雖然可以對各種器件進行開路和短路測試，但這在半導體驗證測試中最為常見。本文將詳細描述在CMOS芯片上測試開路和短路的過程。

 

在深入研究開路和短路測試的技術(shù)細節(jié)之前，我們必須首先了解其與半導體驗證的相關(guān)性。半導體驗證通常分為結(jié)構(gòu)和功能兩部分。結(jié)構(gòu)測試可確保芯片正確構(gòu)建。功能測試確定芯片是否符合設(shè)計規(guī)范并在最終環(huán)境中按預(yù)期執(zhí)行。打開和短路測試檢查半導體芯片的保護二極管電路中的故障。因此，它是一種結(jié)構(gòu)測試。
 

下圖表示典型的CMOS芯片?？梢钥闯觯總€引腳都具有保護二極管和CMOS晶體管的網(wǎng)絡(luò)。

 

 

圖1： CMOS芯片的內(nèi)部電路

 

每個輸入引腳上的CMOS晶體管通過允許電流從V DD（芯片的電源電壓）流入DUT電路以及從DUT電路流向V SS（地）來起到開關(guān)的作用。如果在輸入或輸出引腳上感應(yīng)出過壓，可能會損壞CMOS晶體管。為了保護這些器件，每個信號引腳都放置了兩個二極管（參見圖1）。第一個位于信號引腳和V DD之間，第二個位于信號引腳和V SS之間。如果在任何引腳上施加大于V DD的正過壓，則V DD二極管變?yōu)檎蚱茫试S電流在信號引腳和V DD之間流動。類似地，如果在任何引腳上施加大于V SS的負過壓，則V SS二極管變?yōu)檎蚱?，允許電流在V SS和信號引腳之間流動。這樣，保護二極管可防止在過壓條件下?lián)p壞CMOS晶體管和DUT電路。V DD和V SS保護二極管必須在開路和短路條件下進行測試，以確保其正常工作。如果保護二極管缺失或功能不正常，可能會出現(xiàn)開路情況。如果存在直接連接，則可能出現(xiàn)短暫情況：

 

引腳和V DD之間

引腳和V SS之間

引腳和另一個信號引腳之間

 

這些短路故障模式中的每一種都妨礙了設(shè)備的正確操作。打開并短接所有上述故障模式的測試檢查。

 

注：CMOS集成電路基于FET技術(shù)，因此通常使用V DD / V SS術(shù)語來確定正電源電壓/負電源電壓（接地）。這些端子也可以記錄為V CC / Gnd。

 

1.第1節(jié)：硬件設(shè)置

 

測試設(shè)置

開路和短路的測試設(shè)置分為兩個例程：測試V DD保護二極管和測試V SS保護二極管。

 

測試V DD保護二極管

為了檢測信號引腳的V DD保護二極管的開路或短路，將V SS，V DD和所有其他信號引腳連接到SMU地，并將最小電流（即100μA）強制插入信號引腳。如果V DD保護二極管正常工作，它將變?yōu)檎蚱?，電流將在信號引腳和V DD之間流動（見圖2）。

 

 

圖2：測試VDD二極管（開關(guān)未顯示）

 

通過測量正向偏置V DD二極管兩端的壓降，我們可以確定它是否正常工作。如果信號引腳和地之間測量的電壓接近0 V（或接地），則信號引腳與地之間通過V SS，V DD和/或另一個信號引腳之間存在一個或多個短路。如果在信號引腳之間測量的電壓或上升到高于可接受的正向偏置電壓的電位，則信號引腳和地之間存在開路。如果測得的電壓是可接受的正向偏壓，則V DD保護二極管正常工作。表1顯示了V DD的示例 保護二極管測試結(jié)果和由此產(chǎn)生的通過/失敗規(guī)范。

 

注意： 沒有電流（除少量漏電流外）流過V SS保護二極管，因為它會反向偏置。

 

