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靜電放電最常用的三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2019-07-29 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】該模型表征人體帶電接觸器件放電,Rb 為等效人體電阻,Cb 為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件 HBM 模型的 ESD 等級(jí)。
 
1.HBM:Human Body Model,人體模型:
 
該模型表征人體帶電接觸器件放電,Rb 為等效人體電阻,Cb 為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件 HBM 模型的 ESD 等級(jí)。
 
靜電放電最常用的三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)
ESD人體模型等效電路圖及其ESD等級(jí)
 
2.MM:Machine Model,機(jī)器模型:
 
機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似,但等效電容(Cb)是 200pF,等效電阻為 0,機(jī)器模型與人體模型的差異較大,實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大,但為了描述的統(tǒng)一,取 200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒(méi)有電阻,且儲(chǔ)電電容大于人體模式,同等電壓對(duì)器件的損害,機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。
 
靜電放電最常用的三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)
ESD機(jī)器模型等效電路圖及其ESD等級(jí)
 
3.CDM:Charged Device Model,充電器件模型:
 
半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中,由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳 遞用的塑料容器等)相互磨擦,就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM 模型就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí),發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的,器件帶電模型如下:
 
靜電放電最常用的三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)
ESD充電器件模型等效電路圖及其ESD等級(jí)
 
器件的 ESD 等級(jí)一般按以上三種模型測(cè)試,大部分 ESD 敏感器件手冊(cè)上都有器件的 ESD數(shù)據(jù),一般給出的是 HBM 和 MM。
 
通過(guò)器件的 ESD 數(shù)據(jù)可以了解器件的 ESD 特性,但要注意,器件的每個(gè)管腳的 ESD 特性差異較大,某些管腳的 ESD 電壓會(huì)特別低,一般來(lái)說(shuō),高速端口,高阻輸入端口,模擬端口 ESD電壓會(huì)比較低。
 
ESD 防護(hù)是一項(xiàng)系統(tǒng)工程,需要各個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)施全面的控制。下圖是一個(gè) ESD 防護(hù)的流程圖:
 
靜電放電最常用的三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)
ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)流程圖
 
ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)可分為單板防護(hù)設(shè)計(jì)、系統(tǒng)防護(hù)設(shè)計(jì)、加工環(huán)境設(shè)計(jì)和應(yīng)用環(huán)境防護(hù)設(shè)計(jì),單板防護(hù)設(shè)計(jì)可以提高單板 ESD 水平,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度和系統(tǒng)組裝的靜電防護(hù)要求。當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)還不能滿足要求時(shí),需要進(jìn)行應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)防護(hù)設(shè)計(jì)。ESD 敏感器件在裝聯(lián)和整機(jī)組裝時(shí),環(huán)境的 ESD 直接加載到器件,所以加工環(huán)境的 ESD 防護(hù)是至關(guān)重要的。
 
一般整機(jī)、單板、接口的接觸放電應(yīng)達(dá)到±2000V(HBM)以上的防護(hù)要求。器件的 ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)是在器件不能滿足 ESD 環(huán)境要求的情況下,通過(guò)衰減加到器件上的 ESD 能量達(dá)到保護(hù)器件的目的。ESD 是電荷放電,具有電壓高,持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn),根據(jù)這些特點(diǎn),ESD 能量衰減可通過(guò)電壓限制、電流限制、高通濾波、帶通濾波等方式實(shí)現(xiàn),所以防護(hù)電路的形式多種多樣,這里就不一一列舉。
 
 
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