極大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的電源進行優(yōu)化。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 設(shè)計和工藝技術(shù)的一些最新進展，讓許多新型 ADC  可以直接由開關(guān)電源來驅(qū) 動，從而達到最大化功效的目的。   系統(tǒng)設(shè)計人員們習慣在開關(guān)穩(wěn)壓器和 ADC  之間使用一些低噪、低壓降穩(wěn)壓器 (LDO)，以清除輸出噪聲和開關(guān)頻率諧波（請參見圖 1）。但是，這種干凈的電 源設(shè)計的代價是高功耗，因為 LDO 要求壓降余量來維持正常的運行。最低壓降 一般為 200  到 500mV，但在一些系統(tǒng)中其可以高達 1  到 2V（例如，ADC 的3.3-V 電壓軌產(chǎn)生自一個使用 LDO 的 5V 開關(guān)電源時）。  

圖 1  從傳統(tǒng)電源轉(zhuǎn)到最大功效電源

 

 

就一個要求  3.3-V  電壓軌的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 器而言 ，300mV  的  LDO  壓降增加約10%  的 ADC  功耗。這種效應(yīng)在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中得到放大，因為它具有更小的工藝節(jié)點和更低的電源電壓。例如，1.8V 時，相同 300-mV 壓降增加約 17%（300mV/1.8  V）的 ADC  功耗。因此，將該鏈的低噪聲 LDO  去除可以產(chǎn)生巨大的節(jié)能效果。去除 LDO 還可以降低設(shè)計的板級空間、熱量以及成本。    

本文闡述了包括超高性能 16 位 ADC 在內(nèi)的一些 TI 高速 ADC 可在 ADC 性能無明顯降低的條件下直接通過開關(guān)穩(wěn)壓器驅(qū)動。為了闡述的方便，我們對兩 款不同的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器（一款使用高性能 BiCOM  技術(shù)（TI  的 ADS5483），另 一款使用低功耗 CMOS  技術(shù)（TI  的 ADS6148）進行了開關(guān)電源噪聲敏感性研 究。本文的其他部分對所得結(jié)果進行了一一介紹。   BiCOM  技術(shù)—ADS5483   這種工藝技術(shù)實現(xiàn)了寬輸入頻率范圍下的高信噪比  (SNR)  和高無雜散動態(tài)范圍 (SFDR)。BiCOM  轉(zhuǎn)換器一般還具有許多片上去耦電容和非常不錯的電源抑制比 (PSRR)。

我們對 ADS5483  評估板 (ADS5483EVM)  進行了電源研究，其具有一個使用  TI  TPS5420  開關(guān)穩(wěn)壓器  (Sw_Reg)  的板上電源；一個低噪聲LDO（TI  的 TPS79501）；以及一個外部實驗室電源使用選項。我們使用圖 2  所示不同結(jié)構(gòu)實施了 5  次實驗，旨在確定 ADS5483  通過一個開關(guān)穩(wěn)壓器直接運行時出現(xiàn)的性能降低情況。由于 ADS5483  模擬 5-V 電源到目前為止表現(xiàn)出對電源噪聲的最大敏感性，因此該研究忽略了 3.3-V 電源的噪聲。ADS5483  產(chǎn)品說明書中列出的  PSRR  支持這種情況：兩個  3.3-V  電源的  PSRR  至少高出5-V 模擬電源 20 dB。  

圖 2  使用 ADS5483EVM  的 5 次實驗電源結(jié)構(gòu)  

 

5  次實驗的結(jié)構(gòu)變化配置如下：   實驗 1—一個 5-V 實驗室電源直接連接到 5-V 模擬輸入，同時繞過開關(guān)穩(wěn)壓器(TPS5420)  和低噪聲 LDO (TPS79501)。使用一個板上 LDO（TI  的 TPS79633）生成 ADS5483  低敏感度 3.3-V 模擬及數(shù)字電源的 3.3-V 電壓軌。  

實驗 2—將一個  10-V  實驗室電源連接到  TPS5420  降壓穩(wěn)壓器，其使用一個5.3-V  輸出。這樣可為 TPS79501  提供一個 300-mV  壓降，從而生成一個 5-V電壓軌。  

實驗 3—使用 TPS5420，從 10-V 實驗室電源生成一個 5-V 電壓軌。本實驗中， 我們繞過了 TPS79501  低噪聲 LDO。圖 3a 表明，如“實驗 2”連接的  LDO 較 好地減少了開關(guān)穩(wěn)壓器的 5.3-V 輸出峰值電壓。但是，圖 3b 表明 5-VVDDA  電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。    

圖 3  實驗 2（使用 LDO）和實驗  3（無 LDO）的示波器截圖對比  
 

 