注意： 可接受的正向偏壓通常取決于制造半導體二極管的材料。然而，制造技術(shù)也可用于降低正向偏置電壓降。硅二極管的正向偏壓通常被認為是0.65 V.精確的電壓降取決于流過二極管pn結(jié)的電流，結(jié)的溫度和幾個物理常數(shù)。正向偏置電壓降，施加電流和相關(guān)變量之間的關(guān)系如下圖3所示，通常稱為二極管方程：

 

 

圖3：二極管方程

 

二極管方程中的變量如下所述。ID =二極管電流（A）IS =飽和電流（A）VD =二極管兩端的電壓降（V）N =理想系數(shù)，介于1和2 Vt之間=熱電壓（V），室溫下約25.85 mV兩者之間的電壓信號引腳和地將接近0 V，測試結(jié)果將為Fail：Shorted。如果其他信號引腳未全部接地，電流仍會流過正向偏置的V DD保護二極管（如圖2所示），測試結(jié)果為Pass。

 

測試V SS保護二極管

測試V SS二極管的過程與測試V DD二極管的過程相同。所有引腳（包括V SS和V DD）都連接到SMU地。然而，這次，相同值的負電流（即-100μA）被強制進入信號引腳。如果V SS保護二極管正常工作，它將變?yōu)檎蚱?，電流將在V SS和信號引腳之間流動（見圖4）。

 

 

圖4：測試VSS二極管（開關(guān)未顯示）

 

注意：沒有電流（除了少量漏電流）流過V DD保護二極管，因為它會反向偏置。

 

通過測量正向偏置V DD二極管兩端的壓降，我們可以確定它是否正常工作。表2列出了V SS保護二極管的測試參數(shù)。

 

 

自動化測試設(shè)置

 

有兩種常見的硬件配置可用于執(zhí)行開路/短路測試。首先，外部開關(guān)系統(tǒng)前端和可編程源測量單元可用于自動化V DD和V SS保護二極管測試。開關(guān)系統(tǒng)可以掃描預(yù)先配置的狀態(tài)，創(chuàng)建到半導體器件的V DD，V SS和信號引腳所需的電流和接地路徑。源測量單元可以強制所需的電流并測量從每個信號引腳到地的結(jié)果電壓（見圖5）。其次，除了交換系統(tǒng)外，還可以使用PXIe-6556，也可以使用卡的PPMU功能在數(shù)字引腳上使用。選項一將在下面詳細討論。

 

 

圖5a：使用SMU和MUX進行Opens / Shorts自動測試設(shè)置

 

 

圖5b：使用HSDIO打開/短接自動測試設(shè)置

 

以下步驟概述了使用上述SMU和開關(guān)組合進行開路和短路測試的過程：

 

第1步：將所有引腳接地

為了通過FET開關(guān)將SMU連接到DUT，使用矩陣拓撲結(jié)構(gòu)，其中SMU的引腳連接到矩陣中的行，而引腳來自芯片連接到列。

 

通過關(guān)閉矩陣上的所有連接來完成DUT上所有引腳的接地，該連接將PXI-4130 SMU的地線連接到DUT上的引腳。從PXI-4130 SMU低引腳到V DD和V SS的連接直接通過電纜而不是通過開關(guān)完成。這是因為V DD和V SS引腳始終連接到SMU低引腳。雖然所有信號引腳最初都連接到SMU Low，但它們依次連接到SMU測量通道，因此通過矩陣開關(guān)連接到SMU。

 

重要的是不僅要將V SS和V DD連接到地。在測試保護二極管之前，所有其他信號引腳應(yīng)接地。將所有其他信號引腳接地可確保檢測到任何信號引腳到信號引腳短路。有關(guān)進一步說明，請參見圖6。當在兩個信號引腳之間檢測到短路時，被測引腳和SMU低電壓之間的電壓應(yīng)該超出表1和表2中列出的可接受范圍（理想情況下為0V），測試應(yīng)該失敗。如果其他信號引腳未全部接地，則電流仍會流過正向偏置的V DD保護二極管，測試結(jié)果為Pass。見下面的圖6。

