【導讀】超級電容由于其充電次數(shù)，更好的瞬態(tài)性能，更簡單的充電管理以及更少的環(huán)境污染，在很多應用中越來越受歡迎。多個電容單體（2.7V）串聯(lián)往往需要buck-boost充電拓撲來實現(xiàn)電源的充電管理。BQ25703A是一種集快速充電、電源路徑管理、保護功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實際應用中的一些注意事項。
1. 典型充電電路和充電曲線：
圖1 典型應用電路
圖2 典型的充電曲線
圖3 配置和軟件設(shè)置
2. 加速充電過程
與鋰電池的預充電過程不同，超級電容可以直接快速充電，從而減少充電時間，可以采取如下兩種方式來減小芯片自帶的預充過程，
使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.
默認是10 mOhm，相當于提升5倍的預充電流。
圖 4 20s 快速充電充滿
2去使能LDO 模式
為了保證芯片的最小工作電壓，在預充過程充，BATFET處于LDO模式下，采用旁路模式也能加快充電速度，但會犧牲一部分系統(tǒng)電壓范圍。
圖 5 LDO 使能模式
圖6 LDO旁路模式
3. 兼容0.5A小電流USB輸入
當輸入電源的電流能力有限，而充電電流很高時會有拉低輸入電壓的風險，需要動態(tài)的配置充電電流，防止系統(tǒng)電壓過低導致的系統(tǒng)崩潰。BQ25703A的DPM模式能靈活地設(shè)置輸入功率限制，動態(tài)地的分配實時的充電電流，保證輸入電壓恒定。
圖 7 無DPM模式
圖8 DPM模式
4. 被動均衡功能
為了防止單體過充或者欠充，需要加入主動或者被動均衡，在保證功耗的基礎(chǔ)上，被動均衡的電路簡單，成本更低。
圖9 電阻被動均衡
5. 硬件過充保護
當軟件崩潰或者程序錯誤設(shè)置時，需要硬件的保護來防止電壓過沖而引起的危險。使用內(nèi)部比較器并結(jié)合芯片本身的HIZ模式可以強制保護充電電壓低于設(shè)置的安全門限值。
圖10 HIZ 硬件過壓保護
6. 綜述
綜上，BQ25703A可以作為多節(jié)的超級電容的升降壓充電方案，自帶power path 功能和DPM功能，軟件配置靈活，硬件保護功能齊全。
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