助箝位,以減少元件引腳可能存在的任何殘留 ESD 電荷。
我們來進(jìn)一步了解一級(jí)和二級(jí)保護(hù):
● 一級(jí)保護(hù)(板載):一級(jí)保護(hù)可能包含箝位元件,如并聯(lián)電感器或 TVS 元件(二極管、變阻器和火花隙)。這些主要箝位可分流較大的 ESD 電流。主要箝位主要為與直接 ESD 能量入口接觸的外部連接和其他接口。此外,它們?cè)跍p少 IC 元件引腳處出現(xiàn)的殘留 ESD 應(yīng)力方面發(fā)揮著重要作用。
● 二級(jí)保護(hù)(片上):二級(jí)保護(hù)用于箝住設(shè)備引腳處積累的任何殘留 ESD 應(yīng)力。ESD 瞬態(tài)的形狀在很大程度上取決于板載主要箝位特性和 PC 電路板設(shè)計(jì)。
一級(jí)和二級(jí) ESD 保護(hù)階段的協(xié)同設(shè)計(jì)(即板載和片上保護(hù))是 SEED 方法的基本概念。這兩個(gè)階段可在兩個(gè)分支的載流能力通過串聯(lián)阻抗實(shí)現(xiàn)平衡的位置提供必要的保護(hù)。
模擬和分析這兩個(gè)保護(hù)階段可幫助電路板設(shè)計(jì)人員選擇適當(dāng)?shù)陌遢d保護(hù)箝位電平,以確保能夠有效地處理抵達(dá) IC 的峰值殘留脈沖。利用模擬實(shí)現(xiàn)的 SEED 保護(hù)設(shè)計(jì)要求將國際電工委員會(huì) (IEC) 應(yīng)力模型、基于 SEED 參數(shù)的 TVS 和 IC 接口引腳模型以及隔離阻抗電路(即 PC 電路板上的電路)整合在一起。我們將在第 3 部分詳細(xì)介紹如何模擬和分析 SEED 設(shè)計(jì)。
RF 前端 (RFFE) 的保護(hù)戰(zhàn)略
不同的應(yīng)用需要不同的 ESD 保護(hù)。一種方法或許能夠滿足您的應(yīng)用需求,但可能不適用于其他應(yīng)用。最終,您使用的設(shè)計(jì)必須通過 FCC 和 IEC 測試,這樣您的產(chǎn)品才能獲得認(rèn)證并出售。
我們來看看可用于 RFFE 中 ESD 保護(hù)的幾種戰(zhàn)略。
戰(zhàn)略 1:基本保護(hù)——并聯(lián)電感器
最基本的方法是采用一個(gè)并聯(lián)電感器。如下圖所示,電感器 (L) 是 ESD 電流脈沖的主要分流元件。該電感器的 nH 范圍應(yīng)比較低 (<20 nH),這樣才能構(gòu)成有效的 ESD 保護(hù)解決方案。但它會(huì)增加插入損耗,帶來一些 RF 性能挑戰(zhàn)。并聯(lián)電容通常用于實(shí)現(xiàn) RF 匹配,而非 ESD 保護(hù)。
戰(zhàn)略 2:單級(jí)高通濾波器
第二種方法采用單級(jí)高通濾波器 (HPF),如下圖所示。然而,這可能并不是最有效的方法。
優(yōu)點(diǎn):
● 提供良好的全帶寬 ESD 覆蓋。
● 可合理地減少 ESD 脈沖幅度,同時(shí)允許蜂窩頻率范圍通過。
缺點(diǎn):
● 會(huì)產(chǎn)生較高的殘留電壓 (Vpeak >100 V)。
● 需要較低的電感,以確保最優(yōu)性能(這意味著實(shí)現(xiàn) RF 與 ESD 性能權(quán)衡)。
戰(zhàn)略 3:兩級(jí) ESD 保護(hù)
第三種方法使用兩級(jí) ESD 保護(hù),如下圖所示。該方法將 TVS 作為一級(jí)保護(hù),并將 HPF 作為二級(jí) ESD 保護(hù),以捕獲殘留應(yīng)力。
如下圖中看到的那樣:
● 第一級(jí)保護(hù) (TVS) 箝住低于 20V 的電壓,從而將峰值電壓降至 50V 以下。
● 第二級(jí)保護(hù)中的 HPF 進(jìn)一步降低殘留電壓脈沖,箝住低于 10V 的電壓,從而將峰值電壓降至 20V 以下。
ESD 保護(hù)的最佳方法
最終,您是在試圖降低 IC 在 ESD 觸電中遇到的電壓;目的是在其擊中 IC 之前降低所有峰值電壓。我們認(rèn)為理想的 ESD 戰(zhàn)略就是兩級(jí)方法,第一級(jí)使用 TVS 元件(TVS 二極管),第二級(jí)使用 HPF 網(wǎng)絡(luò)。
優(yōu)勢:
● 它可以提高您的電路板級(jí) ESD 保護(hù),并為您提供通過 IEC 測試的最佳機(jī)會(huì)。
● 此外,它還可以減少 ESD 脈沖幅度和 RF 路徑上的殘留電壓。
● 雙向 TVS 二極管有助于防止正極和負(fù)極脈沖影響。
● 高通濾波器可箝住任何殘留電壓脈沖。
● 從而為元件引腳提供最佳保護(hù)。
接下來:在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn) SEED
當(dāng)移動(dòng)設(shè)備未通過認(rèn)證測試時(shí),在設(shè)計(jì)周期后期出現(xiàn) ESD 問題并不罕見。我們了解到最佳方法就是從一開始(設(shè)計(jì)整個(gè)電路板之前)就進(jìn)行 ESD 保護(hù)和 RF 設(shè)計(jì)規(guī)劃,因?yàn)檫@樣可以減少波動(dòng)、設(shè)計(jì)困擾和認(rèn)證問題。
現(xiàn)在,您已經(jīng)清楚解決 ESD 問題的背景信息和工具。接下來的博客將詳細(xì)探討 SEED 方法,以及如何將其整合至您的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中。
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