 

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圖6：接地引腳對于檢測短路至關(guān)重要

 

步驟2：在3 V的SMU上設(shè)置電壓鉗

為了在開路條件下產(chǎn)生的極限電壓，在SMU上設(shè)置上限電壓鉗位。如果未設(shè)置鉗位且電路開路，則SMU將測量非常高的電壓值。這可能會損壞芯片電路。在PXI-4130上，電壓鉗位電平在軟件中設(shè)置為3 V. 3 V是可接受的值，因為它高于檢測開路（1.5V）的測試限值，并且在大多數(shù)CMOS的規(guī)格范圍內(nèi)芯片。

 

步驟3：從SMU強制±100uA并測量產(chǎn)生的電壓

SMU每次向一個信號引腳的二極管施加±100μA的電流，并測量產(chǎn)生的電壓。每個引腳通過矩陣開關(guān)依次連接到SMU。對于該測試，預(yù)期電壓約為±0.65V（正向偏置二極管兩端的電壓降）。測量由強制電流產(chǎn)生的電壓并與測試規(guī)格表進行比較，以確定最終的測試結(jié)果。

 

回到頂部2.第2節(jié)：軟件設(shè)置

該開放和短路系統(tǒng)的軟件是使用NI LabVIEW和NI Switch Executive開發(fā)的。LabVIEW用作主應(yīng)用程序開發(fā)環(huán)境（ADE），而Switch ExecuTIve用于配置高密度矩陣上的路由。

 

以下軟件版本用于實施Opens and Shorts Semiconductor測試：

LabVIEW 8.5圖形編程環(huán)境

Switch ExecuTIve 2.1.1交換機管理軟件

可以從本文檔末尾的鏈接下載本文檔中描述的LabVIEW代碼。

 

注意： LabVIEW圖形化編程語言中的功能塊稱為“虛擬儀器”或“VI”。因此，在描述本節(jié)中的過程時將使用首字母縮略詞‘VI’。

 

如前所述，開路和短路測試可分為兩個例程：a）測試V DD保護二極管，b）測試V SS保護二極管。兩個例程都可以使用相同的硬件連接來執(zhí)行，并且編程例程的唯一區(qū)別可以是簡單地改變SMU的強制電流的方向。由于這些相似之處，本文檔僅概述了演示如何測試V SS保護二極管的示例。該測試程序可以復(fù)制并稍作改動，以測試V DD保護二極管。有關(guān)必要變更的詳細信息，請參見文件末尾。

 

測試V SS保護二極管的步驟如下：

初始化，配置和啟用SMU輸出

初始化開關(guān)硬件并將所有DUT引腳連接到地

使用5544交叉點FET矩陣迭代信號引腳

斷開被測信號引腳與地之間的連接

將SMU連接到被測信號引腳

測量被測信號引腳和地之間的電壓

對測量的電壓進行分析以確定測試結(jié)果

斷開SMU與被測信號引腳的連接

將被測信號引腳重新接地

禁用SMU的輸出并關(guān)閉SMU會話句柄

從開關(guān)硬件斷開所有信號引腳并關(guān)閉NISE會話句柄

初始化SMU，配置和啟用SMU的輸出

 

使用LabVIEW中的NI-DCPower API初始化，配置和啟用PXIe-4141 SMU的輸出。有關(guān)框圖代碼的圖片，請參見圖7。

 

 

圖7：在LabVIEW中初始化，配置和啟用SMU輸出

 

