摘要

 

所有行業(yè)的制造商都在不斷推動(dòng)提升高端性能，同時(shí)試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達(dá)成平衡。設(shè)計(jì)人員面臨著平衡設(shè)計(jì)復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個(gè)電子保護(hù)子系統(tǒng)為例，受其特性限制，無(wú)法進(jìn)行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護(hù)敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。

 

許多傳統(tǒng)的可靠保護(hù)解決方案（例如二極管、保險(xiǎn)絲和TVS器件）能夠保持待保護(hù)狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護(hù)。為了解決這些不足，有源智能保護(hù)IC應(yīng)運(yùn)而生，它們能夠達(dá)到傳統(tǒng)方法的保護(hù)要求，而且從有些方面來看，它們更加可靠。但是器件種類繁多，所以，設(shè)計(jì)人員面臨的最困難的問題就是選擇合適的解決方案。

 

為了幫助設(shè)計(jì)人員縮小選擇范圍，本文對(duì)傳統(tǒng)保護(hù)方法和ADI保護(hù)產(chǎn)品系列進(jìn)行比較，以展示這些產(chǎn)品和建議應(yīng)用的特性。

 

簡(jiǎn)介

 

隨著所有行業(yè)中電子器件的使用數(shù)量不斷增加，且成本高昂的FPGA和處理器的處理功能不斷擴(kuò)展，人們?cè)絹碓揭髮?duì)這些在嚴(yán)苛環(huán)境中運(yùn)行的器件提供保護(hù)。此外，還需要它們體積小巧、可靠性高，能夠快速響應(yīng)過壓和過流浪涌事件。本文探討了許多應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)，以及為何需要保護(hù)，比較了傳統(tǒng)的保護(hù)方法和更新的可替代解決方案，后者具有更高的精度、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。

 

為何考慮使用電壓和電流保護(hù)器件？

 

汽車、工業(yè)、通信和航空電子系統(tǒng)需經(jīng)受一系列電源浪涌，例如圖1所示的這些。在這些市場(chǎng)中，許多行業(yè)規(guī)范都對(duì)瞬態(tài)事件進(jìn)行了定義。例如， ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 規(guī)范定義了汽車瞬態(tài)，詳細(xì)概述了預(yù)期瞬變，以及確保持續(xù)驗(yàn)證這些瞬變的測(cè)試步驟。

 

浪涌事件的類型和所含能量會(huì)因電子器件的使用區(qū)域而異；電路可能遭受過壓、過流、反向電壓和反向電流等情況。最后，如果要直接經(jīng)受圖1所示的這些瞬變條件，許多電路都無(wú)法維持，更不用說獨(dú)立運(yùn)行，所以設(shè)計(jì)人員必須考慮所有輸入情況，并采取可以保護(hù)電路不受電壓和電流浪涌影響的機(jī)制。

 

圖1.一些更嚴(yán)格的ISO 16750-2測(cè)試的概述。

 

設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

 

有很多不同原因會(huì)引發(fā)電子系統(tǒng)中出現(xiàn)瞬變電壓和電流，但有些電子環(huán)境比其他環(huán)境更容易發(fā)生瞬變事件。眾所周知，汽車、工業(yè)和通信環(huán)境中的應(yīng)用會(huì)經(jīng)受有潛在危害的事件，對(duì)下游電子器件造成嚴(yán)重?fù)p壞，但浪涌事件并不只是在這些環(huán)境下發(fā)生。其他可能需要浪涌保護(hù)電路的情況包括：需要高壓或大電流電源的應(yīng)用、采用熱插拔電源連接的應(yīng)用，或者包含電機(jī)或可能受到雷擊感應(yīng)瞬變影響的系統(tǒng)。高壓事件持續(xù)的時(shí)間不等，從幾微秒到幾百毫秒都有可能，所以必須采用靈活可靠的保護(hù)機(jī)制來確保下游成本高昂的電子器件的使用壽命。

 

例如，當(dāng)交流發(fā)電機(jī)（為電池充電）與電池暫時(shí)斷開時(shí)，會(huì)發(fā)生汽車負(fù)載突降。發(fā)生這種斷開后，交流發(fā)電機(jī)提供的滿負(fù)荷充電電流會(huì)傳輸至電源軌，使電源軌電壓在數(shù)百毫秒內(nèi)攀升到極高(>100 V)水平。

 