實驗 4—本實驗配置方法與“實驗 3”相同，但去除了  TPS5420  輸出的 RC 緩 沖器電路，其會引起高振鈴和大開關(guān)頻率雜散。我們可在圖 4  中清楚的觀察到 RC 緩沖器電路的影響。去除 LDO 并沒有在鐵 氧體磁珠之后表現(xiàn)出明顯的差異，而去除 RC  緩沖器電路則會導致更大的清潔5-VVDDA  電壓軌電壓峰值進入 ADC。我們將在稍后詳細研究 RC 緩沖器電路的 影響。  
 

圖 4 5-VVDDA  電壓軌的電源噪聲  
 

 

實驗 5—將一個  8-Ω  功率電阻連接到  5-V  電源，模擬如現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 等額外負載。TPS5420 必須提供更高的輸出電流，并更努力地驅(qū)動其內(nèi) 部開關(guān)，從而產(chǎn)生更大的輸出雜散。通過重復進行“實驗 2”、“實驗 3”和“實 驗 4”可以測試這種配置。  

測量結(jié)果    
我們利用輸入信號頻率掃描對比了 5  個實驗。先使用 135  MSPS 采樣速率然后 使用 80 MSPS  采樣速率對三個 ADS5483EVM 實施了這種實驗，均沒有觀察到 巨大的性能差異。在使用 135-MSPS  采樣速率情況下，SNR 和 SFDR 的頻率掃描如圖 5  所示。 在 10  到 130MHz  輸入頻率下 SNR  的最大變化約為 0.1dB。SFDR  結(jié)果也非 常接近；在某些輸入頻率（例如：80MHz）下，可以觀測到下降 1  至 2 dB。  

圖 5 10 到 130MHz  輸入頻率掃描
 

 

5 個實驗的 FFT 曲線圖對比（請參見圖 6）顯示噪聲底限或雜散振幅沒有出現(xiàn) 較大的增加。使用 LDO  清除開關(guān)噪聲使得輸出頻譜看起來幾乎與干凈 5-V 實 驗室電源完全一樣。去除 LDO 以后，我們觀測到從開關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生了兩個雜散， 其具有一個來自 10-MHz 輸入音調(diào)的約 500 kHz  頻率偏置。RC 緩沖器電路降 低這些雜散振幅 約  3dB，從約  –108  dBc  降到了約  –111  dBc。這一值低于 ADS5483  的平均雜散振幅，其表明 ADS5483  可以在不犧牲 SNR 或 SFDR 性 能的情況下直接由一個開關(guān)穩(wěn)壓器來驅(qū)動。    

圖 6 500-kHz  偏置雜散 65k-點  FFT  圖
 

   

RC  緩沖器 降壓穩(wěn)壓器輸出能夠以相當高的開關(guān)速度對非常大的電壓實施開關(guān)操作。本文 中，將 TPS5420  的輸入電壓軌設(shè)定為 10V，我們可以在輸出端觀測到許多過沖 和振鈴，如圖 7a  所示。為了吸收一些電源電路電抗能量，我們將 RC  緩沖電 路添加到了 TPS5420  的輸出（請參見圖 7b）。

該電路提供了一個高頻接地通路， 其對過沖起到了一些阻滯作用。圖 7a 表明 RC 緩沖器降低過沖約 50%，并且 幾乎完全消除了振鈴。我選用了 R = 2.2Ω  和 C = 470 pF 的元件值。穩(wěn)壓器的 開關(guān)頻率范圍可以為 500kHz  到約 6MHz，具體取決于制造廠商，因此可能需 要我們對 R  和 C  值進行調(diào)節(jié)。這種解決方案的代價是帶來一些額外的分流電 阻 AC 功耗（盡管電阻非常的?。?，其降低穩(wěn)壓器總功效不足 1%。  

圖 7 TPS5420  開關(guān)穩(wěn)壓器
 

 

我們將 10MHz 輸入信號標準化 FFT 圖繪制出來，以對比“實驗 1”到“實驗4”（請參見圖  8）。TPS5420  的雜散在約 500kHz 偏置時清晰可見。緩沖器降低雜散振幅約 3dB，而低噪聲 LDO 則完全消除了雜散。需要注意的是，RC 緩沖器（無 LDO）的雜散振幅約為 -112dBc，遠低于 ADS5483  平均雜散振幅，因此 SFDR 性能并未降低。  

圖 8“實驗  1”到“實驗  4”的標準  FFT  圖  

 

 

在“實驗 5”中，我們將一個 8-Ω  功率電阻添加到 5-VVDDA  電壓軌，旨在模擬 電源的重負載。標準化 FFT 圖（請參見圖 9）并未顯示出很多不同。去除 RC 緩 沖器以后，雜散增加約 4.5dB；其仍然遠低于平均雜散振幅。  

圖 9  添加 8-Ω  負載的標準化 FFT  圖  
 

 