SMU的資源名稱被送入IniTIalize VI以初始化SMU并提供SMU會話句柄。然后將SMU會話句柄傳遞給所有后續(xù)的NI-DCPower VI。接下來，SMU的通道1配置為DC電流，這是它將進行測試的原因。NI-DCPower配置VI可以按任何順序連接，只要在啟用SMU輸出之前設(shè)置所有參數(shù)即可。需要饋送的參數(shù)包括電流水平，電流水平范圍，電壓限制和電壓限制范圍。

 

IniTIalize VI之后的步驟是niDCPower屬性節(jié)點。該步驟指示SMU根據(jù)電流水平和電壓限制輸入自動確定和設(shè)置電流水平和電壓限制范圍。屬性節(jié)點后面的VI確認SMU將用于DC電流模式。接下來，將電流水平設(shè)置為-100μA（測試V SS保護二極管，配置通道1，使電流流入SMU，V SS保護二極管正向偏置）和電壓限制，或者電壓鉗位設(shè)置為3 V（相當于±3 V）。

 

最后，輸入到配置輸出啟用VI的布爾值true啟用SMU的輸出，將配置參數(shù)提交給設(shè)備并開始通過SMU的通道1的-100μA電流。

 

初始化開關(guān)硬件并將所有DUT引腳連接到地

初始化開關(guān)硬件并將其設(shè)置為V DD，V SS和所有DUT的信號引腳接地的狀態(tài)。使用LabVIEW控制開關(guān)有多種方法，但是將系統(tǒng)切換硬件編程的最佳方法是使用NI Switch Executive API。有關(guān)框圖代碼的圖片，請參見圖8。

 

 

圖8：初始化開關(guān)硬件并將所有DUT引腳連接到地

 

NI Switch Executive（NISE）虛擬設(shè)備名稱被輸入到Open Session VI，以打開系統(tǒng)中所有交換機的會話句柄。NI Switch Executive將這些會話句柄存儲在一個NISE會話句柄中，該句柄傳遞給所有后續(xù)的NISE VI。“斷開所有”VI斷開NI Switch Executive會話管理的每個交換機設(shè)備上的所有連接，從而將交換機系統(tǒng)配置設(shè)置為未連接交換機路由的已知狀態(tài)。最后，GND到DUT路由組中的所有路由都被連接，這導致開關(guān)硬件被設(shè)置為V DD，V SS和所有DUT的信號引腳接地的狀態(tài)。

 

要了解有關(guān)NI Switch Executive Virtual Device的更多信息以及如何創(chuàng)建一個，請查看本文末尾鏈接的7分鐘NI Switch Executive演示。

 

迭代信號引腳，一次測試一個

使用LabVIEW‘For Loop’迭代DUT信號引腳。在“For Loop”中，使用NI Switch Executive VI將被測DUT信號引腳與地斷開，并將待測DUT信號引腳連接到SMU的通道1。使用NI-DCPower VI測量每個DUT信號引腳與地之間的電壓。在繼續(xù)下一次For循環(huán)迭代之前，將待測DUT信號引腳從SMU的通道1斷開，然后將其重新連接到地（參見圖9）。

 

圖9：斷開GND，連接SMU，測量，斷開SMU和重新連接GND

 

在上圖中，我們：

斷開被測信號引腳與地之間的連接

將SMU連接到被測信號引腳

測量被測信號引腳和地之間的電壓

根據(jù)電壓測量確定測試結(jié)果

斷開SMU與待測DUT信號引腳的連接

將待測DUT信號引腳重新接地

 

使用NI Switch Executive中創(chuàng)建的路由組完成斷開和重新連接DUT信號引腳的過程。路由組用于將交換矩陣置于所需狀態(tài)。要了解有關(guān)路由組的更多信息以及如何創(chuàng)建一個視圖的更多信息，請參閱本文檔末尾的7分鐘NI Switch Executive演示。第一個路由組包含將DUT信號引腳連接到地的路由，第二個路由組包含將DUT信號引腳連接到SMU的通道1的路由（參見圖10）。

 

圖10：設(shè)置路由組以簡化索引正確的DUT信號引腳

 