有多種原因可能導(dǎo)致通信應(yīng)用發(fā)生浪涌，從熱插拔通信卡到可能受到雷電影響的戶外裝置，涉及多種應(yīng)用。大型設(shè)施中使用的長(zhǎng)電纜也可能產(chǎn)生感應(yīng)電壓尖峰。

 

最終，設(shè)計(jì)人員必須充分了解器件的使用環(huán)境，并滿足既有的規(guī)范要求，這有助于他們組合采用最佳的保護(hù)機(jī)制，可靠且不會(huì)產(chǎn)生干擾，但允許下游電子器件能夠在安全電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，且保證最低中斷。

 

傳統(tǒng)保護(hù)電路

 

在需要考慮如此多種不同類型的電子問題的情況下，電子工程師應(yīng)如何保護(hù)敏感的下游電子器件？

 

傳統(tǒng)保護(hù)方法基于多個(gè)器件提供保護(hù)，而不是基于一個(gè)，例如，采用瞬變電壓抑制器(TVS)提供過壓保護(hù)，采用線路保險(xiǎn)絲提供過流保護(hù)，采用串聯(lián)二極管提供反向電池/電源保護(hù)，以及混合使用電容和電感來過濾更低的電能尖峰。雖然離散配置可以滿足既定的規(guī)范要求（保護(hù)下游電路），但它實(shí)施起來很麻煩，需要進(jìn)行多次選擇來確定合適的濾波規(guī)格。

 

圖2.傳統(tǒng)保護(hù)器件。

 

我們來仔細(xì)了解一下這些器件，弄清楚這種實(shí)施方法的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

 

TVS——瞬變電壓抑制器

這是一種相對(duì)簡(jiǎn)單的器件，可以保護(hù)下游電路不受電源上的高壓尖峰影響。它們可以分為幾種不同的類型，具有廣泛的特性（表1按響應(yīng)時(shí)間從最短到最長(zhǎng)的順序排列）。

 

表1.不同瞬變電壓抑制器件的響應(yīng)時(shí)間

 

雖然它們的結(jié)構(gòu)和特性各異，但使用方式是相似的：當(dāng)電壓超過器件閾值時(shí)，分流多余的電流。TVS可以在極短時(shí)間內(nèi)將輸出電壓固定在額定水平。例如，TVS二極管的響應(yīng)時(shí)間可以低至皮秒，GDT的響應(yīng)時(shí)間則可能有幾微秒，但可以處理更大的浪涌。

 

圖3顯示了用于保護(hù)下游電路的TVS二極管的簡(jiǎn)單配置。在正常工作條件下，TVS具有高阻抗，輸入電壓會(huì)直接傳輸至輸出。當(dāng)輸入端出現(xiàn)過壓時(shí)，TVS開始導(dǎo)電，并將多余的電能分流到接地(GND)，從而箝位下游負(fù)載電壓。電源軌電壓升高到典型操作值以上，但被箝位到保證下游電路可以安全運(yùn)行的值。

 

雖然TVS器件在抑制極高電壓偏移方面很有效，但在遭受持續(xù)過壓時(shí)，也不能避免損壞，因此需要定期監(jiān)測(cè)或更換。另一個(gè)擔(dān)心是TVS可能短路，導(dǎo)致輸入電源斷開。此外，根據(jù)涉及的電能大小，它們的尺寸可能需要很大才能滿足裕量要求，導(dǎo)致解決方案的尺寸相應(yīng)增大。即使TVS的尺寸正確，下游電路也必須要能夠處理箝位電壓，對(duì)下游的電壓額定要求也隨之增高。

 

圖3.用傳統(tǒng)的TVS解決方案保護(hù)電壓浪涌。

 

線路保險(xiǎn)絲

 

過流保護(hù)可以使用常見的線路保險(xiǎn)絲實(shí)現(xiàn)，其熔斷額定值高于標(biāo)稱值，例如，比最大額定電流高20%（百分比取決于電路類型以及預(yù)期的典型操作負(fù)載）。當(dāng)然，保險(xiǎn)絲最大的問題是一旦燒斷就必須更換。保險(xiǎn)絲設(shè)計(jì)相當(dāng)簡(jiǎn)單，但維護(hù)相對(duì)復(fù)雜，特別是在難以接觸的位置，所以后期還是會(huì)耗費(fèi)時(shí)間和成本。使用備用保險(xiǎn)絲（例如可復(fù)位保險(xiǎn)絲）可以減少維護(hù)要求，它會(huì)在高于標(biāo)稱電流的電流流經(jīng)器件時(shí)，利用正溫度系數(shù)打開電路（電流增高之后會(huì)令溫度增高，導(dǎo)致電阻急劇升高）。

