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微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案

發(fā)布時間:2021-02-04 責任編輯:wenwei

【導讀】隨著通訊工業(yè)的飛速發(fā)展,人們對各種無線通訊工具的要求也越來越高。功率輻射小、作用距離遠、覆蓋范圍大已成為各運營商乃至無線通訊設備制造商的普遍追求,而這也同時對系統(tǒng)的接收靈敏度提出了更高的要求。
 
1 微波低噪聲放大器的作用
 
一般情況下,一個接收系統(tǒng)的接收靈敏度可由以下計算公式來表示:
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
由上式可見,在各種特定(帶寬BW、解調S/N已定)的無線通訊系統(tǒng)中,能有效提高靈敏度的關鍵因素就是降低接收機的噪聲系數(shù)NF,而決定接收機噪聲系數(shù)的關鍵部件則是處于接收機最前端的低噪聲放大器。
 
圖1所示是接收機射頻前端的原理框圖。由圖1可見,低噪聲放大器的主要作用是放大天線從空中接收到的微弱信號,降低噪聲干擾,以供系統(tǒng)解調出所需的信息數(shù)據(jù),所以,低噪聲放大器的設計對整個接收機來說是至關重要的。
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
2 微波低噪聲放大器的主要技術指標
 
2.1 噪聲系數(shù)
 
噪聲系數(shù)的定義為 放大器 輸入信噪比與輸出信噪比的比值,即:
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
對單級放大器而言,其噪聲系數(shù)的計算為:
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
其中F mi n為 晶體管 最小噪聲系數(shù),是由放大器的管子本身決定的,Γopt、Rn和Γs分別為獲得Fmin時的最佳源反射系數(shù)、 晶體 管等效噪聲 電阻 以及晶體管輸入端的源反射系數(shù)。
 
對多級放大器。其噪聲系數(shù)的計算應為:
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
其中NFn為第n級放大器的噪聲系數(shù),Gn為第n級放大器的增益。
 
對噪聲系數(shù)要求較高的系統(tǒng),由于噪聲系數(shù)很小,用噪聲系數(shù)表示很不方便,故常用噪聲溫度來表示,噪聲溫度與噪聲系數(shù)的換算關系為:
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
其中 Te 為放大器的噪聲溫度,T0=2900K,NF為放大器的噪聲系數(shù)。
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
2.2 放大器增益
 
放大器的增益定義為放大器輸出功率與輸入功率之比:
 
G=Pout/ Pi n(7)
 
通常提高低噪聲放大器的增益對降低整機的噪聲系數(shù)非常有利,但低噪聲放大器的增益過高會影響整個接收機的動態(tài)范圍。所以,一般來說,低噪聲放大器的增益確定應與系統(tǒng)的整機噪聲系數(shù)、接收機動態(tài)范圍等結合起來考慮。
 
2.3 反射系數(shù)
 
由式(3)可知,當Γs=Γopt時,放大器的噪聲系數(shù)最小,NF=NFmin,但此時從功率傳輸?shù)慕嵌葋砜?,輸入端會失配,所以,放大器的功率增益會降低,但有些時候,為了獲得最小噪聲,適當?shù)臓奚恍┰鲆嬉彩堑驮肼暦糯笃髟O計中經常采用的一種辦法。
 
另外,低噪聲放大器的輸入輸出駐波比、動態(tài)范圍、工作頻率、工作帶寬及帶內增益平坦度等指標也很重要,設計時也需加以考慮。
 
3 電路仿真 設計
 
本 電路 設計要求的頻率范圍為1.95~2.0 5G Hz,噪聲系數(shù):為Nf應小于2dB,帶內增益為G大于10dB,輸入,輸出 阻抗 為50Ω?,F(xiàn)以上述指標來進行電路晶體管的選擇以及ADS仿真。
 
3.1 晶體管的選擇
 
根據(jù)放大器的性能要求,本設計選用HP公司的AT-41511作為核心器件來進行設計。由于在ADS軟件中包含有這種型號晶體管的器件模型,因此,在設計和仿真過程中可以直接使用,而不必再自己建造器件模型。
 
3.2 ADS仿真綜合指標的實現(xiàn)
 
仿真時,可將噪聲系數(shù)、放大器增益、穩(wěn)定系數(shù)全部加入優(yōu)化目標中進行優(yōu)化,并通過對帶內放大器增益的限制來滿足增益平坦度指標,最終達到各個指標要求。反復調整優(yōu)化方法并優(yōu)化目標中的權重(Weight),也可以對輸入匹配網絡進行優(yōu)化。但是,對部分電路指標的優(yōu)化也可能導致其它某些指標的惡化,此時可以根據(jù)需要增加一些優(yōu)化變量。
 
圖2所示是經過一次隨機優(yōu)化的S參數(shù)圖。
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
仿真結果表明,該電路基本上已經達到了比較好的性能,且具有良好的輸入輸出匹配,較高的增益和穩(wěn)定系數(shù),同時噪聲系數(shù)也比較好。
 
3.3 封裝模型仿真設計
 
進行完sp模型設計以后,還需要將sp模型替換為封裝模型來做進一步設計。具體需要進行的工作如下:
 
(1)將sp模型替換為封裝模型;
 
(2)選擇直流工作點并添加偏置電壓;
 
(3)進行饋電電路的設計(電阻分壓、扇形線、高阻線等的使用);
 
(4)替換為封裝模型后各項參數(shù)可能會有所變化,如不滿足技術指標,還可以對封裝模型的原理圖再進行仿真優(yōu)化。
 
設計封裝模型時。可用圖3所示的電路來對器件的I-V特性進行仿真,以選擇其直流工作點。
 
微波低噪聲放大器的主要技術指標、作用及方案
 
在設計偏置電路時,為了防止交流信號對直流電源的影響,可在電源與饋電點之間添加1/4波長的高阻線以遏制交流信號。如果電路中有終端 短路 的微帶線,為了避免直流短路,還應在接地端插入隔直 電容 。
 
4 結束語
 
從仿真設計的過程可以看到,使用Agilent公司的ADS軟件進行 射頻 電路設計、仿真和優(yōu)化是非常方便的。它含有豐富原理圖模型庫、多種仿真分析方式和一系列使用簡便而功能強大的設計工具。這都可使復雜的射頻電路設計工作變得簡便快捷,省去了大量人工計算設計的過程,提高了設計工作效率。本文給出的微波低噪聲放大器的設計還是比較成功的,基本達到了指標要求。
 
 
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