（Table 1:某原廠TLC和QLC性能和壽命對比）

因此，QLC要應用在嵌入式存儲設備上，首先需要解決性能差和壽命短兩大問題。

雖然QLC還不到TLC的1/4寫入性能，但目前消費級固態(tài)存儲產(chǎn)品都有成熟的SLC cache機制，能保證用戶有比較好的突發(fā)寫入性能（寫SLC的性能）。由于嵌入式存儲設備有比較充裕的空閑時間，存儲設備可以利用空閑時間把數(shù)據(jù)從SLC搬到QLC，只要不是重度寫入場景，這部分QLC寫入性能，用戶一般感知不到。

但數(shù)據(jù)一旦寫到QLC，對比TLC，用戶讀取性能變差。針對這個讀取性能差的問題，有一種方案是把熱數(shù)據(jù)（經(jīng)常讀?。懟豐LC，但這樣無疑增加了設備復雜性，而且數(shù)據(jù)搬移帶來了額外的寫放大，這讓壽命本來就不長的QLC“雪上加霜”。

如果說性能問題可以通過SLC解決或者緩解，那對于QLC壽命問題，在分區(qū)存儲引入之前，可能的解決方案有：用戶端使用類F2FS文件系統(tǒng)和使用數(shù)據(jù)分流。

F2FS文件系統(tǒng)化隨機寫為順序?qū)?，這會減少存儲設備內(nèi)部垃圾回收導致的寫放大，但F2FS文件系統(tǒng)本身的垃圾回收，會給存儲設備帶來額外的寫。綜合下來，F(xiàn)2FS文件系統(tǒng)給設備帶來的寫放大不一定減少。

數(shù)據(jù)分流需要主機和設備配合：主機端對數(shù)據(jù)進行冷熱甄別，設備端根據(jù)數(shù)據(jù)的冷熱程度把它們存儲在不同的閃存塊上。數(shù)據(jù)分流能一定程度上減少存儲設備寫放大，但具體能帶來多大收益，這取決于用戶冷熱數(shù)據(jù)的比例，因此有一定的局限性。

今天要介紹減小寫放大的終極大招——分區(qū)存儲（Zoned Storage），它能消除QLC和TLC壽命之間的差異，而且能提升存儲設備性能，讓QLC應用到嵌入式存儲設備上變得可能。

（Figure 1:SMR HDD）

分區(qū)存儲設備的邏輯空間被劃分成一個個連續(xù)的分區(qū)，分區(qū)內(nèi)部只能被順序?qū)懭搿Ｃ總€分區(qū)都有一個寫指針，用于跟蹤下一次寫入的位置。分區(qū)中的數(shù)據(jù)不能被覆蓋，必須首先使用特殊命令（區(qū)域重置）擦除數(shù)據(jù)。

（Figure 2:分區(qū)存儲概念）

除了HDD，基于閃存的固態(tài)存儲設備，也是非常喜歡順序?qū)懭氲?，因為順序?qū)懶阅芎?，而且導致的寫放大也小?！白屩鳈C端順序?qū)懭搿币恢笔枪虘B(tài)存儲設備的夢想，在SMR HDD助力下，分區(qū)存儲生態(tài)日趨完善，NVMe也制定了ZNS（Zoned Namespace）標準，SSD也算是“圓夢”了。

分區(qū)存儲帶來的一大好處就是能消除存儲設備內(nèi)部的垃圾回收。存儲設備垃圾回收會導致兩個主要問題：一是引入寫放大，導致存儲設備壽命減少；二是垃圾回收的同時如果伴有主機讀寫，垃圾回收操作則會影響主機讀寫性能。

（Figure 3:垃圾回收示例）

垃圾回收原理：為騰出空閑閃存塊，需要把有效數(shù)據(jù)A、B、C從源閃存數(shù)據(jù)塊搬到新的閃存塊，內(nèi)部數(shù)據(jù)的搬移引入寫放大。寫放大 = 寫入閃存的數(shù)據(jù)量/主機寫入的數(shù)據(jù)量，寫放大越大，對閃存磨損越厲害。

如果分區(qū)大小是存儲設備閃存塊大小的整數(shù)倍，這樣一個分區(qū)的數(shù)據(jù)會被寫到閃存設備的整數(shù)個閃存塊內(nèi)。由于分區(qū)不允許覆蓋寫，一個分區(qū)數(shù)據(jù)只能被整體無效掉，也就是意味著該分區(qū)對應的閃存塊也是整體被無效掉（上面沒有任何有效數(shù)據(jù)），因此存儲設備內(nèi)部回收閃存塊無需垃圾回收——只需要一個擦除動作。

