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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)

發(fā)布時(shí)間:2008-11-03 來(lái)源:浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院

中心論題:

  • 分析倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源主電路工作原理
  • 分析倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路,提出相關(guān)電路參數(shù)的選擇原則
  • 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

解決方案:

  • 采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān),利用倍頻電路的特性將電路推向高頻化
  • 選擇合適的Cd和LT的值,在一定程度上減小浪涌電流的大小

 

引言
絕緣柵雙極型晶體管ICBT(Insulated Gale Bipolar Translstor)是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,它既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和快速的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件容量大的特點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)使得IGBT在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān),利用倍頻電路的特性將電路推向高頻化,通過(guò)改變內(nèi)外槽路頻率差的大小,可以實(shí)現(xiàn)功率的調(diào)節(jié)和負(fù)載的匹配。

在工件淬火和焊接等工藝中,由于各種原因會(huì)造成電源負(fù)載端突然短路。本文通過(guò)對(duì)負(fù)載短路時(shí)的電路特性的研究,提出了電路參數(shù)的選擇原則。

主電路工作原理分析
倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源主電路如圖1所示。電路在穩(wěn)態(tài)下,通過(guò)S1~S4和D1~D4的輪流導(dǎo)通,換流支路和隔直電容之間進(jìn)行充放電,產(chǎn)生的振蕩電流流經(jīng)負(fù)載交流等效電阻RH,構(gòu)成負(fù)載電流的正負(fù)半波。

其一個(gè)工作循環(huán)可分為表1中幾個(gè)階段。



 
負(fù)載短路分析
在負(fù)載短路時(shí),逆變橋囚侵入干擾信號(hào)而產(chǎn)生直通短路,逆變橋輸入電壓突降為零。這時(shí),原來(lái)儲(chǔ)藏在濾波電感Ld中的磁能和隔直電容Cd中的電能均分別以短路電流ids和iHs的形式向逆變電路釋放,等效電路圖為圖2(a)所示。橋中IGBT流過(guò)的短路電流is為

 
式中:ωs為振蕩電流的振蕩周期;

δs為振蕩電流的衰減系數(shù)。

這一浪涌電流由檢測(cè)電路檢巾并使保護(hù)電路立即動(dòng)作,發(fā)出過(guò)流信號(hào),整流電路即由整流狀態(tài)向逆變電路過(guò)渡。逆變橋關(guān)斷時(shí)的等效電路如圖2(b)所示,短路電流ids移至Cd支路,Cd被充電,Cd端壓逐漸上升,短路電流下降,此后短路電流在Cd、Ld、以及吸收電路中R和C構(gòu)成的回路中作振蕩衰減,直至能量消耗完為止。ids沿Ld流過(guò),由于電路的慣性較大,電流增長(zhǎng)不多,近似于短路前的工作電流Ido,于是浪涌電路的幅值為Ism=IHsm+Ido (4)


 
要減小負(fù)載短路時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流對(duì)功率管的沖擊,一般采用兩種方案:其一,實(shí)時(shí)檢測(cè)電流大小,當(dāng)超過(guò)保護(hù)設(shè)定值時(shí),保護(hù)電路立即動(dòng)作,這就要求保護(hù)電路的動(dòng)態(tài)特性非常好,包括檢測(cè)電路的延時(shí)、保護(hù)動(dòng)作電路的延時(shí),在高頻電路中實(shí)現(xiàn)起來(lái)是很困難的;其二,主電路中采取限流元器件,使電路發(fā)生短路時(shí),電流上升的速度緩慢,這樣保護(hù)電路有充足的時(shí)間來(lái)響應(yīng)。在本系統(tǒng)中,考慮到電路頻率較高,容量較大,發(fā)生短路時(shí)要求保護(hù)很迅速,因此采用以上兩種方案相結(jié)合:檢測(cè)電路檢測(cè)到過(guò)流時(shí),采用降柵壓慢關(guān)斷技術(shù),增強(qiáng)功率器件的瞬時(shí)過(guò)流能力,而后保護(hù)電路動(dòng)作;同時(shí),從式(3)可以看出,選擇合適的Cd和LT的值,可以在一定程度上減小浪涌電流的大小。