接下來，LabVIEW中的NI Switch Executive配置API提供對所有NI Switch Executive功能的完全編程訪問，用于從所有路由組中提取單個路徑名稱。結(jié)果將是兩個字符串數(shù)組，包括路由組1和路由組2的路由（參見圖11）。

 

圖11：使用NI Switch Executive Configuration API的陣列輸出

 

將這些數(shù)組傳遞給For循環(huán)將自動索引數(shù)組。例如，在循環(huán)的第一次迭代中，要在循環(huán)內(nèi)連接和斷開的索引路由是DUT_Signal_Pin0_to_GND和DUT_Signal_Pin0_to_SMU_Channel1。在循環(huán)的第二次迭代中，索引路由是DUT_Signal_Pin1_to_GND和DUT_Signal_Pin1_to_SMU_Channel1。這將繼續(xù)，直到數(shù)組索引每個元素。您不限于此命名方案。您可以在“Switch Exec for OS”VI的“路由組1”和“路由組2”控制字段中輸入您的特定陣列名稱。

 

根據(jù)DUT的通過/失敗規(guī)范，確定電壓測量是否表明DUT信號引腳上的V SS保護二極管已經(jīng)通過，失效打開或因短路而失效（見圖12）。

 

 

圖12：根據(jù)電壓測量確定測試結(jié)果

 

在進行電壓測量并確定測試結(jié)果后，斷開SMU的通道1與被測DUT信號引腳的連接，并將被測引腳重新接地。

 

禁用SMU的輸出并關(guān)閉SMU會話句柄

使用NI-DCPower VI禁用SMU的輸出并關(guān)閉SMU會話句柄。有關(guān)框圖代碼的圖片，請參見圖13。

 

 

圖13：禁用SMU輸出并關(guān)閉SMU會話句柄

 

輸入到配置輸出啟用VI的布爾值false禁用SMU的輸出，停止通過通道1的-100μA電流。關(guān)閉VI關(guān)閉SMU會話句柄并重新分配先前保留的SMU資源。

 

注意： 如果在調(diào)用關(guān)閉VI時仍然啟用了電源輸出，則通道1將保持其當前狀態(tài)并繼續(xù)吸收電流。

 

從開關(guān)硬件斷開所有信號引腳并關(guān)閉NISE會話句柄

使用NI Switch Executive VI斷開V DD，V SS和其余信號引腳與交換硬件的連接并關(guān)閉NISE會話句柄。有關(guān)框圖代碼的圖片，請參見圖14。

 

 

圖14：斷開所有信號引腳并關(guān)閉NISE會話句柄

 

Disconnect All VI再次斷開NI Switch Executive會話管理的每個交換機設(shè)備上的所有連接，從而將交換機系統(tǒng)配置設(shè)置為未連接交換機路由的已知狀態(tài)。Close Session VI關(guān)閉系統(tǒng)中所有交換機的會話句柄。雖然不是必需的，但包含錯誤處理程序通常很有幫助。如果發(fā)生錯誤，VI將返回錯誤描述，并可選擇顯示包含錯誤信息的對話框。

 

修改代碼以測試V DD保護二極管

要修改V SS保護二極管測試，必須首先禁用SMU，然后在重新啟用SMU之前，應(yīng)更改配置以在通道1上強制100μA而不是-100μA。For循環(huán)可以執(zhí)行完全相同的連接和斷開，進行測量并確定測試結(jié)果。

 

結(jié)合V SS和V DD保護二極管測試

確定每個DUT信號引腳的最終結(jié)果可以通過組合V SS和V DD保護二極管測試的結(jié)果來完成。只有當兩個保護二極管都通過各自的測試時，才能確定通過的最終結(jié)果。有多種方法可以顯示測試結(jié)果，包括但不限于a）將布爾值傳遞到LED陣列，以及b）在數(shù)組中格式化和顯示字符串簇。