CMOS  技術(shù)—ADS6148   當關(guān)注如何在保持較佳 SNR  和 SFDR  性能的同時盡可能地降低功耗時，我們 一般利用 CMOS  技術(shù)來開發(fā)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。但是，CMOS  轉(zhuǎn)換器的 PSRR 一般并不如 BiCOM ADC 的好。ADS6148  產(chǎn)品說明書列出了 25 dB 的 PSRR， 而在模擬輸入電源軌上 ADS5483  的 PSRR 則為 60dB。  

ADS6148EVM 使用一種板上電源，其由一個開關(guān)穩(wěn)壓器 (TPS5420) 和一個低 噪聲、5-V 輸出 LDO (TPS79501)  組成，后面是一些 3.3-V 和 1.8-V 電源軌的 低噪聲 LDO（請參見圖 10）。與使用 ADS5483EVM  的 5  個實驗類似，我們 使用 ADS6148EVM  進行了下面另外 5  個實驗，其注意力只集中在 3.3-VVDDA 電 壓 軌 的 噪 聲 上 面 。 1.8-VDVDD   電 壓 軌 外 置  TPS5420  實 驗 表 明 對  SNR  和 SFDR 性能沒有什么大的影響。  

圖 10 使用 ADS6148EVM  的 5 個實驗電源結(jié)構(gòu)  

 

實驗 6—將一個 5-V  實驗室電源連接到兩個低噪聲 LDO（一個使用 3.3-V  輸 出，另一個使用 1.8-V 輸出）的輸入。LDO 并未給實驗室電源帶來任何有影響 的噪聲。實驗 7—將一個  10-V  實驗室電源連 接到  TPS5420  降壓穩(wěn)壓器，其與 一個5.3-V  輸出連接，像“實驗 2”連接  ADS5483  一樣。TPS79501  生成了一個過濾后的 5.0-V 電壓軌，其向 3.3-V 輸出和 1.8-V 輸出 LDO 提供輸入，如圖 10所示。  實驗 8—所有 3.3-VVDDA 電壓軌  LDO  均被繞過。TPS5420  配置為一個 3.3-V 輸出，該輸出直接連接到 3.3-VVDDA 電壓軌。TPS79601  生成 1.8-VDVDD 電壓軌， 并通過一個外部 5-V 實驗室電源供電。  

實驗 9—該實驗配置方法與“實驗 8”相同，但去除了  TPS5420  輸出的 RC 緩 沖器電路。  實驗 10—一個 4-Ω  功率電阻連接到 TPS5420 的 3.3-V 輸出。這樣做可極大地 增加  TPS5420  的輸出電流，從而模擬一個附加負載。另外，像“實驗  5”的ADS5483  一樣，它帶來了更高的開關(guān)雜散和更多的振鈴。    

圖 11 顯示了“實驗 7”、“實驗 8”和“實驗 9”產(chǎn)生的一些 3.3-VVDDA 輸出波 形。有或無 LDO 的峰值電壓振幅存在一些差異，但 RC 緩沖器可降低 60%  的 峰值噪聲。  
 

圖 11 鐵氧體磁珠后測得 3.3-VVDDA 電壓軌實驗示波器截圖對比
 

 

測量結(jié)果   利用輸入信號頻率掃描，通過對比“實驗  6”到“實驗  10”，我們可以研究ADS6148  對電源噪聲的敏感性。先使用 135  MSPS  然后使用 210  MSPS  的采樣速率 (fs)  對三個 ADS6148EVM  進行數(shù)次實驗。我們沒有探測到有較大的性能差異。  

使用  135-MSPS  采樣速率，SNR  和  SFDR  的頻率掃描如圖  12  所示。高達300MHz 輸入頻率下 SNR 的最大變化為 0.1  到 0.2dB。但是，一旦移除了 RC緩沖器電路，噪聲便極大增加，從而降低 SNR 約 0.5  到 1dB。圖 12b  顯示了 5  次 ADS6148  實驗輸入頻率的 SFDR  變化。我們沒有觀測到 較大的性能降低。    

圖 12 10 到 300MHz  的輸入頻率掃描
 

 

對比圖 13  所示 FFT 圖，我們知道了無 RC 緩沖器 SNR 稍微減少的原因。去 除 RC  緩沖器電路后，在 ADS6148  輸出能譜中，我們可以看到分布間隔約為500kHz（TPS5420  開關(guān)頻率）的眾多小雜散，如圖 13  所示。相比 ADS5483， 這些小雜散更占主導，并且因為 ADS6148  的固有低 PSRR SNR  大大降低。但 是，圖 13  所示 FFT 圖還表明添加的 RC 緩沖器電路較好地彌補了這一不足。  

圖 13 大批雜散的 65k  點 FFT  圖

 

  
 

圖  14  所示標準化  FFT  圖表明開關(guān)穩(wěn)壓器的雜散高出  ADC  平均噪聲層約  5 到 6dB。其非常低，以至于其對 SFDR 減少無法產(chǎn)生影響，但卻明顯地影響了 ADC 的 SNR。  

圖 14 標準化 FFT  圖表明使用 RC  緩沖器的好處