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基于人體感應(yīng)技術(shù)交流電源連接器的設(shè)計(jì)
在系統(tǒng)設(shè)計(jì)與協(xié)調(diào)中，應(yīng)保證間歇發(fā)射的時(shí)間間隔要小于信號(hào)處理延時(shí)電路所設(shè)計(jì)的延時(shí)時(shí)間，只有這樣才能保證在信號(hào)處理延時(shí)電路的延時(shí)時(shí)間結(jié)束之 前，就能接收到新的信號(hào)，使之信號(hào)處理延時(shí)電路歸零后能重新計(jì)時(shí)，周而復(fù)始，達(dá)到只要有人能在設(shè)定的時(shí)間內(nèi)回到這個(gè)房間，就能保證其供電的連續(xù)性，反之...
2011-03-15
連接器 交流電源 感應(yīng)技術(shù)
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S-8205A/B：精工電子展出用于電動(dòng)工具之4節(jié) / 5節(jié)鋰電池保護(hù) IC
精工電子有限公司（Seiko Instruments Inc., SII）即將在3月15到17日展出及演示應(yīng)用于電動(dòng)工具上之4節(jié) / 5節(jié)鋰電池串聯(lián)用電池保護(hù)IC。
2011-03-15
S-8205A/B 精工電子 鋰電池 電路保護(hù) 電源管理
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EnergyTrend：本周太陽(yáng)能電池現(xiàn)貨價(jià)格保持穩(wěn)定
據(jù)EnergyTrend 調(diào)查，當(dāng)周太陽(yáng)能電池現(xiàn)貨價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)定的局面，平均價(jià)格仍維持在$1.27/Watt左右，但在多晶硅與硅晶圓方面仍維持上漲的局面，其中多晶矽價(jià)格出現(xiàn)明顯漲幅，平均價(jià)格來(lái)到$78.1/Kg。
2011-03-14
太陽(yáng)能 電池 多晶矽
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靜電防護(hù)與電磁兼容性
靜電作為一種近場(chǎng)自然危害源，給人類社會(huì)已經(jīng)造成了重大損失和危害。1969年底在不到一個(gè)月的時(shí)間里，由于靜電放電(EsD)引發(fā)荷蘭、挪威、英國(guó)三艘20萬(wàn)噸超級(jí)油輪洗艙時(shí)相繼發(fā)生爆炸；靜電放電曾使國(guó)際通訊衛(wèi)星II—F1Iv—F8及美國(guó)的阿尼克、歐洲航天局的航海通訊衛(wèi)星等數(shù)十額衛(wèi)星發(fā)生故障，不能正常飛行...
2011-03-11
靜電 電磁兼容性 普銳馬
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成本下降仍為臺(tái)灣太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主因
工研院指出，缺乏原物料和設(shè)備供應(yīng)、依賴技術(shù)移轉(zhuǎn)，以及集中在制造領(lǐng)域?yàn)椴焕谂_(tái)灣太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素，如不加以改善，將帶來(lái)高制造成本、低毛利，與低競(jìng)爭(zhēng)力...
2011-03-11
太陽(yáng)能 原物料 成本 硅外延片
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Molex SolarSpec?產(chǎn)品組合推動(dòng)可再生能源技術(shù)創(chuàng)新
全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司將在2011年3月15-17日展出SolarSpec?解決方案，SolarSpec?產(chǎn)品的設(shè)計(jì)支持光伏電池板、太陽(yáng)能跟蹤裝置和聚光器以及太陽(yáng)能逆變器高效、可靠和靈活的互連。
2011-03-11
Molex 連接器 光伏
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意補(bǔ)貼政策未定，中國(guó)光伏組件被壓港口
因意大利光伏電價(jià)補(bǔ)貼削減政策未敲定，部分采購(gòu)商持觀望態(tài)度，導(dǎo)致從中國(guó)發(fā)往該地區(qū)的部分光伏組件近期滯留在意大利港口。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，滯留的貨物最終可能會(huì)被迫降價(jià)。
2011-03-11
補(bǔ)貼政策 光伏組件 降價(jià)
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高端電流檢測(cè)電路及原理
本文講述高、低端電流檢測(cè)電路及原理，選擇檢流電阻的注意事項(xiàng)等問(wèn)題
2011-03-11
電流檢測(cè) MAXIM MAX4198
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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該...
2011-03-10
SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET
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