由于發(fā)射端的光信號和接收端的電信號之間互不干擾，因而光耦具有很好的電絕緣能力和抗干擾能力，并且具有體積小、壽命長、無觸點、單向傳輸信號等優(yōu)點，得到了廣泛的應用。

 

簡單地理解，光耦就是由輸入側(cè)的LED和輸出側(cè)的光電檢測器集成在一起而形成的產(chǎn)品，根據(jù)光耦輸出側(cè)光電檢測器的類型以及電路的結(jié)構和特性，光耦可以分成以下幾類：

 

1 晶體管輸出型光耦

 

作為最常見的光耦產(chǎn)品類型，其光電接收器是光敏三極管，輸出端為單體或達林頓晶體管，分為直流信號或交流信號控制型，其具有大電流傳輸比（CTR）、高耐壓、低輸入電流等特點，且價格低、通用性強，應用十分廣泛。不過，其缺點在于傳輸速度較慢，時序延時較大。

 

2 IC輸出型光耦

 

這種類型的光耦采用光敏二極管作為光接收元件，同時會內(nèi)置一個IC做信號放大和整形，可實現(xiàn)高速信號的傳輸，數(shù)據(jù)傳輸速率可達1-50Mbps。IC輸出光耦又可以細分為幾種不同的類型，包括用于傳輸邏輯信號的高速光耦，以及作為功率元件（如IGBT）柵極驅(qū)動的驅(qū)動光耦。

 

3 隔離放大器

 

隔離放大器可以在對模擬信號進行隔離的同時，按照一定的比例進行放大，主要用于高共模電壓環(huán)境下的小信號測量，并對被測對象和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)予以隔離，保護電子儀器設備和人身安全。隔離放大器選型時，在滿足隔離耐壓等級要求的同時，線性度、共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）也是要重點考量的參數(shù)。

 

4 可控硅輸出型光耦

 

可控硅輸出型光耦主要用于控制交流負載，包括雙向可控硅輸出和單向可控硅輸出，它們采用了高耐壓型可控硅，可以用大約10mA的低電流控制100mA的交流負載，同時提供電氣隔離。結(jié)合功率可控硅，這種光耦可以控制高達幾安培的交流電。

 

5 光繼電器

 

這種光耦在輸出級配有兩個連接共源的MOSFET，可以實現(xiàn)與機械繼電器相同的功能，而與機械繼電器相比具有長壽命、低電流驅(qū)動和快速響應的特點。

 

從上述的介紹可以看出，光耦的結(jié)構并不復雜，但越是這樣，想做出具有差異化、讓人過目不忘的產(chǎn)品越不容易，如何在光耦這個成熟的產(chǎn)品門類中做出自己的特色產(chǎn)品，十分考驗元器件廠商的能力。

 

接下來，我們就給大家介紹幾款來自Toshiba的柵極驅(qū)動光耦，它們各具特點，與其他競品放在一起很有辨識度，看過之后，一定會讓你過目不忘。

 

標準產(chǎn)品系列

 

Toshiba的標準系列的柵極驅(qū)動光耦包括TLP5702、TLP575x、TLP577x多個系列，它們都是由GaAlAs紅外LED經(jīng)光學耦合到一個集成的高增益、高速光電探測器IC構成，目標應用是作為中小型IGBT或功率MOSFET的柵極驅(qū)動器，也可應用于家用電器、逆變器和變頻器等領域。

 

圖1：Toshiba標準系列柵極驅(qū)動光耦框圖

（圖源：Toshiba）

 

這些系列的光耦一個突出的特點就是“外形小巧”，它們采用6引腳SO6L封裝，大約僅為采用8引腳DIP封裝光耦尺寸的一半，并且符合國際安全標準的強化隔離要求（最小隔離電壓5000Vrms）。

 

器件內(nèi)部的法拉第噪聲屏蔽提供了最低±20kV/μs（TLP5702）或±35kV/μs（TLP575x和TLP577x）的共模瞬態(tài)抗擾度，軌到軌輸出保證了穩(wěn)定的運行和更好的開關性能。TLP577x光電耦合器能夠支持2mA低閾值輸入電流運行，允許直接從微計算機驅(qū)動，而無需緩沖。

TLP575x和TLP577x還提供高溫型的產(chǎn)品（型號后綴為H），工作溫度范圍擴展至-40℃至125℃。這些標準型柵極驅(qū)動光耦的性能比較，詳見表1。

 

表1：Toshiba標準系列柵極驅(qū)動光耦特性比較

（資料來源：Toshiba）

 

簡而言之，這些光耦器件為用戶提供了一個能夠符合產(chǎn)品設計規(guī)格和各項行業(yè)標準、小型化的解決方案，且產(chǎn)品組合豐富，為廣泛的通用型應用提供了理想的解決方案。

 

智能柵極驅(qū)動光耦

 

