識(shí)別MOS管和IGBT管的方法
發(fā)布時(shí)間:2019-05-09 責(zé)任編輯:xueqi
【導(dǎo)讀】MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常??墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。以下為大家介紹識(shí)別MOS管和IGBT管的方法。
MOS管
MOS管即MOSFET,中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場效應(yīng)管。其特性,輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。
IGBT管
IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應(yīng)晶體管,是MOS管與晶體三極管的組合,MOS是作為輸入管,而晶體三極管作為輸出管。于是三極管的功率做的挺大,因此兩者組合后即得到了MOS管的優(yōu)點(diǎn)又獲得了晶體三極管的優(yōu)點(diǎn)。
綜上所述的兩種晶體管,是目前電子設(shè)備使用頻率很高的電子元器件,兩者在外形及靜態(tài)參數(shù)極其相似,某些電子產(chǎn)品是存在技術(shù)壟斷, 在電路中有時(shí)它們的型號(hào)是被擦掉的,截止目前,它們?cè)诿麡?biāo)準(zhǔn)及型號(hào)統(tǒng)又沒有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),而外型及管腳的排列相似,根本無規(guī)律可循,成為維修過程中的攔路虎,如何區(qū)分和判斷成為必要手段。
MOS管和IGBT管的辨別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣,IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對(duì)應(yīng),IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對(duì)應(yīng),對(duì)它們的好壞判斷及及區(qū)分可以用動(dòng)靜態(tài)測量方法來完成。
一、靜態(tài)測量判斷MOS管和IGBT管的好壞
先將兩個(gè)管子的管腳短路放掉靜電,MOS管的D極與S極之間有個(gè)PN接,正向?qū)ǚ聪蚪刂梗谑怯蠷gd=Rgs=Rds=無窮大,Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應(yīng)為無窮大,即Rgc=Rge=無窮大,而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在,因此具有單向?qū)щ姺聪蚪刂固匦?,即Rce=無窮大,Rec=幾千歐。從這里只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞,卻區(qū)分不出是那種管子。測量得阻值很小,則說明管子被擊穿,測量阻值很大,說明管子內(nèi)部斷路。
動(dòng)態(tài)測量區(qū)分MOS管和IGBT管
先用萬用表給管子的柵極施加電壓,是場效應(yīng)管建立起溝道,然后測量D、S及c、e之間的阻值,根據(jù)阻值的差異來區(qū)分MOS管和IGBT管。
用萬用表的電阻檔測量兩個(gè)管子的D、S及c、e之間的電阻,由于場效應(yīng)管已經(jīng)建立溝道,Rds=Rsd≈0,而Rce之間呈現(xiàn)電阻Rce,晶體三極管處于放大狀態(tài)的導(dǎo)通電阻,Rec為內(nèi)部阻尼二極管的導(dǎo)通電阻,兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測量可知,兩個(gè)管子的導(dǎo)通程度不一樣,MOS管的D、S之間電阻值是遠(yuǎn)小于IGBT管c、e之間的電阻值,于是可以分辨出MOS與IGBT管。
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