 

除維護(hù)問題外，保險(xiǎn)絲最大的問題之一是其反應(yīng)時(shí)間，根據(jù)所選保險(xiǎn)絲的類型，反應(yīng)時(shí)間可能有很大差異。我們可以使用快速熔斷保險(xiǎn)絲，但熔斷時(shí)間（打開電路的時(shí)間）仍然可能需要幾百微秒到毫秒，所以電路設(shè)計(jì)人員必須考慮這些時(shí)間段內(nèi)釋放的電能大小，保證下游電子器件不被損壞。

 

串聯(lián)二極管

 

在某些環(huán)境中，電路可能斷開，然后重新連接——例如，在電池供電環(huán)境中。在這種情況下，電源重新連接時(shí)不能保證極性是正確的。我們可以通過在電路的正極供電線上增加一個(gè)串聯(lián)二極管來實(shí)現(xiàn)極性保護(hù)。雖然這種簡(jiǎn)單的增加可以有效防止反向極性，但串聯(lián)二極管的壓降會(huì)導(dǎo)致相應(yīng)的功率損耗。在電流相對(duì)較低的電路中，這種取舍很小，但對(duì)于許多現(xiàn)代化的高電流電軌，則需要采用另一種解決方案。圖4是對(duì)圖3的更新，顯示利用TVS和增加的串聯(lián)二極管來防止出現(xiàn)反向極性連接。

 

圖4.增加串聯(lián)二極管可以防止反向極性連接，但在大電流系統(tǒng)中，二極管的壓降可能是一大問題。

 

使用電感和電容的濾波器

 

目前所討論的無(wú)源解決方案都是通過限制幅度，但通常只能捕捉更大的幅度，會(huì)放過更小的一些尖峰。這些較小的瞬變?nèi)匀粫?huì)對(duì)下游電路造成損壞，因此需要使用額外的無(wú)源濾波器來清潔線路。這可以通過使用離散電感和電容來實(shí)現(xiàn)，通過調(diào)整它們的尺寸，讓它們衰減超出頻率范圍的電壓。在設(shè)計(jì)之前，需要對(duì)濾波器設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試和測(cè)量，確定它們的尺寸和頻率，然后才能正確確定濾波器的尺寸。這種方法的缺點(diǎn)在于，需要考慮物料成本和面積要求（元器件的板面積和成本要達(dá)到多少才能達(dá)到濾波水平），以及是否需要過度設(shè)計(jì)（確定元器件的公差，以能夠在隨時(shí)間和溫度變化時(shí)提供補(bǔ)償）。

 

使用浪涌抑制器提供有源保護(hù)

 

要克服所述的無(wú)源保護(hù)解決方案面臨的挑戰(zhàn)和存在的缺點(diǎn)，方法之一是轉(zhuǎn)為使用浪涌抑制器IC。浪涌抑制器采用易于使用的控制器IC和串聯(lián)N通道MOSFET，因此無(wú)需使用繁雜的分流電路（TVS器件、保險(xiǎn)絲、電感和電容）。因?yàn)橹恍璐_定少數(shù)幾個(gè)元器件的尺寸和讓它們通過質(zhì)量認(rèn)證，所以浪涌抑制器控制器可以極大地簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

 

浪涌抑制器持續(xù)監(jiān)測(cè)輸入電壓和電流。在額定工作條件下，控制器驅(qū)動(dòng)N通道MOSFET通路器件的柵極完全開啟，提供一條從輸入到輸出的低阻抗路徑。在發(fā)生過壓或浪涌時(shí)（閾值由輸出端的反饋網(wǎng)絡(luò)給出），IC調(diào)節(jié)N通道MOSFET的柵極，將MOSFET的輸出電壓箝位到電阻分壓器設(shè)定的電平。

 

圖5顯示了浪涌抑制器配置的簡(jiǎn)化示意圖，以及標(biāo)稱12 V電源軌上出現(xiàn)100 V輸入浪涌時(shí)的結(jié)果。在浪涌發(fā)生期間，浪涌抑制器電路的輸出被箝位到27 V。一些浪涌抑制器也使用串聯(lián)感應(yīng)電阻（圖5中的斷路器）來監(jiān)測(cè)過流情況，并調(diào)整N通道MOSFET的柵極，以限制輸出負(fù)載端的電流。