如果說，上述的標準型光耦產(chǎn)品是用小型化、極簡的設計去滿足眾多通用應用場景的需求，那么下面這款智能柵極驅(qū)動光耦的結(jié)構明顯更為復雜。TLP5214和TLP5214A是高度集成的、具有4.0A輸出電流的光耦，適用于驅(qū)動IGBT和功率MOSFET，用于交流電機和無刷直流電機驅(qū)動器。其內(nèi)部包括兩個GaAlAs紅外LED和兩個高增益、高速IC，同時還內(nèi)置了過電流保護（VCE(sat)檢測）、有源米勒鉗位等功能，這樣的設計在確保IGBT的安全性和可靠性方面十分重要。

 

圖2：TLP5214A和TLP5214智能柵極驅(qū)動光耦框圖

（圖源：Toshiba）

 

我們先來說說VCE(sat)過電流保護檢測功能。在IGBT工作時，如果對IGBT施加過電流，集電極-發(fā)射極電壓（VCE）將升高，這時如果功率過大有可能損壞IGBT。因此，必須在盡可能短的時間內(nèi)（10μs以內(nèi)）切斷過電流。

 

VCE(sat)檢測電路的“任務”就是監(jiān)測IGBT的VCE(sat)電壓。集電極電壓由DESAT引腳監(jiān)測，當DESAT引腳電壓超過6.5V時，則判定為有過電流的情況發(fā)生，就會在700ns內(nèi)執(zhí)行光耦輸出的軟關斷，與此同時通過圖中下部那一組光電轉(zhuǎn)化通道向控制器發(fā)送故障信號。通過這樣一種安全保障機制，就可以確保IGBT免受過流損壞。

 

圖3：TLP5214A和TLP5214的過電流保護功能

（圖源：Toshiba）

 

我們再來說說TLP5214A和TLP5214另一個重要的保護功能——有源米勒鉗位。IGBT集電極和柵極之間的寄生米勒電容CCG會在逆變電路中引發(fā)開關噪聲故障。具體來講，當逆變器電路中上臂的IGBT導通時，下臂IGBT的VCE會急劇上升，這時位移電流IS=CCG x（dVCG/dt）通過下臂的IGBT的CCG產(chǎn)生，并流向光電耦合器的輸出，IGBT的柵極電壓因此而升高，并流經(jīng)RG。由于柵極電壓升高，IGBT將錯誤地導通，從而導致上下臂短路（如圖4）。

 

圖4：米勒電容產(chǎn)生電路故障的原理

（圖源：Toshiba）

 

解決這一問題的方法通常是使用一個負電源（Negative Power Source）或者調(diào)整柵極電阻，但前者的成本較高，后者又會增加開關噪聲。另一種防止米勒電容故障的方法是使IGBT的柵極和發(fā)射極短路，但這需要額外的外部元件去實現(xiàn)柵極的鉗位，無疑會占用更大的電路板面積。

 

而TLP5214A和TLP5214通過內(nèi)置有源米勒箝位功能，很好地解決了這個問題。電路設計時，將米勒鉗位引腳VCLAMP連接到IGBT的柵極，當光耦的輸出由高變低，柵極電壓降到大約3V以下時，VCLAMP-VEE之間的MOSFET導通，柵極被鉗位于VEE。通過將米勒電流從VCLAMP引腳旁路到發(fā)射極，可以抑制柵極電壓的上升，從而防止逆變器上下臂短路。

 

圖5：有源米勒鉗位工作過程

（圖源：Toshiba）

 

除了上述的VCE(sat)檢測、有源米勒鉗位，TLP5214A和TLP5214還集成了許多其它功能，包括全擺幅電壓輸出和UVLO（欠電壓鎖定）功能。UVLO功能是為了防止在低電壓下因功率器件驅(qū)動不足而引發(fā)故障，當電源電壓在運行過程中下降并低于UVLO檢測電壓時，運行停止，直到柵極驅(qū)動光耦的電源電壓達到UVLO釋放電壓，這有助于防止功率器件在輸入電壓啟動過程中發(fā)生故障，也是不少高性能柵極驅(qū)動光耦的標配。

 

圖6中對比了Toshiba的標準型和智能型柵極驅(qū)動光耦的主要功能差異?？梢钥闯鏊鼈冎饕牟顒e就在于上面提到的這些附加的保護功能上，由于增加了這些功能，使得智能柵極驅(qū)動器可以用更少的外部組件、更低的成本、更小的PCB尺寸，去滿足更復雜的設計需求。

 

圖6：標準型和智能型柵極驅(qū)動光耦的區(qū)別

（圖源：Toshiba）

 

從本文所介紹的幾款Toshiba產(chǎn)品中，可以看出柵極驅(qū)動光耦差異化的兩種思路：一種是在標準產(chǎn)品上挖潛，盡可能將一些關鍵技術指標做到極致；另一種則是在光耦中集成更多的功能，簡化系統(tǒng)設計，為開發(fā)者帶來更大的便利。無論是那種思路，目的都是一樣的，就是要讓客戶價值最大化。這樣的產(chǎn)品，自然會打動人心，令人一見鐘情，過目不忘。

 

想要進一步了解本文中推薦的幾款Toshiba光耦器件的產(chǎn)品詳情，請訪問以下貿(mào)澤電子網(wǎng)站上提供的相關技術資源。

 

來源：貿(mào)澤電子

 

 

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