【導讀】基本來講，電容器能夠存儲電荷和更容易地通過較高頻率的交流電流，這是電容器的兩個最明顯的特性。然而，在非常高的頻率下，電容器的寄生參數(shù)如串聯(lián)電阻和電感會對電容器的理想性能產生極大的影響。
基本來講，電容器能夠存儲電荷和更容易地通過較高頻率的交流電流，這是電容器的兩個最明顯的特性。然而，在非常高的頻率下，電容器的寄生參數(shù)如串聯(lián)電阻和電感會對電容器的理想性能產生極大的影響。
理想電容器的數(shù)學描述是：隨著頻率的增加，阻抗|Z|趨近于零。實際測試則顯示，阻抗的頻率邊界與具體應用和元件本身有關。在該邊界處，電容器的等效串聯(lián)電感 (ESL) 會與自身形成LC諧振回路，這就是所謂的自諧振頻率(SRF)。在自諧振頻率范圍內，電容器會發(fā)揮應有的功用；超過這個頻率，電容器就開始像電感器一樣工作，從而阻礙交流電流。
圖 1. 電容器阻抗|Z|在達到自諧振頻率帶前后的表現(xiàn)
值得注意的是，電容器的Q因子通常在自諧振頻率處達到最小值，這一點至關重要。Q因子的定義是電容器的電抗與其等效串聯(lián)電阻 (ESR) 之比，是衡量效率的一個標準，尤其是在能量損耗方面。為獲得最佳性能，操作應保持在此頻率以下。
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