復(fù)位電路是一種用來使電路恢復(fù)到起始狀態(tài)的電路設(shè)備，它的操作原理與計算器有著異曲同工之妙，只是啟動原理和手段有所不同。復(fù)位電路，就是利用它把電路恢復(fù)到起始狀態(tài)。就像計算器的清零按鈕的作用一樣，以便回到原始狀態(tài)，重新進(jìn)行計算。

 

和計算器清零按鈕有所不同的是，復(fù)位電路啟動的手段有所不同。一是在給電路通電時馬上進(jìn)行復(fù)位操作；二是在必要時可以由手動操作；三是根據(jù)程序或者電路運行的需要自動地進(jìn)行。復(fù)位電路都是比較簡單的大都是只有電阻和電容組合就可以辦到了，再復(fù)雜點就有三極管等配合程序來進(jìn)行了。

 

 

電阻的作用不是限制電流的大小，而是控制復(fù)位時間。電容充電時間與RC的值成正比。復(fù)位電路中的電容只是在上電那一會兒起作用，充電瞬間電容有電流流過，所以RST端得到高電平，充電結(jié)束后沒有電流了，則RST端變?yōu)榈碗娖健?a target="_blank" style="text-decoration:none;" >晶振電路在單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的電路，電路里一定會有電源的。讓復(fù)位端電平與電源電平變化不同步讓復(fù)位端電平的上升落后于電源電平的上升，在一小段時間內(nèi)造成這樣的局面：

 

1、電源達(dá)到正常工作電源；

 

2、復(fù)位電平低于低電平閾值（被當(dāng)作邏輯0）；

 

這種狀態(tài)就是復(fù)位狀態(tài)。僅用一個電阻是不可能同時實現(xiàn)這兩條的。復(fù)位，就是提供一個芯片要求的復(fù)位條件，一般是N個機(jī)器周期的固定電平。低電平復(fù)位就是芯片可正常工作后保持N個以上周期的低然后變高即可。高電平復(fù)位就是芯片可正常工作侯保持N個周期以上的高然后變低即可。

 

 

上電瞬間，由于電容兩端電壓不能突變，RST引腳電壓端為VR為VCC，隨著對電容的充電，RST引腳的電壓呈指數(shù)規(guī)律下降，到t1時刻，VR降為3.6V，隨著對電容充電的進(jìn)行，VR最后將接近0V。為了確保單片機(jī)復(fù)位，t1必須大于兩個機(jī)器周期的時間，機(jī)器周期取決于單片機(jī)系統(tǒng)采用的晶振頻率，R不能取得太小，典型值8.2kΩ；t1與RC電路的時間常數(shù)有關(guān)，由晶振頻率和R可以算出C的取值。

 

假設(shè)高電平復(fù)位有效，一充一放周期是1.386*RC，舍去充放過程中較低的電平，一般的單片機(jī)復(fù)位脈沖寬度取值：（0.7~1）RC反正都是大概的，電平保持時間越長越好，電容大點好。單位是：（R）*（C）=（歐姆）*（法拉）＝秒

 

例如：R＝470K，C＝0.15UF則延時時間是（470*1000）*（0.15/1000000）＝0.0705秒。