 

圖5.浪涌抑制器配置的詳細(xì)示意圖。

 

根據(jù)對(duì)過壓事件的響應(yīng)，可以將浪涌抑制器分為四大類：

 

●    線性浪涌抑制器

●    柵極箝位

●    開關(guān)浪涌抑制器

●    輸出斷開保護(hù)控制器

 

浪涌抑制器應(yīng)基于應(yīng)用進(jìn)行選擇，所以，我們來比較一下它們的操作和優(yōu)點(diǎn)。

 

浪涌抑制器類型：線性

線性浪涌抑制器驅(qū)動(dòng)串聯(lián)MOSFET的方式和線性穩(wěn)壓器比較類似，是將輸出電壓限制在預(yù)先設(shè)置的安全值，并耗散MOSFET中的多余能量。為了保護(hù)MOSFET，該器件通過采用電容故障定時(shí)器來限制在高耗散區(qū)花費(fèi)的時(shí)間。

 

圖6.LT4363線性浪涌抑制器。

 

浪涌抑制器類型：柵極箝位

 

柵極箝位浪涌抑制器利用內(nèi)部或外部箝位（例如，31.5 V或50 V內(nèi)部箝位，或可調(diào)的外部箝位）將柵極引腳的電壓限制到這個(gè)電壓值，然后，由MOSFET的閾值電壓決定輸出電壓限值。例如，在使用內(nèi)部31.5 V柵極箝位，且MOSFET閾值電壓為5 V時(shí)，輸出電壓限制為26.5 V。或者，外部柵極箝位允許更廣泛的電壓選擇范圍。柵極箝位浪涌抑制器的示例如圖7所示。

 

圖7.LTC4380柵極箝位浪涌抑制器。

 

浪涌抑制器類型：開關(guān)

 

對(duì)于更高功率的應(yīng)用，開關(guān)浪涌抑制器是一個(gè)很好的選擇。與線性和柵極箝位浪涌抑制器一樣，開關(guān)浪涌抑制器在正常操作條件下可以充分增強(qiáng)調(diào)整FET，以在輸入和輸出之間提供一個(gè)低阻路徑（最小化功率損耗）。開關(guān)浪涌抑制器和線性或柵極箝位浪涌抑制器之間的主要區(qū)別出現(xiàn)在檢測(cè)到浪涌事件時(shí)。在浪涌事件中，開關(guān)浪涌抑制器是通過開關(guān)外部MOSFET（比較類似于開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器），將輸出調(diào)節(jié)到箝位電壓。

 

圖8.LTC7860開關(guān)浪涌抑制器。

 

保護(hù)控制器：輸出斷開

 

保護(hù)控制器不是真正的浪涌抑制器，但它確實(shí)能停止浪涌。和浪涌抑制器一樣，保護(hù)控制器監(jiān)測(cè)過壓和過流條件，但它不會(huì)箝位或調(diào)節(jié)輸出，而是通過立即斷開輸出來保護(hù)下游電子器件。這種簡(jiǎn)單保護(hù)電路的布局緊湊，非常適合由電池供電的便攜式應(yīng)用。 LTC4368 保護(hù)控制器的簡(jiǎn)化示意圖，以及它對(duì)過壓事件的響應(yīng)如圖9所示。保護(hù)控制器有許多版本。

 

圖9.LTC4368保護(hù)控制器。

 

保護(hù)控制器會(huì)監(jiān)測(cè)輸入電壓，確保電壓保持在OV/UV引腳的電阻分壓器所配置的電壓范圍內(nèi)，當(dāng)輸入電壓超過這個(gè)范圍時(shí)，利用背對(duì)背MOSFET斷開輸出，如圖9所示。背對(duì)背MOSFET也可用于防止反向輸入。輸出端的感應(yīng)電阻通過持續(xù)監(jiān)測(cè)正向電流來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)，但不需要基于計(jì)時(shí)器的穿越操作。

 

浪涌抑制器特性

 

為了給您的應(yīng)用選擇最合適的浪涌抑制器，您需要知道有哪些可用特性，以及它們可以幫助解決哪些挑戰(zhàn)。您可以在參數(shù)表中查找這些器件。

 

斷開與穿越

 