傳統(tǒng)垃圾回收由于需要搬移閃存塊上的有效數(shù)據(jù)，會導致寫放大。還有，為減小寫放大和加速垃圾回收，存儲設備都會預留一些閃存空間（也就是我們常說的OP），以減少閃存塊上有效數(shù)據(jù)數(shù)量?，F(xiàn)在分區(qū)存儲設備中由于不存在垃圾回收，因此沒有寫放大，同時這部分OP也可以省掉了（節(jié)省成本）。

（Figure 4:傳統(tǒng)SSD數(shù)據(jù)存放和分區(qū)SSD數(shù)據(jù)存放比較）

分區(qū)存儲帶來的另一大好處就是大大減少了映射表大小，從而提升系統(tǒng)性能，減少存儲設備成本。

基于閃存的傳統(tǒng)存儲設備一般按4KB邏輯塊大小為映射粒度，其L2P映射表（邏輯地址到物理地址的映射）大小一般為存儲設備容量的1/1024，比如一個512GB的UFS設備，其L2P映射表大小為512MB。企業(yè)級SSD一般都配有相應大小的DRAM來存儲運行時的L2P映射表，比如512GB的企業(yè)級SSD需要搭載至少512MB的DRAM；而業(yè)界消費級存儲設備則是出于成本考慮，一般都沒有DRAM，它利用控制器小的SRAM緩存部分L2P映射表，而絕大多數(shù)L2P映射表都是存在閃存，固件按需從閃存加載映射關(guān)系數(shù)據(jù)到控制器SRAM。這種DRAM-less的存儲設備，與帶DRAM的存儲設備相比，少了DRAM的成本，但性能無疑會大打折扣，因為控制器SRAM大小有限，對隨機讀取場景來說，映射表緩存命中率很低，固件很多時候需要先從閃存加載映射關(guān)系，然后再根據(jù)獲得的物理地址去讀用戶數(shù)據(jù)，也就是說讀取一筆數(shù)據(jù)需要訪問幾次閃存，意味著讀取性能肯定比只訪問一次閃存要慢得多。

問題的根因是傳統(tǒng)存儲設備映射粒度太細了，導致映射表巨大。而分區(qū)存儲設備，我們可以按照分區(qū)大小為映射粒度。假設分區(qū)大小為128MB，一個512GB的設備有4096個分區(qū)，每個分區(qū)對應的物理地址用4字節(jié)表示，那么整個L2P映射表只有16KB！這么小的映射表完全可以存儲在控制器SRAM中，因此在企業(yè)級SSD中可節(jié)省DRAM的使用；對消費級存儲產(chǎn)品來說，L2P映射表可以常駐內(nèi)存，無需從閃存中獲取映射關(guān)系，讀取一筆數(shù)據(jù)只需訪問一次閃存，這大大加速了隨機讀取性能。

（Figure 5:嵌入式存儲協(xié)議發(fā)展路線）

存儲介質(zhì)方面，作為消費級產(chǎn)品，嵌入式存儲設備對成本敏感，隨著QLC閃存的成熟，QLC必然會應用到未來的嵌入式存儲設備上，無論是廠商還是消費者，都要做好這個心理準備。事實上，今年（2022年）年初鎧俠已經(jīng)發(fā)布了基于QLC的UFS3.1產(chǎn)品。

QLC應用到嵌入式存儲設備上，要讓消費者用得放心，這需要相關(guān)的技術(shù)來解決QLC介質(zhì)可靠性差、壽命短、性能差等問題。因此在技術(shù)趨勢方面，一方面是嵌入式存儲控制器糾錯能力需要變得越來越強；另一方面，像數(shù)據(jù)分流、分區(qū)存儲這些能減小寫放大的技術(shù)也會被引入，來彌補QLC壽命短這塊短板。

目前，江波龍具有基于主流3D TLC閃存的豐富的嵌入式存儲產(chǎn)品，從eMMC到高性能UFS3.1，從消費級存儲到車規(guī)級存儲，產(chǎn)品矩陣全面。同時，公司也在思考怎么把存儲密度更高的QLC應用到嵌入式存儲產(chǎn)品上，并開展相關(guān)技術(shù)預研工作。未來，江波龍會持續(xù)給客戶帶來更多超越期望的嵌入式存儲產(chǎn)品。