所謂降柵壓慢關(guān)斷技術(shù)指的是,當(dāng)IGBT出現(xiàn)過(guò)流時(shí),先將其柵極驅(qū)動(dòng)電壓降低,然后將其關(guān)斷,一是延長(zhǎng)了IGBT能夠承受過(guò)流的時(shí)間,二是可以降低器件受到過(guò)流沖擊的幅度。過(guò)流時(shí)器件通態(tài)壓降升高,管子瞬時(shí)熱損耗急劇增加,為防止器件熱損壞,過(guò)流時(shí)間應(yīng)足夠短,一般<10μs。SHARP公司的光耦合器PC929將這一功能和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起,器件內(nèi)部原理圖如圖3所示。

 
從圖3中可以看出,當(dāng)過(guò)流發(fā)生時(shí),PC929的腳⑨檢測(cè)到IGBT導(dǎo)通壓降升高,IGBT protectorcircuit作用溝肐GBT的驅(qū)動(dòng)電壓降低,以限制IGBT的短路沖擊電流幅值。同時(shí),可以將短路信號(hào)送至控制電路,并將IGBT驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷,避免器件因過(guò)流而損壞。將保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路集成,既可以減小保護(hù)電路響應(yīng)時(shí)間,又可以減小外界噪聲干擾。

下面通過(guò)仿真來(lái)選擇合適的Cd和LT之值,從而減小短路浪涌電流峰值。一般來(lái)講,IGBT的瞬時(shí)承受浪涌電流的能力是其額定電流的2~3倍。因此,在該電路設(shè)計(jì)時(shí)取IGBT的瞬時(shí)承受的電流為250A,當(dāng)直流電壓Ucd=500V時(shí),為了使短路發(fā)生時(shí)不至于燒壞IGBT,從式(3)可知,Cd和LT必須滿足式(5)。

 
從減小短路電流的角度看,Cd要盡可能小,LT要盡可能大。但Cd過(guò)小,電路工作時(shí)存在以下缺點(diǎn):隔直效果不理想;輸出電壓正弦失真度過(guò)高,輸出電壓降低,加熱效果不理想;反并二極管重新導(dǎo)通,增加二極管的電流容量,如圖4所示。

 
當(dāng)LT過(guò)大時(shí),電路工作時(shí)存在以下缺點(diǎn):LT上的高頻壓降過(guò)高,使得輸出電壓降低;管子關(guān)斷時(shí)承受的正向阻斷電壓升高;內(nèi)槽路諧振頻率減小,IGBT和二極管出現(xiàn)二次導(dǎo)通,如圖5所示。

 
圖6是LT/Cd=4,Cd=0.75μF,LT=3μH時(shí)的仿真波形,通過(guò)與圖4和圖5的對(duì)比可以看出,此時(shí)參數(shù)選擇最為合適。

 
上述仿真波形中存在的振蕩,均是由器件的寄生電容、二極管反向恢復(fù)過(guò)程引起的。圖7是在LT從3μH變化到8μH時(shí),管子關(guān)斷時(shí)承受的電壓波形和負(fù)載輸出電壓波形。可以看出LT在這一范圍取值是比較合適的。

 
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
結(jié)合前面的分析,做了相關(guān)的實(shí)驗(yàn),其波形如圖8所示。該實(shí)驗(yàn)中IGBT的工作頻率是50kHz,負(fù)載輸出頻率為100kHz。

 
圖8中曲線1是流過(guò)IGBT的電流波形,由于電流互感器方向與電流實(shí)際方向相反,所以,與曲線2所示的IGBT兩端電壓uds的波形邏輯相反。

從波形來(lái)看,實(shí)驗(yàn)波形驗(yàn)證了前面分析的正確性。

結(jié)語(yǔ)
采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān),利用倍頻電路的特性可以將電路推向高頻化。在負(fù)載短路時(shí),選擇合適的Cd和LT的值,可以在一定程度上減小浪涌電流的大小,從而更好地保護(hù)電路,保證了電路的可靠運(yùn)行。

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