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微結(jié)構(gòu)不均勻性(負(fù)載效應(yīng))及其對器件性能的影響:對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中,電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中,經(jīng)常會碰到器件失效或系統(tǒng)故障,這時為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性,就需要定量的來描述具體的失效率,這就需要用專業(yè)的術(shù)語來溝通,而有的工程師喜歡談FIT,有的工程師喜歡談MTBF,其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的,因此有必要在此簡析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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康普觀點:構(gòu)建合適的 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要
數(shù)字化一直是推動著后疫情時期許多機(jī)構(gòu)反彈回升的關(guān)鍵使能因素,在推動復(fù)蘇的進(jìn)程中,最具變革性的可能要屬互聯(lián)設(shè)備的指數(shù)級采用。亞太地區(qū)在此趨勢中居于領(lǐng)先,據(jù)行業(yè)報告預(yù)測,到 2026 年,區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場將呈指數(shù)級增長,達(dá)到 4,370 億美元。然而,當(dāng)前的 Wi-Fi 連接標(biāo)準(zhǔn)可能無法提供足夠...
2021-08-19
康普 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施
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IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站
IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站,是一個關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈,覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運(yùn)算與平臺層、應(yīng)用層,涉及RFID(無線射頻識別)技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費(fèi)移動支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...
2021-08-17
國際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居 智能電網(wǎng) AIoT
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合,但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態(tài)特性,控制特性,保護(hù)以及損耗與熱特性。
2021-08-16
大功率晶閘管 正向特性
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功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用
本文總結(jié)了功率因素校正電路PFC電感加旁路二極管作用的幾種不同解釋:減少主二極管的浪涌電流;提高系統(tǒng)抗雷擊的能力;減少開機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流,防止電感飽和損壞功率MOSFET。
2021-08-13
電路PFC電感 旁路二極管
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使用低功耗藍(lán)牙,擺脫線纜束縛
隨著對附加傳感器、智能顯示器以及與外界聯(lián)系能力的需求不斷加強(qiáng),設(shè)備和機(jī)器朝著更智能的方向發(fā)展。伴隨這些功能而來的是復(fù)雜度增加。由于設(shè)備出現(xiàn)故障時,需要打開設(shè)備或連接到端口進(jìn)行問題診斷,這會造成防水難度增加、產(chǎn)品成本和設(shè)備的維修成本增加等多重局限。很多時候,由于成本或結(jié)構(gòu)尺寸因...
2021-08-13
低功耗藍(lán)牙 應(yīng)用案例
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吉時利和Initial State全新方案,在家即可分析DAQ/DMM數(shù)據(jù)
我記得自己擔(dān)任高級項目經(jīng)理那會兒,面對一個新產(chǎn)品開發(fā)環(huán)境,各個團(tuán)隊都壓力山大,要為關(guān)鍵應(yīng)用迅速推出優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,因此生命周期測試成為必須。如果一項測試半夜里無聲無息中斷了,那絕對讓人深惡痛絕,因為它不僅浪費(fèi)了我們寶貴的時間,還浪費(fèi)了我們的測試裝備。我花了無數(shù)個小時,通過圖表理解數(shù)據(jù)。
2021-08-11
吉時利 Initial State DAQ/DMM數(shù)據(jù)
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N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時,該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢,以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。
2021-08-10
N溝道 功率MOSFET 電路應(yīng)用
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