一些應(yīng)用要求在檢測(cè)到浪涌事件時(shí)斷開輸出和輸入的連接。在這種情況下，需要斷開過壓連接。如果您需要輸出在浪涌事件發(fā)生時(shí)保持正常運(yùn)行，從而最大限度減少下游電子設(shè)備的停機(jī)時(shí)間，則需要浪涌抑制器在發(fā)生浪涌時(shí)進(jìn)行穿越。在這種情況下，使用線性或開關(guān)浪涌抑制器可以實(shí)現(xiàn)這一功能（前提是，對(duì)于拓?fù)浜退x的FET，功率電平是合理的）。

 

故障定時(shí)器

 

實(shí)施穿越時(shí)，需要對(duì)MOSFET提供保護(hù)，以防它受到持續(xù)浪涌影響。為了確保留在FET的安全工作區(qū)(SOA)內(nèi)，可以使用定時(shí)器。定時(shí)器本質(zhì)上是一個(gè)接地電容。發(fā)生過壓時(shí)，內(nèi)部電流源開始為這個(gè)外部電容充電。電容達(dá)到一定的閾值電壓時(shí)，數(shù)字故障引腳拉低，表明受時(shí)間延長(zhǎng)的過壓影響，調(diào)整管將很快關(guān)閉。如果定時(shí)器引腳電壓繼續(xù)上升到二級(jí)閾值，柵極引腳將拉低，以關(guān)閉MOSFET。

 

定時(shí)器電壓的變化率隨通過MOSFET的電壓而變化，也就是說，電壓越大，時(shí)間越短，電壓越小，時(shí)間越長(zhǎng)。這個(gè)有用特性使器件能夠平穩(wěn)度過短時(shí)過壓事件，允許下游元器件保持運(yùn)行，同時(shí)保護(hù)MOSFET不因持續(xù)時(shí)間更長(zhǎng)的過壓事件出現(xiàn)損壞。有些器件具有重試功能，使器件能在冷卻之后再次打開輸出。

 

過流保護(hù)

 

許多浪涌抑制器都能夠監(jiān)測(cè)電流和保護(hù)器件不受過流事件影響。這是通過監(jiān)測(cè)串聯(lián)感應(yīng)電阻上的壓降并作出適當(dāng)響應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的。也可以通過監(jiān)測(cè)和控制浪涌電流來保護(hù)MOSFET。其響應(yīng)可能與過壓情況類似，這是因?yàn)槿绻娐纺軌蚪邮苓@種功率電平，那么它要么通過閂鎖斷開，要么通過穿越事件來斷開。

 

反向輸入保護(hù)

 

浪涌抑制器具有廣泛的操作能力（能夠承受某些器件上高達(dá)60 V的地下電壓），所以能夠提供反向輸入保護(hù)。圖10顯示了提供反向電流保護(hù)的背對(duì)背MOSFET配置。在正常運(yùn)行期間，Q2和Q1由柵極引腳開啟，Q3不產(chǎn)生任何影響。但是，出現(xiàn)反向電壓連接時(shí)，Q3開啟，將Q2的柵極下拉至負(fù)輸入并隔離Q1，以保護(hù)輸出。

 

也可以通過可靠的器件引腳保護(hù)來實(shí)現(xiàn)反向輸出電壓保護(hù)，根據(jù)所選的器件，可以承受高達(dá)20 V的地下電壓。

 

圖10.LT4363反向輸入保護(hù)電路。

 

對(duì)于需要寬輸入電壓范圍的應(yīng)用，可以使用浮動(dòng)拓?fù)淅擞恳种破鳌０l(fā)生浪涌事件時(shí)，浪涌抑制器IC會(huì)監(jiān)控整個(gè)浪涌電壓，由內(nèi)部晶體管技術(shù)限制IC的電壓范圍。使用浮動(dòng)浪涌抑制器（例如 LTC4366）時(shí)，IC浮動(dòng)剛好低于輸出電壓，為其提供更廣泛的工作電壓范圍。返回線中包含一個(gè)電阻(VSS)，允許IC隨電源電壓浮動(dòng)。如此，由外部元器件和MOSFET的電壓功能設(shè)置輸入電壓限值。圖11顯示的應(yīng)用電路可以在保護(hù)后端負(fù)載時(shí)，使用極高的直流電源正常運(yùn)行。

 

圖11.LTC4366高壓浮動(dòng)拓?fù)洹?/div>