【導(dǎo)讀】最近總結(jié)一下晶體管的一些基本知識(shí)，包含內(nèi)容有晶體管的電流放大原理、輸出特性曲線、主要參數(shù)，本文介紹的內(nèi)容，適合新手學(xué)習(xí)，就類(lèi)似于筆記記錄。
最近總結(jié)一下晶體管的一些基本知識(shí)，包含內(nèi)容有晶體管的電流放大原理、輸出特性曲線、主要參數(shù)，本文介紹的內(nèi)容，適合新手學(xué)習(xí)，就類(lèi)似于筆記記錄。
晶體管的基本放大電路
基本共射放大電路
共射放大電路回路組成
輸入回路：△u1是輸入電壓信號(hào)，經(jīng)過(guò)Rb接入基極和發(fā)射極回路
輸出回路：放大后的信號(hào)在集電極和發(fā)射極回路
發(fā)射極為兩個(gè)回路共用端，所以稱(chēng)為共射放大電路
晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置
為此我們需要基極電源VBB，集電極電源VCC，且VCC>VBB。
晶體管放大作用體現(xiàn)：很小的基極電流可以控制很大的集電極電流。
IE:發(fā)射結(jié)電流
IB:基極電流
IC:集電極電流
關(guān)系：IE=IB+IC
共射電流放大系數(shù)
一般認(rèn)為：
電流放大關(guān)系公式
晶體管共射特性曲線
1.輸入特性曲線
描述特性：管壓降Uce一定時(shí)，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降Ube之間的函數(shù)關(guān)系
晶體管輸入特性曲線
發(fā)射結(jié)與集電結(jié)并聯(lián)時(shí)（Uce=0），就是一個(gè)二極管狀態(tài)，與PN結(jié)伏安特性曲線類(lèi)似
對(duì)于確定的Ube，當(dāng)Uce增大到一定值后，ic將不再增大，也即是ib基本不變。
2.輸出特性曲線
描述特性：基極電流Ib一定時(shí)，集電極電流Ic與管壓降Uce之間的函數(shù)關(guān)系。
晶體管輸出特性曲線
對(duì)于不同的Ib，都有一個(gè)對(duì)應(yīng)的曲線
當(dāng)Uce增大時(shí)，ic隨即增大，而當(dāng)Uce增大到一定數(shù)時(shí)，集電結(jié)電場(chǎng)足以將基區(qū)非平衡少子的絕大部分收集到集電區(qū)，此時(shí)ic不再明顯增大，也就是說(shuō)，ic基本僅決定與ib。
晶體管三個(gè)工作區(qū)域
截止區(qū)：發(fā)射結(jié)電壓小于開(kāi)啟電壓且集電結(jié)反向偏置。共射電路中：Ube≤Uon且Uce>Ube，也就是基極電壓太小。
放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。共射電路中：Ube>Uon且Uce≥Ube。此時(shí)ic基本僅決定與ib，與Uce無(wú)關(guān)，此時(shí)就用基極電流控制了集電極電流。
飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)與集電結(jié)都處于正向偏置。共射電路中：Ube>Uon且Uce<Ube。此時(shí)ic除了與iB有關(guān)外，明顯隨著Uce增大而增大。實(shí)際電路中判斷晶體管飽和時(shí)：如果晶體管Ube增大時(shí)，即iB增大，但是ic基本不變，即說(shuō)明晶體管進(jìn)入了飽和區(qū)。
晶體管溫度特性曲線
溫度對(duì)晶體管輸出特性的影響
實(shí)線是20℃時(shí)的特性曲線，虛線是60℃的特性曲線，可以看出，溫度升高，集電極電流增大。
集電極耗散功率增大，當(dāng)硅管溫度大于150℃，鍺管溫度大于70℃時(shí)，管子性能就會(huì)損壞，所以對(duì)于大功率管，需要注意溫升測(cè)試并且選用合適的散熱器。
極間反向擊穿電壓
定義：晶體管某一極開(kāi)路時(shí)，另外兩個(gè)電極允許加的最高反向電壓
U(BR)CBO:發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極之間的反向擊穿電壓。
U(BR)CEO:基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極之間的反向擊穿電壓。
U(BR)EBO:集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極之間的反向擊穿電壓。
結(jié)構(gòu)圖與實(shí)物圖
晶體管結(jié)構(gòu)示意圖
晶體管實(shí)物圖
